Магнетронная технология изготовления и электрические свойства мемристора на основе смешанных оксидов металлов

В наши дни человечество накопило колоссальный объем информации, для
обработки которой требуются не менее колоссальные вычислительные мощности.
С каждым годом темпы накопления и обработки информации увеличиваются. Но
современная микроэлектроника неумолимо приближается к своим
фундаментальным максимумам.
Во всем мире активно разрабатывается вопрос повышения
энергоэффективности и скорости вычислительной техники. Работы ведутся по
трём путям: первый — применение современных наноматериалов (нанотрубки,
графен и т.д.) в традиционных электронных компонентах; второй — внедрение
квантовых компьютеров; третий — поиск новых электронных компонентов,
совместимых с кремниевой технологией, в особенности компонентов для
компьютерной памяти. Так, в данный момент идут работы над компонентами
новых архитектур памяти, например, таких как: RRAM (resistive random access
memory), в основе которой лежит мемристор, двухполюсник с гистерезисом в
вольт-амперной характеристике (ВАХ); PCRAM (phase change random access
memory), в основе которой лежит двухполюсник, сопротивление которого зависит
от фазового состояния активного вещества (кристаллическое или аморфное);
MRAM (magnetoresistive random access memory), в основе которого
квантовомеханический эффект гигантского магнетосопротивления,
проявляющийся в многослойных металлических структурах. Все перечисленные
архитектуры обладают энергонезависимостью хранения информации и
скоростью, сопоставимой с современными энергозависимыми архитектурами.
Мемристор (от англ. memory — память и resistor — сопротивление) –
«потерянный» четвертый нелинейный пассивный элемент электроники,
способный менять свое сопротивление в зависимости от протекшего через него
заряда и сохранять его в полученном состоянии. Концепт мемристора был
предложен Леоном Чуа в 1971 г. [1], как элемент, устанавливающий соотношение
между прошедшим зарядом и изменением магнитного потока. Однако, позже
автор расширил определение на любые двухполюсники, способные изменять свое
сопротивление и энергонезависимо сохранять состояние.
Способность мемристора сохранять состояние без потребления энергии
позволяет использовать его, как основу для перспективных энергонезависимых
устройств памяти высокой плотности. Также, исходя из характеристик
мемристора, сходных с характеристиками синапса мозга, компьютер на основе

На основании проведенной работы сделаны следующие выводы:
1. С помощью метода реактивного магнетронного распыления получены
плёнки смешанных оксидов металлов, обладающие более равномерным
распределением элементов по толщине (σ/μ(конц.Ti) = (0,549…2,918%);
σ/μ(конц.Zr) = (5,644…7,591%)) по сравнению с плёнками, полученными методом
атомно-слоевого осаждения (σ/μ(конц.Ti) = 38,19%; σ/μ(конц.Al) = 19,00%), что
полезно для увеличения однородности электрического поля по толщине
мемристора и повышения стабильности его электрических характеристик. Метод
магнетронного распыления является более перспективным для промышленного
изготовления мемристоров, в то время более гибкий метод АСО предпочтителен
для изготовления мемристоров в лабораторных условиях.
2. Найден устойчивый режим осаждения пленки стехиометрического
диоксида титана и нестехиометрического соединения оксида титана при малом
окислительном факторе в магнетронной системе в условиях малого расхода
плазмообразующего и реактивного газов. При больших расходах кислорода (от
1,08·10-8 м3/с) и окислительном факторе более 0,5 наблюдается гистерезис
зависимостей скорости распыления и напряжения разряда от расхода кислорода,
что не позволяет контролировать состав плёнки в условиях, когда он
приближается к стехиометрическому.
3. Разработан метод контроля количества примеси в осаждаемой плёнке
смешанных оксидов металлов при одновременном реактивном распылении двух
металлических мишеней в атмосфере кислорода. Показано, как отношение
скоростей осаждения каждого оксида, измеряемых с помощью акустических
датчиков, связано с отношением долей концентрации соответствующих металлов.
