Магнетронная технология изготовления и электрические свойства мемристора на основе смешанных оксидов металлов

Бесплатно
Работа доступна по лицензии Creative Commons:«Attribution» 4.0
Бобылев Андрей Николаевич
Бесплатно
Работа доступна по лицензии Creative Commons:«Attribution» 4.0

ВВЕДЕНИЕ ………………………………………………………………………………………………………. 4

Глава 1. Обзор. Применение мемристоров, материалы и технологии изготовления
мемристоров………………………………………………………………………………………………….. 14

1.1.Механизм переключения сопротивления мемристора……………………………….. 14

1.2.Технические и технологические требования к мемристорам …………………….. 21

1.3.Влияние материалов активного слоя и электродов на характеристики
мемристора ……………………………………………………………………………………………………. 23

1.4.Промышленные и лабораторные методы нанесения тонких плёнок ………….. 29

1.5.RRAM и универсальная память ………………………………………………………………… 36

1.6.Аппаратные искусственные нейросети. Комбинированный мемристорно-
диодный кроссбар для биоморфного нейропроцессора …………………………………… 39

1.7.Выводы к главе 1 ……………………………………………………………………………………… 44

Глава 2. Технология изготовления мемристора в одном технологическом
магнетронном модуле ……………………………………………………………………………………. 46

2.1.Выбор материала активного слоя мемристора ………………………………………….. 46

2.2.Методика контроля стехиометрии оксида в магнетронном модуле ……………. 47

2.3.Изготовление плёнки смешанных оксидов металлов в магнетронном модуле .
………………………………………………………………………………………………………………… 54

2.4.Выбор материала проводящих дорожек кроссбара ……………………………………. 59

2.5.Технология изготовления масок методом электронно-лучевой литографии . 61

2.6.Изготовление тонкой пленки оксида и проводящих дорожек мемристорного
кроссбара ………………………………………………………………………………………………………. 64

2.7.Выводы к главе 2 ……………………………………………………………………………………… 66
Глава 3. Исследования пленки смешанных оксидов металлов ………………………….. 68

3.1.Исследование морфологии пленки оксидов металлов ……………………………….. 68

3.2.Исследование пленки смешанных оксидов с помощью оптической
спектрометрии ………………………………………………………………………………………………. 70

3.3.Измерение однородности состава плёнок смешанных оксидов по толщине . 74

3.4.Выводы к главе 3 ……………………………………………………………………………………… 79

Глава 4. Электрические свойства изготовленных мемристоров ………………………… 80

4.1.Обеспечение электрического контакта мемристоров с измерительной
техникой ……………………………………………………………………………………………………….. 80

4.2.Исследование зависимости электрических характеристик мемристора от доли
примесного металла в пленке смешанных оксидов…………………………………………. 81

4.3.Подобие электрических свойств мемристора свойствам живого синапса ….. 86

4.4.Выводы к главе 4 ……………………………………………………………………………………… 89

Заключение …………………………………………………………………………………………………….. 91

Список литературы …………………………………………………………………………………………. 93

Приложение 1 ……………………………………………………………………………………………….. 103

Приложение 2 ……………………………………………………………………………………………….. 105

Во введении обоснована актуальность работы, сформулированы цель и
задачиисследований,раскрываетсянаучнаяновизнаипрактическая
значимость полученных результатов.

В первой главе приведен обзор работ, освещающих физические
принципы и основы функционирования мемристора. Указаны основные
характеристики мемристора и обозначены факторы, оказывающие влияние на
эти характеристики. Освещены основные механизмы работы мемристора и
указана типология мемристоров в соответствии с превалирующими в их работе
механизмами.Указанытехническиеитехнологическиетребованияк
мемристорам ирассмотренынакладываемыенанихограничения. В
соответствии с этими требованиями рассмотрены основные применяемые в
производствемемристоровматериалыиопределеноихвлияниена
производительность мемристора. Как наиболее перспективный с точки зрения
внедрения рассмотрен класс анионных мемристоров и соответствующие ему
бинарные оксиды переходных металлов и смешанные оксиды на их основе. Так
же рассмотрены материалы, применяемые для создания электродов, и их
влияние на производительность устройства.
Приведен обзор основных промышленных и лабораторных технологий
создания тонких плёнок мемристорного кроссбара. Проведено качественное
сравнение наиболее гибких лабораторных методов АСО и магнетронного
распыления. Рассмотрены перспективные варианты применения мемристоров в
электронной вычислительной технике, в том числе схемы, в разработке
которых принимал участие автор (рисунок 1). Показаны преимущества
мемристоров и узлов на их основе над транзисторными узлами. Рассмотрена
совместимость технологий производства таких узлов с промышленными
технологиями. Видно, что вычислительная техника на основе мемристоров
активно развивается, предлагая качественно новые подходы и улучшая
количественные показатели вычислений.

Рисунок 1. Электрическая схема и топология отдельной ячейки мемристорно-
диодного кроссбара.

Для обеспечения стабильной работы устройств хранения, памяти, логики
иаппаратныхнейросетей,мемристорыдолжныобладатьвысокой
стабильностью электрических свойств. Для нейроморфных вычислений
немаловажно присутствие различимых промежуточных состояний мемристора,
поэтому актуально требование максимально возможного отношения Roff/Ron.
Кроме того, высокое отношение сопротивлений улучшает соотношение
сигнал/шум итоговой электрической схемы. Мемристоры на основе бинарных
оксидов переходных металлов не демонстрируют требуемых параметров.
Внесение металлических примесей, как правило, улучшает характеристики
мемристоров. Но влияние количества примеси на параметры мемристора не
исследовано. Это обстоятельство приводит к необходимости исследования
состава и структуры мемристорных материалов, электрических характеристик
мемристоров и их взаимосвязей.