Точность метода проверена при помощи РФЭС-исследований получившихся
плёнок.
4. Представлена магнетронная технология изготовления мемристора в
одном технологическом модуле, состоящая из осаждения проводящих дорожек и
активного слоя смешанных оксидов металлов при одновременном распылении
двух мишеней. Она позволяет упростить существующий технологический цикл
производства, в котором активный слой мемристора изготавливается методом
атомно-слоевого осаждения, а проводники – методом магнетронного распыления.
5. Определены электрические характеристики изготовленных
мемристоров на основе смешанных оксидов металлов. Показана зависимость этих
характеристик от количества примесного оксида.
6. Показано, что добавление примесного оксида алюминия в оксид
титана увеличивает отношение сопротивлений мемристора в выключенном и
включенном состояниях. При доле примеси Al в пленке смешанных оксидов
TixAl1-xOy на уровне 7 ат. % наблюдается максимальное отношение сопротивлений
в выключенном и включенном состояниях мемристора. Отношение
сопротивлений увеличивается с уровня 1,3 в чистом диоксиде титана до 7,2 при
введении примеси.
7. Определены электрические характеристики полученных мемристоров
мемристоров TiN/Ti0.86Al0.14Ox/TiN, подобные свойствам живого синапса:
существование аналога кратковременной и долговременной памяти, совпадение
вольтамперной характеристики мемристора с активационной функцией
искусственного нейрона. Это позволит использовать мемристор не только в
качестве синапсов, но и как суммирующий элемент искусственных нейронов.

1.Chua, L.O. Memristor—missing circuit element // IEEE Transactions:
Circuit Theory. – 1971. – №18, pp. 507–519.
2.Chevallier, C.J., Siau, C.H., Lim, S.F., Namala, S.R. et.al. A 0.13 μm 64Mb
multi-layered conductive metal-oxide memory. // IEEE International Solid-state circuits
conference. – 2010. – pp. 260-261.
3.Waser, R., Aono, M. Nanoionics-based resistive switching memories //
Nature Materials. – 2007. – Vol. 6. №11, pp. 833-840.
4.Zidan, M. A., Strachan, J. P. & Lu, W. D. The future of electronics based
on memristive systems // Nature Electronics. – 2018. – Vol. 1 №1, pp. 22-29.
5.Prezioso, M., Merrikh-Bayat, F., Hoskins, B. D., Adam, G. C., Likharev,
K. K., Strukov, D. B. Training and operation of an integrated neuromorphic network
based on metal-oxide memristors // Nature. – 2015. – Vol. 521. pp. 61-64.
6.Lee, J.S., Lee, S., Noh, T.W. Resistive switching phenomena: A review of
statistical physics approaches // Applied Physics Reviews. – 2015. – Vol. 2. №3,
031303.
7.Yang, J.J., Strukov, D.B., Stewart, D.R. Memristive devices for computing
// Nature Nanotechnology. – 2013 – Vol.8. pp. 13-24.
8.Hasegawa, T., Terabe, K., Tsuruoka, T. & Aono, M. Atomic switch:
Atom/ion movement controlled devices for beyond von-Neumann computers //
Advanced Materials. – 2012. – Vol. 24. pp. 252–267.
9.Jo, S. H., Kim, K. H. & Lu, W. Programmable resistance switching in
nanoscale two-terminal devices // Nano Letters. – 2009. – Vol. 9, pp. 496–500.
10.Lu, W., Jeong, D. S., Kozicki, M. & Waser, R. Electrochemical
metallization cells – blending nanoionics into nanoelectronics? // Materials Research
Society Bulletin. – 2012. – Vol. 37. pp. 124–130.
11.Do, Y.H., Kwak, J.S., Bae, Y.C., Lee, J.H., Kim, Y., Im, H., Hong, J.P.
TiN electrode-induced bipolar resistive switching of TiO2 thin films // Current Applied
Physics. – 2010. – Vol. 10. №1, pp. e71–e74.
12.Yao, J., Zhong, L., Natelson, D. & Tour, J. M. Silicon oxide: A non-
innocent surface for molecular electronics and nanoelectronics studies // Journal of
American Chemical Society. – 2011. – Vol. 133. pp. 941–948.
13.Gomez-Marlasca, F., Ghenzi, N., Rozenberg, M. J. & Levy, P.
Understanding electroforming in bipolar resistive switching oxides // Applied Physics
Letters. – 2011. – Vol. 98. №4, 042901.
14.Kwon, D.H., Kim, K.M., Jang, J.H. et al. Atomic structure of conducting
nanofilaments in TiO2 resistive switching memory // Nature Nanotechnology. – 2010. –
Vol. 5. №2, pp. 148–153.
15.Yang, J.J., Picket, M.D., Li, X. et al. Memristive switching mechanism for
metal/oxide/metal nanodevices // Nature Nanotechnology – 2008. – Vol. 3. №7, pp.
429–433.
16.Yang, J. J., Miao, F., Picket, M.D. et al. The mechanism of electroforming
of metal oxide memristive switches // Nanotechnology. – 2009. – Vol. 20. №21,
215201.
17.Wong, H.S.P., Lee, H.Y., Yu, S. et al. Metal-oxide RRAM // Proceedings
of the IEEE. – 2012. – Vol. 100. №6, pp. 1951–1970.
18.Li, Y., Wang, Zh., Midya, R. et al., Review of memristor devices in
neuromorphic computing: materials sciences and device challenges // Journal of Physics
D: Applied Physics. – 2018. – Vol. 51. №50, 503002.
19.Etienne Sicard. Introducing 10-nm FinFET technology in Microwind
[Электронный ресурс] / Etienne Sicard // Archive ouverte HAL. – 2017. – Режим
доступа: https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01551695
20.Strukov, D. B., Snider, G. S., Stewart, D. R. & Williams, R. S. The missing
memristor found // Nature. – 2008. – Vol. 453. №7191, pp 80–83.
21.Chiu, Fu-Chien. Resistance Switching Characteristics in ZnO-Based
Nonvolatile Memory Devices // Advances in Materials Science and Engineering. –
2013. – Vol. 2013. 362053.
22.Awais, M.N., Muhammad, N.M., Navaneethan, D., Kim, H.C., Jo, J., Choi,
K.H. Fabrication of ZrO2 layer through electrohydrodynamic atomization for the printed
resistive switch (memristor) // Microelectronic Engineering. – 2013. – Vol. 103. pp.
167–172.
23.Govoreanu, B., Kar, G.S., Chen, Y. et al. 10×10nm2 Hf/HfOx crossbar
resistive RAM with excellent performance, reliability and low-energy operation // 2011
IEEE International Electron Devices Meeting. – 2011. pp. 31.6.1-31.6.4.
24.Wei, Z., Kanazawa, Y., Arita, K. et al. Highly reliable TaOx ReRAM and
direct evidence of redox reaction mechanism // 2008 IEEE International Electron
Devices Meeting. – 2008, pp. 4796676.
25.Debanjan, J., Mrinmoy, D., Subhranu, S., Siddheswar, M. RRAM
characteristics using a new Cr/GdOx/TiN structure // Nanoscale Research Letters. –
2014. – Vol. 9. №1, 680.
26.Xia, Q., Yang, J.J., Wu, W. et al. Self-Aligned Memristor Cross-Point
Arrays Fabricated with One Nanoimprint Lithography Step // Nano Letters. – 2010. –
Vol. 10. pp. 2909-2914.
27.Yang, Y., Sheridan, P., Lu, W. Complementary resistive switching in
tantalum oxide-based resistive memory devices // Applied Physics Letters. – 2012. –
Vol.100. 203112.
28.Fleck, K., Böttger, U., Waser, R., Menzel, S. Interrelation of Sweep and
Pulse Analysis of the SET Process in SrTiO3 Resistive Switching Memories // IEEE
Electron Device Letters. – 2014. – Vol. 35. №9, pp. 924-926.