Вовторой главепоказана разработка технологии изготовления
мемристора в одном технологическом модуле. Приведены результаты работы
автора по адаптации существующих методик к имеющемуся оборудованию, а
также по внедрению новой методики контроля состава смешанных оксидов,
пригодной для лабораторных исследований и позволяющей изолировать
отдельныепараметрымемристоровдляанализавлиянияизменяемых
параметров на значимые электрические характеристики. Проведен выбор
материалов активного слоя мемристоров с точки зрения стабильности
электрических характеристик. Обоснован выбор материалов для проводящих
дорожек мемристорной микросхемы, обсуждены аспекты лабораторного
литографического процесса и приведены подробности технологического
процесса осаждения тонких плёнок мемристорного кроссбара. Рассмотрена
совместимость технологий производства таких узлов с промышленными
технологиями.
При реактивном магнетронном распылении затруднен контроль за
химическим составом пленки. Переход состояния распыляемого материала по
пути металл → нестехиометрический оксид → стехиометрический оксид при
увеличениипарциальногодавленияреактивногогазапроисходит
скачкообразно,минуянестехиометрическоесостояние.Контролируемое
получениенестехиометрическогосоединениявозможновусловиях
завихренного потока реактивного газа при относительно небольшой мощности
распыленияибольшомотношениипарциальныхдавленийаргонаи
реактивного газа.
Экспериментальные кривые (рисунок 2) показывают, что выбранный
режим распыления позволяет избежать скачкообразного поведения кривой
распыления. Тем не менее, при расходах кислорода более 1,125·10-8 м3/с и
окислительном факторе (ОФ) более 0,5 наблюдается гистерезис зависимостей
скорости распыления и (особенно) напряжения разряда от расхода кислорода
(ОФ – безразмерная характеристика, показывающая количество кислорода в
синтезируемом веществе относительно стехиометрического оксида, т.е. у TiO2
ОФ = 1). Данное обстоятельство не позволяет контролировать состав плёнки в
условиях, когда он приближается к стехиометрическому. А при ОФ ≤ 0,5
характер зависимости U(Q) позволяет контролировать состав плёнки.

Рисунок 2. Экспериментальная зависимость напряжения разряда от расхода
реактивного газа при постоянной мощности разряда 150 Вт и давлении в камере
0,1 Па.

Для проверки стехиометрии получаемых плёнок были выбраны две
точки, соответствующие окислительному фактору 0,3 и 1 и расходу кислорода
7·10-9 м3/с и 2,33·10-8 м3/с соответственно. Полученные при этих значениях
плёнки TiOx толщиной 100 нм, осажденные на кремниевые подложки, были
исследованы с помощью энергодисперсионного рентгеновского спектрометра
(ЭДРС) Oxford Instruments X-Max 20 mm2 (таблица 1).

Таблица 1. Результаты энергодисперсионной спектрометрии.
FO, %Ti, %O/Ti

0,362,3737,631,66

166,4833,521,98
Для улучшения свойств мемристоров и полупроводников применяется
внесение примесей в состав основного материала. При производстве тонких
плёнок оксидов или других соединений методом магнетронного распыления
возможно внесение примеси непосредственно на этапе осаждения плёнки.
Для расчетов зависимости состава получаемой плёнки от скорости
осаждения каждого компонента смешанных оксидов была разработана простая
модель, устанавливающая зависимость между отношениями количества
вещества осажденных в стехиометрическом режиме материалов и отношением
толщин осажденных плёнок. Толщина осаждаемых в ходе эксперимента плёнок
контролируется с помощью кварцевых акустических датчиков. Каждый
катодный узел имеет соответствующий ему датчик толщины. Толщина
осажденной на датчике плёнки есть
m
d =,(1)
ρS

где m – масса осаждаемого вещества, ρ – его плотность, а S – площадь датчика.
Скорость осаждения обозначим как ∆d⁄∆t. Тогда отношение скоростей
осаждения при одновременном распылении с постоянными скоростями будет
равно отношению толщин полученной плёнки:
∆d1 ⁄∆t∆d1 ∆td1
==.(2)
∆d2 ⁄∆t∆d2 ∆td2

Площади двух датчиков одинаковы, значит
d1m1 ρ2
=.(3)
d2ρ 1 m2

Для установления зависимости состава плёнки, а значит отношения
ν
количества атомов металлов 1⁄ν2 в плёнке от скоростей распыления,
необходимо учитывать количество атомов каждого из металлов в молекулах
соответствующихстехиометрическихсоединений.Поскольку
стехиометрические оксиды обоих распыляемых металлов являются диоксидами,
соотношения количества вещества оксидов и их металлов тождественно равны:
νTiO2νTiν1
==. В случае отличия валентностей исходных металлов и
νZrO2νZrν2

стехиометрий их оксидов (например, для диоксида титана и окиси алюминия)
следует ввести коэффициент, уравнивающий количество атомов металлов в
получаемых оксидах.
Записав массу как произведение количества вещества, молярной массы и
постоянной Авогадро в уравнении (3) и выполнив возможные сокращения,
получаем
d1ν1 M1 ρ2
=.(4)
d2ν2 M2 ρ1

Mi и ρi – табличные данные, ν1 ⁄ν2 определяется условиями задачи: в
эксперименте планировалось получение составов Ti0,9Zr0,1O2 (I), Ti0,8Zr0,2O2 (II)
и Ti0,7Zr0,3O2 (III). Требуемые для этого отношения скоростей осаждения (и
dTiO2dTiO2dTiO2
толщин на датчиках) составили= 7,515,= 3,409 и= 1,98
dZrO2dZrO2dZrO2
IIIIII

соответственно.
Полученные плёнки исследовались на рентгеновском фотоэлектронном
спектрометре Thermo Fisher Scientific K-ALPHA. Результаты представлены в
таблице 2.