29.Jou, S., Hwang, B.-R., Li,C.-J. Resistance Switching Properties in Cu/Cu-
SiO2/TaN Device // Proceedings of The World Congress on Engineering 2011. – 2011.
– Vol. 2. pp. 1496-1499.
30.Pincella, F., Camorani, P. & Erokhin, V. Electrical properties of an organic
memristive system // Applied Physics A. – 2011. – Vol. 104. №4, pp. 1039-1046.
31.Yan, Y., Yang, C.P., Bärner, K., Marchenkov, V.V., Zeng, Y. Resistance
switching properties of Cu2S film by electrochemical deposition // Applied Surface
Science. – 2016. – Vol. 360. pp. 875-879.
32.Peng C.-S., Chang W.-Y., Lee Y.-H., Lin M.-H., Chen F., Tsai M.-J.
Improvement of Resistive Switching Stability of HfO2 Films with Al Doping by
Atomic Layer Deposition // Electrochemical and Solid-State Letters. – 2012. – Vol. 15.
№4, pp. H88-H90.
33.Alekhin A.P., Chouprik A.A., Gudkova S.A., Markeev A.M. et al.
Structural and electrical properties of TixAl1−xOy thin films grown by atomic layer
deposition // Journal of Vacuum Science & Technology B. – 2011. – Vol. 29. №1,
01A302.
34.Mikhaylov, A.N., Gryaznov, E.G., Belov, A.I., Korolev, D.S., et al. Field-
and irradiation-induced phenomena in memristive nanomaterials // Physica Status Solidi
C. – 2016. – Vol. 13. №10-12, pp. 870–881.
35.Zhang, H., Gao, B., Yu, S., Lai, L., Zeng, L., Sun, B.et al. Effects of Ionic
Doping on the Behaviors of Oxygen Vacancies in HfO2 and ZrO2: A First Principles
Study // 2009 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and
Devices. – 2009. 5290225.
36.Lee, H.Y., Chen, P.S., Wu, T.Y. et al. Low power and high speed bipolar
switching with a thin reactive Ti buffer layer in robust HfO2 based RRAM // 2008 IEEE
International Electron Devices Meeting. – 2008. 4796677.
37.Kwak, J. S., Do, Y. H., Bae, Y. C., et al. Roles of interfacial TiO xN1−x layer
and TiN electrode on bipolar resistive switching in TiN/TiO2/TiN frameworks //
Applied Physics Letters. – 2010. Vol. 96. №22, 223502.
38.Гусев А. И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. — М.:
Физматлит, 2007. — 416 с.
39.Peng, Q., Sun, X.-Y., Spagnola, J. C., Hyde, G. K., Spontak, R. J., &
Parsons, G. N. Atomic Layer Deposition on Electrospun Polymer Fibers as a Direct
Route to Al2O3 Microtubes with Precise Wall Thickness Control // Nano Letters. –
2007. – Vol. 7. №3, pp. 719–722.
40.ГудковаС.А.Исследованиеструктурыисвойствдвухи
трехкомпонентных оксидов TixAl1-xOy, сформированных методом атомарно-
слоевого осаждения: диссертация кандидата физико-математических наук:
01.04.07 / Гудкова Светлана Александровна. — Долгопрудный, 2011, 137 с.
41.Mane, A. U., Elam, J. W. Atomic Layer Deposition of W:Al 2O3
Nanocomposite Films with Tunable Resistivity // Chemical Vapor Deposition. – 2013.
– Vol. 19, №4–6 Special Issue: Functional Materials by Atomic Layer Deposition, pp.
186–193.
42.Díaz, B., Härkönen, E., S´wiatowska, J., et al. Corrosion properties of steel
protected by nanometre-thick oxide coatings // Corrosion Science – 2014. – Vol. 82, pp.
208-217.
43.Данилин, Б.С., Сырчин, В.К. Магнетронные распылительные системы:
монография / Б.С. Данилин, В.К. Сырчин. – М.: Радио и связь; 1982. – 72 с.
44.Алехин А.П., Батурин А.С., Григал И. П., Гудкова С.А. и др.
Мемристор на основе смешанного оксида металлов // Патент РФ №2472254.
Патентообладатель МФТИ, опубл. 10.01.2013.
45.ВасильевВ.А.,ХошевА.В.Условиеполученияоднородных
наноразмерных резистивных плёнок Ni-Ti методом магнетронного распыления из
двухисточников//ИзвестияТомскогополитехническогоуниверситета.
Математика и механика. Физика. – 2014. – Т. 325. №2, с. 173–179.
46.Boyadzhiev, S., Georgieva, V., & Rassovska, M. Characterization of
reactive sputtered TiO2 thin films for gas sensor applications // Journal of Physics:
Conference Series. – 2010. – Vol. 253. 012040.
47.Liu, T., Yan, T.H., Scheuerlein, R., Chen, Y., Lee, J.K., et al. A 130.7-mm2
2-Layer 32-Gb ReRAM Memory Device in 24-nm Technology // IEEE Journal of
Solid-State Circuits. – 2014. – Vol. 49. №1, pp 140-153.
48.Adam, G.C., Hoskins, B.D., Prezioso, M., Strukov D.B. Optimized stateful
material implication logic for 3D data manipulation // Nano Research. – 2016. – Vol.9.
№12, pp. 3914–3923.
49.Demin V.A., Erokhin, V.V., Emelyanov, A.V., et al. Hardware elementary
perceptron based on polyanilin memristive devices // Organic Electronics. – 2015. –
Vol. 25. pp. 16-20.
50.Seo, S., Lee, M. J., Seo, D.H., Jeoung, E.J., et al. Reproducible resistance
switching in polycrystalline NiO films // Applied Physics Letters. – 2004. – Vol. 85.
№23, pp. 5655–5657.
51.Fujimoto, M., Koyama, H., Hosoi, Y., Ishihara, K., & Kobayashi, S. High-
Speed Resistive Switching of TiO2/TiN Nano-Crystalline Thin Film // Japanese Journal
of Applied Physics. – 2006. – Vol. 45. №11, pp. L310–L312.
52.Park, I.-S., Kim, K.-R., Lee, S., & Ahn, J. Resistance Switching
Characteristics for Nonvolatile Memory Operation of Binary Metal Oxides // Japanese
Journal of Applied Physics. – 2007. – Vol. 46. №4B, pp. 2172–2174.
53.Zidan, M.A., Fahmy, H.A.H., Hussain, M.M., Salama, Kh.N. Memristor-
based memory: The sneak paths problem and solutions // Microelectronics Journal. –
2013. – Vol. 44. №2, pp. 176–183.
54.Tizno, O., Marshall, A.R.J., Fernández-Delgado, N., Herrera, M., Molina,
S.I., Hayne, M. Room-temperature Operation of Low-voltage, Non-volatile,
Compound-semiconductor Memory Cells // Scientific Reports. – 2019. – Vol. 9. №1,
8950.
55.Bobylev A.N., Busygin A.N., Pisarev A.D., Udovichenko S.Yu., Filippov
V.A. Neuromorphic coprocessor prototype based on mixed metal oxide memristors //
International journal of nanotechnology. – 2017. – Vol. 14. №7/8, pp. 698-704.
56.Удовиченко, С.Ю., Маевский, О.В., Писарев, А.Д., Бусыгин, А.Н.,
Комплементарная мемристорно-диодная ячейка для запоминающей матрицы
нейроморфногопроцессора.//СборниктезисовVIIIконференции
Нанотехнологического общества России. – 2017. – c. 37-40.
57.Удовиченко, С.Ю., Писарев, А.Д., Бусыгин, А.Н., А.Н. Бобылев, А.Н.
Высокая интеграция элементов в логической и запоминающей матрицах
нейропроцессора с помощью комбинированного мемристорно – диодного
кроссбара // Сборник тезисов IX конференции Нанотехнологического общества
России. – 2018. – с. 6-7.