Таблица 2. Результаты исследования составов плёнок.
Образец123
νTi
расчетное90/1080/2070/30
νZr
∆νTi
расчетное2,75/2,622,68/2,452,65/2,34
∆νZr
νTi
измеренное84,07/15,9379,89/20,1175,51/24,49
νZr

В третьей главе приводятся результаты исследований полученных
пленок смешанных оксидов переходных металлов. Проведено исследование
морфологии пленок оксида титана в зависимости от доли примесного оксида
алюминия. С помощью оптической спектроскопии получено подтверждение
существования вакансий кислорода в пленке TixAl1-xOy. Посредством атомно-
силовой микроскопии, вторично-ионной масс-спектрометрии и рентгеновской
фотоэлектроннойспектрометриипоказаныпреимущества (гомогенность,
однородность состава по толщине) плёнок смешанных оксидов, полученных
магнетронным методом.
Методом атомно-силовой микроскопии (АСМ) проведено исследование
поверхности пленок смешанных оксидов с разным содержанием алюминия и
титана (рисунок 3).

Рисунок 3. Морфология поверхности пленок смешанных оксидов с разной
концентрацией примеси.
Плёнки с содержанием алюминия в 30% ат. не демонстрируют
гомогенную структуру (рисунок 3 а). С уменьшением концентрации алюминия
до 15% ат. гомогенность ухудшается при толщине пленок от 5 нм до 25 нм
(рисунок 3 б). При уменьшении толщины пленки Ti0,85Al0,15Ox до 5 нм плёнка
достаточно гомогенна (рисунок 3 в). Поверхность характеризуется высокой
гладкостью и однородностью, составлена из плотно упакованных зёрен
размерами 30-50 нм в поперечнике. При уменьшении концентрации алюминия
до 8% ат. размер зёрен незначительно снижается (рисунок 3 г).
Внесение примесей в оксиды металлов реорганизует их кристаллическую
решетку и приводит к смещению энергий дефектных состояний или к
появлению новых. Поэтому целесообразно в первую очередь исследовать ИК и
видимые спектры поглощения/пропускания новых материалов на предмет
появления новых пиков поглощения. Были исследованы четыре состава плёнок
смешанных оксидов: два TixAl1-xOy и два TixCu1-xOy.
Одинизобразцовспримесьюалюминияпродемонстрировал
выраженный пик поглощения в ИК диапазоне (при длине волны ~2,2 мкм;
поглощенная энергия ~0,56 эВ) и слабый пик поглощения на границе УФ и
видимого диапазона (на длине волны ~400 нм; поглощенная энергия ~3,1 эВ)
(рисунок 4). В спектрах образцов TixCu1-xOy такие пики отсутствуют. Пики
поглощения в исследованных диапазонах указывают на наличие кислородных
вакансий с соответствующими энергиями активации.

Рисунок 4. Оптические спектры поглощения образца тонкой плёнки TixAlx-1Oy.
Анализ распределения элементов по толщине тонкой пленки смешанных
оксидов металлов проводился в модуле фокусированных ионных пучков (ФИП)
НТК «НаноФАБ-100» с помощью послойного стравливания пучком ионов
галлия с энергией 30 кэВ и системы вторично-ионной масс-спектрометрии
(ВИМС).
На рисунке 5 показаны отношения концентрации атомов алюминия к
концентрации атомов титана, а также концентрации атомов кремния к
концентрации атомов титана. Отношение концентрации атомов титана к
концентрации атомов алюминия по толщине пленки изменялось от 7,44 до 6,36,
что соответствует средней концентрации алюминия в 14,3% ат.

Рисунок 5. Профили ВИМС плёнки смешанных оксидов титана с 14,3%
содержания алюминия: а) – сводный график профилей концентрации металлов
и кремния из подложки, б) – график профиля отношения концентраций
алюминия к титану.

В другом эксперименте тестировалась расчетная модель зависимости
состава смешанных оксидов от скорости осаждения плёнок на независимые
датчикитолщиныприодновременномреактивномраспылениидвух
металлическихмишеней.Былиполученыобразцытонкихплёнокс
прогнозируемой стехиометрией: 1) Ti0,9Zr0,1O2, 2) Ti0,8Zr0,2O2 и 3) Ti0,7Zr0,3O2 (см.
таблицу2).Полученныеплёнкиисследовалисьспомощьюметода
рентгеновской фотоэлектронной спектрометрии (рисунок 6).

Рисунок 6. Профиль концентраций атомов металлов по толщине плёнки:
красный цвет – образец 1, зеленый – образец 2, синий – образец 3. Сплошной
линией показано содержание титана, а штрихованной – примеси).

Четвертая глава посвящена электрическим измерениям изготовленных
мемристоров. Измерены электрические характеристики мемристоров на основе
смешанных оксидов титана и алюминия различного состава. Обнаружено
влияние изменения количества примеси в составе плёнки мемристора на её
электрические характеристики. Обнаружено оптимальное значение количества
примеси алюминия в оксиде титана вблизи 7% ат. При этом значении получено
максимальное отношение сопротивлений в выключенном и включенном
состояниях Roff/Ron. Отмечены особые биоподобные свойства мемристора [78,
79], полезные при разработке нейроморфных вычислительных систем.
Была изготовлена партия из четырех чипов с мемристорами разных
составов.Мемристорыизготовленыпотехнологиикросс-барпутем
последовательного осаждения функциональных слоёв через маски. Нижний
электрод состоит из 5 нм адгезивного подслоя Ti и 30 нм слоя W. Активный
слой – 30 нм TiO2, Ti0,93Al0,07Ox, Ti0,9Al0,1Ox и Ti0,85Al0,15Ox соответственно, в
четырех экспериментах. Верхний электрод – 95 нм TiN. Ширина проводящих
дорожек в месте пересечения составляет 1 мкм, соответственно площадь
мемристоров – 1 мкм2. Типичная топология чипов представлена на рисунке 7.