58.Udovichenko, S.Yu., Pisarev, A.D., Busygin, A.N., Bobylev, A.N. Memory
and universal logic matrixes for neuroprocessor // First International Workshop on
Nanoelectronic Memristive Devices for Quantum and Neuromorphic Computing
(MEM-Q) Book of abstracts. – 2018. – p. 19.
59.Pisarev A.D., Busygin A.N., Udovichenko S.Yu., Maevsky O.V. A
biomorphic neuroprocessor based on a composite memristor-diode crossbar //
Microelectronics Journal. 2020. V. 102. Article 104827.
60.Pisarev A., Busygin A., Bobylev A., Gubin A., Udovichenko S. Fabrication
technology and electrophysical properties of a composite memristor-diode crossbar used
as a basis for hardware implementation of a biomorphic neuroprocessor //
Microelectronic Engineering. 2021. V. 236. Article 111471
61.Gao, L., Hoskins, B., Strukov, D. Correlation between diode polarization
and resistive switching polarity in Pt/TiO2/Pt memristive device // Physica Status Solidi
Rapid Research Letters. – 2016. – Vol. 10. №5, pp. 426-430.
62.Hadiyawarman, F. Budiman, D.G.O. Hernowo, et al., Recent progress on
fabrication of memristor and transistor-based neuromorphic devices for high signal
processing speed with low power consumption, Japanese Journal of Applied Physics. 52
(3S2) (2018) 03EA06.
63.Y. Matveyev, R. Kirtaev, A. Fetisova, et al., Crossbar Nanoscale HfO2-
Based Electronic Synapses, Nanoscale Research Letters. 11 (2016) 147.
64.V.S. Klimin, R.V. Tominov, V.I. Avilov, et al., Nanoscale profiling and
memristor effect of ZnO thin films for RRAM and neuromorphic devices application,
Proc. SPIE 11022, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018.
11022. (2019) 110220E.
65.H. Zhang, B. Gao, B. Sun, et al., Ionic doping effect in ZrO2 resistive
switching memory, Applied Physics Letters. 96 (2010) 123502.
66.A.N. Bobylev, S.Yu. Udovichenko, Electrical Properties of a TiN /
TixAl1–xOy / TiN Memristor Device Manufactured by Magnetron Sputtering, Russian
Microelectronics. 45 (6) (2016) 396-401.
67.Udovichenko, S.Y., Bobylev, A.N., Belotserkovtseva, D.A., Shpindyuk,
D.D. Obtaining of non-stoichiometric titanium oxide using reactive magnetron
sputtering // Journal of Physics: Conference Series. – 2018. – Vol. 387. 012080.
68.Удовиченко, С.Ю., Бобылев, А.Н., Белоцерковцева, Д.А., Шпиндюк,
Д.Д.Получениепленкинестехиометрическогооксидатитанаметодом
реактивного магнетронного распыления // Вакуумная техника и технологии.
Труды 25-й Всероссийской научно-технической конференции с международным
участием. – 2018. – с. 53-56.
69.Журавский Д В, Мисиюк К В, Удовиченко С Ю и др. Разработка
излучающей многослойной структуры на основе нанослоёв нитрида кремния с
избыточным содержанием кремния и азота // Вакуумная техника и технология. –
2014. – Т. 23. №1, с. 65-66.
70.Bobylev, A.N. and Udovichenko, S.Yu. The electrical properties of
memristor devices TiN/TixAl1-xOy/TiN produced by magnetron sputtering // Russian
Microelectronics. – 2016. – Vol. 45. №6, pp. 396-401.
71.Berg, S., Larsson, T., Nender, C., Blom, H.O. Predicting thin-film
stoichiometry in reactive sputtering // Journal of Applied Physics. – 1988. – Vol. 63.
№3, pp. 887–891.
72.Hoskins, B.D., Strukov, D.B. Maximizing stoichiometry control in reactive
sputter deposition of TiO2 // Journal of Vacuum Science and Technology A. – 2017. –
Vol. 35. №2, 020606.