Рисунок 7. Микрофотография топологии активной зоны готового чипа с пятью
мемристорами.

На рисунке 8 для сравнения приведены вольтамперные характеристики
мемристоров на основе трех составов в одном масштабе. Красным цветом
показана вольтамперная характеристика мемристорного устройства на основе
слоя из диоксида титана. Отношение сопротивлений в высокоомном Roff и
низкоомном Ron состояниях при напряжении считывания 0,2 В имеет величину
Roff /Ron ≈ 1,3. Зеленым цветом на рисунке 8 показана вольтамперная
характеристика мемристора с активным слоем Ti0,93Al0,07Ox. Внесение примеси
Al в TiO2 на уровне 7 ат.% увеличивает Roff /Ron с 1,3 до 7,2. Дальнейшее
увеличение доли примеси Al не приводит к росту отношения Roff /Ron.
Максимальное отношение сопротивлений Roff /Ron в мемристоре с активным
слоем Ti0,9Al0,1Ox при напряжении считывания 0,2 В равно 3,78 и с активным
слоем Ti0,85Al0,15Ox соответственно 2,41.

Рисунок 8. а) вольтамперные характеристики мемристоров на основе слоя из
оксида титана: красным цветом – в чистом оксиде титана; зеленым – при 7 ат.%
примеси Al; синим – при 10 ат.% примеси Al; б) Зависимость отношения
сопротивлений Roff /Ron при напряжении считывания 0,2 В от доли примеси Al.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На основании проведенной работы сделаны следующие выводы:
1.С помощью метода реактивного магнетронного распыления
полученыплёнкисмешанныхоксидовметаллов,обладающиеболее
равномернымраспределениемэлементовпотолщине(σ/μ(конц.Ti)=
(0,549…2,918%); σ/μ(конц.Zr) = (5,644…7,591%)) по сравнению с плёнками,
полученными методом атомно-слоевого осаждения (σ/μ(конц.Ti) = 38,19%;
σ/μ(конц.Al)=19,00%),чтополезнодляувеличенияоднородности
электрического поля по толщине мемристора и повышения стабильности его
электрических характеристик. Метод магнетронного распыления является более
перспективным для промышленного изготовления мемристоров, в то время
более гибкий метод АСО предпочтителен для изготовления мемристоров в
лабораторных условиях.
2.Найден устойчивый режим осаждения пленки стехиометрического
диоксида титана и нестехиометрического соединения оксида титана при малом
окислительном факторе в магнетронной системе в условиях малого расхода
плазмообразующего и реактивного газов. При больших расходах кислорода (от
1,08·10-8 м3/с) и окислительном факторе более 0,5 наблюдается гистерезис
зависимостей скорости распыления и напряжения разряда от расхода
кислорода, что не позволяет контролировать состав плёнки в условиях, когда он
приближается к стехиометрическому.
3.Разработан метод контроля количества примеси в осаждаемой
плёнке смешанных оксидов металлов при одновременном реактивном
распылении двух металлических мишеней в атмосфере кислорода. Показано,
как отношение скоростей осаждения каждого оксида, измеряемых с помощью
акустическихдатчиков,связаносотношениемдолейконцентрации
соответствующих металлов. Точность метода проверена при помощи РФЭС-
исследований получившихся плёнок.
4.Представлена магнетронная технология изготовления мемристора в
одном технологическом модуле, состоящая из осаждения проводящих дорожек
иактивногослоясмешанныхоксидовметалловприодновременном
распылениидвухмишеней.Онапозволяетупроститьсуществующий
технологический цикл производства, в котором активный слой мемристора
изготавливается методом атомно-слоевого осаждения, а проводники – методом
магнетронного распыления.
5.Определеныэлектрическиехарактеристикиизготовленных
мемристоров на основе смешанных оксидов металлов. Показана зависимость
этих характеристик от количества примесного оксида.
6.Показано, что добавление примесного оксида алюминия в оксид
титана увеличивает отношение сопротивлений мемристора в выключенном и
включенном состояниях. При доле примеси Al в пленке смешанных оксидов
TixAl1-xOy на уровне 7 ат. % наблюдается максимальное отношение
сопротивлений в выключенном и включенном состояниях мемристора.
Отношение сопротивлений увеличивается с уровня 1,3 в чистом диоксиде
титана до 7,2 при введении примеси.
7.Определеныэлектрическиехарактеристикиполученных
мемристоров мемристоров TiN/Ti0.86Al0.14Ox/TiN, подобные свойствам живого
синапса: существование аналога кратковременной и долговременной памяти,
совпадение вольтамперной характеристики мемристора с активационной
функцией искусственного нейрона. Это позволит использовать мемристор не
только в качестве синапсов, но и как суммирующий элемент искусственных
нейронов.

БЛАГОДАРНОСТИ
Автор выражает благодарность научному руководителю – доктору
физико-математических наук Удовиченко Сергею Юрьевичу за безграничное
терпение,поддержкуимотивацию,атакжеколлегамизНОЦ
«Нанотехнологии» ТюмГУ за помощь в проведении исследований и анализе
полученных результатов.

В наши дни человечество накопило колоссальный объем информации, для
обработки которой требуются не менее колоссальные вычислительные мощности.
С каждым годом темпы накопления и обработки информации увеличиваются. Но
современная микроэлектроника неумолимо приближается к своим
фундаментальным максимумам.
Во всем мире активно разрабатывается вопрос повышения
энергоэффективности и скорости вычислительной техники. Работы ведутся по
трём путям: первый — применение современных наноматериалов (нанотрубки,
графен и т.д.) в традиционных электронных компонентах; второй — внедрение
квантовых компьютеров; третий — поиск новых электронных компонентов,
совместимых с кремниевой технологией, в особенности компонентов для
компьютерной памяти. Так, в данный момент идут работы над компонентами
новых архитектур памяти, например, таких как: RRAM (resistive random access
memory), в основе которой лежит мемристор, двухполюсник с гистерезисом в
вольт-амперной характеристике (ВАХ); PCRAM (phase change random access
memory), в основе которой лежит двухполюсник, сопротивление которого зависит
от фазового состояния активного вещества (кристаллическое или аморфное);
MRAM (magnetoresistive random access memory), в основе которого
квантовомеханический эффект гигантского магнетосопротивления,
проявляющийся в многослойных металлических структурах. Все перечисленные
архитектуры обладают энергонезависимостью хранения информации и
скоростью, сопоставимой с современными энергозависимыми архитектурами.
Мемристор (от англ. memory — память и resistor — сопротивление) –
«потерянный» четвертый нелинейный пассивный элемент электроники,
способный менять свое сопротивление в зависимости от протекшего через него
заряда и сохранять его в полученном состоянии. Концепт мемристора был
предложен Леоном Чуа в 1971 г. [1], как элемент, устанавливающий соотношение
между прошедшим зарядом и изменением магнитного потока. Однако, позже
автор расширил определение на любые двухполюсники, способные изменять свое
сопротивление и энергонезависимо сохранять состояние.
Способность мемристора сохранять состояние без потребления энергии
позволяет использовать его, как основу для перспективных энергонезависимых
устройств памяти высокой плотности. Также, исходя из характеристик
мемристора, сходных с характеристиками синапса мозга, компьютер на основе

На основании проведенной работы сделаны следующие выводы:
1. С помощью метода реактивного магнетронного распыления получены
плёнки смешанных оксидов металлов, обладающие более равномерным
распределением элементов по толщине (σ/μ(конц.Ti) = (0,549…2,918%);
σ/μ(конц.Zr) = (5,644…7,591%)) по сравнению с плёнками, полученными методом
атомно-слоевого осаждения (σ/μ(конц.Ti) = 38,19%; σ/μ(конц.Al) = 19,00%), что
полезно для увеличения однородности электрического поля по толщине
мемристора и повышения стабильности его электрических характеристик. Метод
магнетронного распыления является более перспективным для промышленного
изготовления мемристоров, в то время более гибкий метод АСО предпочтителен
для изготовления мемристоров в лабораторных условиях.
2. Найден устойчивый режим осаждения пленки стехиометрического
диоксида титана и нестехиометрического соединения оксида титана при малом
окислительном факторе в магнетронной системе в условиях малого расхода
плазмообразующего и реактивного газов. При больших расходах кислорода (от
1,08·10-8 м3/с) и окислительном факторе более 0,5 наблюдается гистерезис
зависимостей скорости распыления и напряжения разряда от расхода кислорода,
что не позволяет контролировать состав плёнки в условиях, когда он
приближается к стехиометрическому.
3. Разработан метод контроля количества примеси в осаждаемой плёнке
смешанных оксидов металлов при одновременном реактивном распылении двух
металлических мишеней в атмосфере кислорода. Показано, как отношение
скоростей осаждения каждого оксида, измеряемых с помощью акустических
датчиков, связано с отношением долей концентрации соответствующих металлов.
Точность метода проверена при помощи РФЭС-исследований получившихся
плёнок.
4. Представлена магнетронная технология изготовления мемристора в
одном технологическом модуле, состоящая из осаждения проводящих дорожек и
активного слоя смешанных оксидов металлов при одновременном распылении
двух мишеней. Она позволяет упростить существующий технологический цикл
производства, в котором активный слой мемристора изготавливается методом
атомно-слоевого осаждения, а проводники – методом магнетронного распыления.
5. Определены электрические характеристики изготовленных
мемристоров на основе смешанных оксидов металлов. Показана зависимость этих
характеристик от количества примесного оксида.
6. Показано, что добавление примесного оксида алюминия в оксид
титана увеличивает отношение сопротивлений мемристора в выключенном и
включенном состояниях. При доле примеси Al в пленке смешанных оксидов
TixAl1-xOy на уровне 7 ат. % наблюдается максимальное отношение сопротивлений
в выключенном и включенном состояниях мемристора. Отношение
сопротивлений увеличивается с уровня 1,3 в чистом диоксиде титана до 7,2 при
введении примеси.
7. Определены электрические характеристики полученных мемристоров
мемристоров TiN/Ti0.86Al0.14Ox/TiN, подобные свойствам живого синапса:
существование аналога кратковременной и долговременной памяти, совпадение
вольтамперной характеристики мемристора с активационной функцией
искусственного нейрона. Это позволит использовать мемристор не только в
качестве синапсов, но и как суммирующий элемент искусственных нейронов.