73.Бобылев, А.Н., Удовиченко, С.Ю., Бусыгин, А.Н., Ибрагим, А.Х.
Увеличение диапазона резистивного переключения мемристора для реализации
большего числа синаптических связей в нейропроцессоре // Вестник Тюменского
государственного университета. Физико-математическое моделирование. Нефть,
газ, энергетика. – 2019. – №2. c. 140-152.
74.Warren, A., Nylund, A., Olefjord, I. Oxidation of tungsten and tungsten
carbide in dry and humid atmospheres // International Journal of Refractory Metals and
Hard Materials. – 1996. – Vol. 14. №5–6, pp. 345-353.
75.Самсонов, Г.В. Нитриды: монография / Г.В. Самсонов. – Киев:
Наукова думка, 1969. – 380 с.
76.Фоменко, В.С. Эмиссионные свойства элементов и их химических
соединений: справочник / В.С. Фоменко – Киев: Наукова думка, 1981. – 340 с.
77.MicroChem. NANO PMMA and Copolymer Datasheet [Электронный
ресурс]/MicroChemCorp.–режимдоступа:https://kayakuam.com/wp-
content/uploads/2019/09/PMMA_Data_Sheet.pdf
78.Журавский, Д.В., Бобылев, А.Н., Удовиченко, С.Ю., Филиппов, В.А.
Установление подобия свойств синапса и мемристора, используемого в
электронном устройстве // Нейрокомпьютеры: разработка и применение. – 2015. –
№11, c. 95-101.
79.Бобылев,А.Н.,Удовиченко,С.Ю.Созданиеэлектронного
запоминающего устройства, подобного по свойствам синапсу мозга // Доклады
Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники.
– 2015. – Т. 38. №4, c. 68-71.
80.Журавский, Д.В., Бобылев, А.Н., Кузьменко, А.Ю., Удовиченко, С.Ю.
Исследованиеструктурыиэлектрическихсвойствсверхтонкойпленки
смешанного оксида металлов, предназначенной для электронного запоминающего
устройства // Труды 12 Международной конференции «Пленки и покрытия». С.-
Петербург. – 2015. – с.106-108.
81.Cronemeyer, D.C. Infrared Absorption of Reduced Rutile TiO2 Single
Crystals // Physical Review. – 1959. – Vol. 113. №5, pp. 1222–1226.
82.Mattioli, G., Filippone, F., Alippi, P., Bonapasta, A. Ab initio study of the
electronic states induced by oxygen vacancies in rutile and anatase TiO 2 // Physical
Review B. – 2008. – Vol. 78. 241201.
83.Бобылев, А.Н., Удовиченко, С.Ю., Бусыгин, А.Н., Ибрагим, А.Х.
Электрические свойства мемристорного устройства на основе смешанного оксида
металлов//Микро-инанотехнологиивэлектронике.МатериалыXI
Международной научно-технической конференции. – 2019. – с. 149-153.
84.Bobylev A.N., Udovichenko S.Y., Busygin A.N., Ebrahim A.H. The Effect
of Aluminum Dopant Amount in Titania Film on the Memristor Electrical Properties //
Nano Hybrids and Composites. 2020. V. 28. Pp. 59-64.
85.Миркес Е.Н. Нейрокомпьютер. Проект стандарта: монография / Е.Н.
Миркес – Новосибирск: Наука, Сибирская издательская фирма РАН. 1998. – 189 с.
86.Chang, T., Jo, S.-H., Lu, W. Short-term memory to long-term memory
transition in a nanoscale memristor // ACS Nano. – 2011. – Vol. 5. №9, pp. 7669–7676.
87.Jo, S.-H., Chang, T., Ebong, I., Bhadviya, B.B., Mazumder, P., Lu, W.
Nanoscale memristor device as synapse in neuromorphic systems // Nano Letters. –
2010. – Vol. 10. №4, pp. 1297–1301.