1.Chua, L.O. Memristor—missing circuit element // IEEE Transactions:
Circuit Theory. – 1971. – №18, pp. 507–519.
2.Chevallier, C.J., Siau, C.H., Lim, S.F., Namala, S.R. et.al. A 0.13 μm 64Mb
multi-layered conductive metal-oxide memory. // IEEE International Solid-state circuits
conference. – 2010. – pp. 260-261.
3.Waser, R., Aono, M. Nanoionics-based resistive switching memories //
Nature Materials. – 2007. – Vol. 6. №11, pp. 833-840.
4.Zidan, M. A., Strachan, J. P. & Lu, W. D. The future of electronics based
on memristive systems // Nature Electronics. – 2018. – Vol. 1 №1, pp. 22-29.
5.Prezioso, M., Merrikh-Bayat, F., Hoskins, B. D., Adam, G. C., Likharev,
K. K., Strukov, D. B. Training and operation of an integrated neuromorphic network
based on metal-oxide memristors // Nature. – 2015. – Vol. 521. pp. 61-64.
6.Lee, J.S., Lee, S., Noh, T.W. Resistive switching phenomena: A review of
statistical physics approaches // Applied Physics Reviews. – 2015. – Vol. 2. №3,
031303.
7.Yang, J.J., Strukov, D.B., Stewart, D.R. Memristive devices for computing
// Nature Nanotechnology. – 2013 – Vol.8. pp. 13-24.
8.Hasegawa, T., Terabe, K., Tsuruoka, T. & Aono, M. Atomic switch:
Atom/ion movement controlled devices for beyond von-Neumann computers //
Advanced Materials. – 2012. – Vol. 24. pp. 252–267.
9.Jo, S. H., Kim, K. H. & Lu, W. Programmable resistance switching in
nanoscale two-terminal devices // Nano Letters. – 2009. – Vol. 9, pp. 496–500.
10.Lu, W., Jeong, D. S., Kozicki, M. & Waser, R. Electrochemical
metallization cells – blending nanoionics into nanoelectronics? // Materials Research
Society Bulletin. – 2012. – Vol. 37. pp. 124–130.
11.Do, Y.H., Kwak, J.S., Bae, Y.C., Lee, J.H., Kim, Y., Im, H., Hong, J.P.
TiN electrode-induced bipolar resistive switching of TiO2 thin films // Current Applied
Physics. – 2010. – Vol. 10. №1, pp. e71–e74.
12.Yao, J., Zhong, L., Natelson, D. & Tour, J. M. Silicon oxide: A non-
innocent surface for molecular electronics and nanoelectronics studies // Journal of
American Chemical Society. – 2011. – Vol. 133. pp. 941–948.
13.Gomez-Marlasca, F., Ghenzi, N., Rozenberg, M. J. & Levy, P.
Understanding electroforming in bipolar resistive switching oxides // Applied Physics
Letters. – 2011. – Vol. 98. №4, 042901.
14.Kwon, D.H., Kim, K.M., Jang, J.H. et al. Atomic structure of conducting
nanofilaments in TiO2 resistive switching memory // Nature Nanotechnology. – 2010. –
Vol. 5. №2, pp. 148–153.
15.Yang, J.J., Picket, M.D., Li, X. et al. Memristive switching mechanism for
metal/oxide/metal nanodevices // Nature Nanotechnology – 2008. – Vol. 3. №7, pp.
429–433.
16.Yang, J. J., Miao, F., Picket, M.D. et al. The mechanism of electroforming
of metal oxide memristive switches // Nanotechnology. – 2009. – Vol. 20. №21,
215201.
17.Wong, H.S.P., Lee, H.Y., Yu, S. et al. Metal-oxide RRAM // Proceedings
of the IEEE. – 2012. – Vol. 100. №6, pp. 1951–1970.
18.Li, Y., Wang, Zh., Midya, R. et al., Review of memristor devices in
neuromorphic computing: materials sciences and device challenges // Journal of Physics
D: Applied Physics. – 2018. – Vol. 51. №50, 503002.
19.Etienne Sicard. Introducing 10-nm FinFET technology in Microwind
[Электронный ресурс] / Etienne Sicard // Archive ouverte HAL. – 2017. – Режим
доступа: https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01551695
20.Strukov, D. B., Snider, G. S., Stewart, D. R. & Williams, R. S. The missing
memristor found // Nature. – 2008. – Vol. 453. №7191, pp 80–83.
21.Chiu, Fu-Chien. Resistance Switching Characteristics in ZnO-Based
Nonvolatile Memory Devices // Advances in Materials Science and Engineering. –
2013. – Vol. 2013. 362053.
22.Awais, M.N., Muhammad, N.M., Navaneethan, D., Kim, H.C., Jo, J., Choi,
K.H. Fabrication of ZrO2 layer through electrohydrodynamic atomization for the printed
resistive switch (memristor) // Microelectronic Engineering. – 2013. – Vol. 103. pp.
167–172.
23.Govoreanu, B., Kar, G.S., Chen, Y. et al. 10×10nm2 Hf/HfOx crossbar
resistive RAM with excellent performance, reliability and low-energy operation // 2011
IEEE International Electron Devices Meeting. – 2011. pp. 31.6.1-31.6.4.
24.Wei, Z., Kanazawa, Y., Arita, K. et al. Highly reliable TaOx ReRAM and
direct evidence of redox reaction mechanism // 2008 IEEE International Electron
Devices Meeting. – 2008, pp. 4796676.
25.Debanjan, J., Mrinmoy, D., Subhranu, S., Siddheswar, M. RRAM
characteristics using a new Cr/GdOx/TiN structure // Nanoscale Research Letters. –
2014. – Vol. 9. №1, 680.
26.Xia, Q., Yang, J.J., Wu, W. et al. Self-Aligned Memristor Cross-Point
Arrays Fabricated with One Nanoimprint Lithography Step // Nano Letters. – 2010. –
Vol. 10. pp. 2909-2914.
27.Yang, Y., Sheridan, P., Lu, W. Complementary resistive switching in
tantalum oxide-based resistive memory devices // Applied Physics Letters. – 2012. –
Vol.100. 203112.
28.Fleck, K., Böttger, U., Waser, R., Menzel, S. Interrelation of Sweep and
Pulse Analysis of the SET Process in SrTiO3 Resistive Switching Memories // IEEE
Electron Device Letters. – 2014. – Vol. 35. №9, pp. 924-926.
29.Jou, S., Hwang, B.-R., Li,C.-J. Resistance Switching Properties in Cu/Cu-
SiO2/TaN Device // Proceedings of The World Congress on Engineering 2011. – 2011.
– Vol. 2. pp. 1496-1499.
30.Pincella, F., Camorani, P. & Erokhin, V. Electrical properties of an organic
memristive system // Applied Physics A. – 2011. – Vol. 104. №4, pp. 1039-1046.
31.Yan, Y., Yang, C.P., Bärner, K., Marchenkov, V.V., Zeng, Y. Resistance
switching properties of Cu2S film by electrochemical deposition // Applied Surface
Science. – 2016. – Vol. 360. pp. 875-879.
32.Peng C.-S., Chang W.-Y., Lee Y.-H., Lin M.-H., Chen F., Tsai M.-J.
Improvement of Resistive Switching Stability of HfO2 Films with Al Doping by
Atomic Layer Deposition // Electrochemical and Solid-State Letters. – 2012. – Vol. 15.
№4, pp. H88-H90.
33.Alekhin A.P., Chouprik A.A., Gudkova S.A., Markeev A.M. et al.
Structural and electrical properties of TixAl1−xOy thin films grown by atomic layer
deposition // Journal of Vacuum Science & Technology B. – 2011. – Vol. 29. №1,
01A302.
34.Mikhaylov, A.N., Gryaznov, E.G., Belov, A.I., Korolev, D.S., et al. Field-
and irradiation-induced phenomena in memristive nanomaterials // Physica Status Solidi
C. – 2016. – Vol. 13. №10-12, pp. 870–881.
35.Zhang, H., Gao, B., Yu, S., Lai, L., Zeng, L., Sun, B.et al. Effects of Ionic
Doping on the Behaviors of Oxygen Vacancies in HfO2 and ZrO2: A First Principles
Study // 2009 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and
Devices. – 2009. 5290225.
36.Lee, H.Y., Chen, P.S., Wu, T.Y. et al. Low power and high speed bipolar
switching with a thin reactive Ti buffer layer in robust HfO2 based RRAM // 2008 IEEE
International Electron Devices Meeting. – 2008. 4796677.
37.Kwak, J. S., Do, Y. H., Bae, Y. C., et al. Roles of interfacial TiO xN1−x layer
and TiN electrode on bipolar resistive switching in TiN/TiO2/TiN frameworks //
Applied Physics Letters. – 2010. Vol. 96. №22, 223502.
38.Гусев А. И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. — М.:
Физматлит, 2007. — 416 с.
39.Peng, Q., Sun, X.-Y., Spagnola, J. C., Hyde, G. K., Spontak, R. J., &
Parsons, G. N. Atomic Layer Deposition on Electrospun Polymer Fibers as a Direct
Route to Al2O3 Microtubes with Precise Wall Thickness Control // Nano Letters. –
2007. – Vol. 7. №3, pp. 719–722.
40.ГудковаС.А.Исследованиеструктурыисвойствдвухи
трехкомпонентных оксидов TixAl1-xOy, сформированных методом атомарно-
слоевого осаждения: диссертация кандидата физико-математических наук:
01.04.07 / Гудкова Светлана Александровна. — Долгопрудный, 2011, 137 с.
41.Mane, A. U., Elam, J. W. Atomic Layer Deposition of W:Al 2O3
Nanocomposite Films with Tunable Resistivity // Chemical Vapor Deposition. – 2013.
– Vol. 19, №4–6 Special Issue: Functional Materials by Atomic Layer Deposition, pp.
186–193.
42.Díaz, B., Härkönen, E., S´wiatowska, J., et al. Corrosion properties of steel
protected by nanometre-thick oxide coatings // Corrosion Science – 2014. – Vol. 82, pp.
208-217.
43.Данилин, Б.С., Сырчин, В.К. Магнетронные распылительные системы:
монография / Б.С. Данилин, В.К. Сырчин. – М.: Радио и связь; 1982. – 72 с.
44.Алехин А.П., Батурин А.С., Григал И. П., Гудкова С.А. и др.
Мемристор на основе смешанного оксида металлов // Патент РФ №2472254.
Патентообладатель МФТИ, опубл. 10.01.2013.
45.ВасильевВ.А.,ХошевА.В.Условиеполученияоднородных
наноразмерных резистивных плёнок Ni-Ti методом магнетронного распыления из
двухисточников//ИзвестияТомскогополитехническогоуниверситета.
Математика и механика. Физика. – 2014. – Т. 325. №2, с. 173–179.
46.Boyadzhiev, S., Georgieva, V., & Rassovska, M. Characterization of
reactive sputtered TiO2 thin films for gas sensor applications // Journal of Physics:
Conference Series. – 2010. – Vol. 253. 012040.
47.Liu, T., Yan, T.H., Scheuerlein, R., Chen, Y., Lee, J.K., et al. A 130.7-mm2
2-Layer 32-Gb ReRAM Memory Device in 24-nm Technology // IEEE Journal of
Solid-State Circuits. – 2014. – Vol. 49. №1, pp 140-153.
48.Adam, G.C., Hoskins, B.D., Prezioso, M., Strukov D.B. Optimized stateful
material implication logic for 3D data manipulation // Nano Research. – 2016. – Vol.9.
№12, pp. 3914–3923.
49.Demin V.A., Erokhin, V.V., Emelyanov, A.V., et al. Hardware elementary
perceptron based on polyanilin memristive devices // Organic Electronics. – 2015. –
Vol. 25. pp. 16-20.
50.Seo, S., Lee, M. J., Seo, D.H., Jeoung, E.J., et al. Reproducible resistance
switching in polycrystalline NiO films // Applied Physics Letters. – 2004. – Vol. 85.
№23, pp. 5655–5657.
51.Fujimoto, M., Koyama, H., Hosoi, Y., Ishihara, K., & Kobayashi, S. High-
Speed Resistive Switching of TiO2/TiN Nano-Crystalline Thin Film // Japanese Journal
of Applied Physics. – 2006. – Vol. 45. №11, pp. L310–L312.
52.Park, I.-S., Kim, K.-R., Lee, S., & Ahn, J. Resistance Switching
Characteristics for Nonvolatile Memory Operation of Binary Metal Oxides // Japanese
Journal of Applied Physics. – 2007. – Vol. 46. №4B, pp. 2172–2174.
53.Zidan, M.A., Fahmy, H.A.H., Hussain, M.M., Salama, Kh.N. Memristor-
based memory: The sneak paths problem and solutions // Microelectronics Journal. –
2013. – Vol. 44. №2, pp. 176–183.
54.Tizno, O., Marshall, A.R.J., Fernández-Delgado, N., Herrera, M., Molina,
S.I., Hayne, M. Room-temperature Operation of Low-voltage, Non-volatile,
Compound-semiconductor Memory Cells // Scientific Reports. – 2019. – Vol. 9. №1,
8950.
55.Bobylev A.N., Busygin A.N., Pisarev A.D., Udovichenko S.Yu., Filippov
V.A. Neuromorphic coprocessor prototype based on mixed metal oxide memristors //
International journal of nanotechnology. – 2017. – Vol. 14. №7/8, pp. 698-704.
56.Удовиченко, С.Ю., Маевский, О.В., Писарев, А.Д., Бусыгин, А.Н.,
Комплементарная мемристорно-диодная ячейка для запоминающей матрицы
нейроморфногопроцессора.//СборниктезисовVIIIконференции
Нанотехнологического общества России. – 2017. – c. 37-40.
57.Удовиченко, С.Ю., Писарев, А.Д., Бусыгин, А.Н., А.Н. Бобылев, А.Н.
Высокая интеграция элементов в логической и запоминающей матрицах
нейропроцессора с помощью комбинированного мемристорно – диодного
кроссбара // Сборник тезисов IX конференции Нанотехнологического общества
России. – 2018. – с. 6-7.
58.Udovichenko, S.Yu., Pisarev, A.D., Busygin, A.N., Bobylev, A.N. Memory
and universal logic matrixes for neuroprocessor // First International Workshop on
Nanoelectronic Memristive Devices for Quantum and Neuromorphic Computing
(MEM-Q) Book of abstracts. – 2018. – p. 19.
59.Pisarev A.D., Busygin A.N., Udovichenko S.Yu., Maevsky O.V. A
biomorphic neuroprocessor based on a composite memristor-diode crossbar //
Microelectronics Journal. 2020. V. 102. Article 104827.
60.Pisarev A., Busygin A., Bobylev A., Gubin A., Udovichenko S. Fabrication
technology and electrophysical properties of a composite memristor-diode crossbar used
as a basis for hardware implementation of a biomorphic neuroprocessor //
Microelectronic Engineering. 2021. V. 236. Article 111471
61.Gao, L., Hoskins, B., Strukov, D. Correlation between diode polarization
and resistive switching polarity in Pt/TiO2/Pt memristive device // Physica Status Solidi
Rapid Research Letters. – 2016. – Vol. 10. №5, pp. 426-430.
62.Hadiyawarman, F. Budiman, D.G.O. Hernowo, et al., Recent progress on
fabrication of memristor and transistor-based neuromorphic devices for high signal
processing speed with low power consumption, Japanese Journal of Applied Physics. 52
(3S2) (2018) 03EA06.
63.Y. Matveyev, R. Kirtaev, A. Fetisova, et al., Crossbar Nanoscale HfO2-
Based Electronic Synapses, Nanoscale Research Letters. 11 (2016) 147.
64.V.S. Klimin, R.V. Tominov, V.I. Avilov, et al., Nanoscale profiling and
memristor effect of ZnO thin films for RRAM and neuromorphic devices application,
Proc. SPIE 11022, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018.
11022. (2019) 110220E.
65.H. Zhang, B. Gao, B. Sun, et al., Ionic doping effect in ZrO2 resistive
switching memory, Applied Physics Letters. 96 (2010) 123502.
66.A.N. Bobylev, S.Yu. Udovichenko, Electrical Properties of a TiN /
TixAl1–xOy / TiN Memristor Device Manufactured by Magnetron Sputtering, Russian
Microelectronics. 45 (6) (2016) 396-401.
67.Udovichenko, S.Y., Bobylev, A.N., Belotserkovtseva, D.A., Shpindyuk,
D.D. Obtaining of non-stoichiometric titanium oxide using reactive magnetron
sputtering // Journal of Physics: Conference Series. – 2018. – Vol. 387. 012080.
68.Удовиченко, С.Ю., Бобылев, А.Н., Белоцерковцева, Д.А., Шпиндюк,
Д.Д.Получениепленкинестехиометрическогооксидатитанаметодом
реактивного магнетронного распыления // Вакуумная техника и технологии.
Труды 25-й Всероссийской научно-технической конференции с международным
участием. – 2018. – с. 53-56.
69.Журавский Д В, Мисиюк К В, Удовиченко С Ю и др. Разработка
излучающей многослойной структуры на основе нанослоёв нитрида кремния с
избыточным содержанием кремния и азота // Вакуумная техника и технология. –
2014. – Т. 23. №1, с. 65-66.
70.Bobylev, A.N. and Udovichenko, S.Yu. The electrical properties of
memristor devices TiN/TixAl1-xOy/TiN produced by magnetron sputtering // Russian
Microelectronics. – 2016. – Vol. 45. №6, pp. 396-401.
71.Berg, S., Larsson, T., Nender, C., Blom, H.O. Predicting thin-film
stoichiometry in reactive sputtering // Journal of Applied Physics. – 1988. – Vol. 63.
№3, pp. 887–891.
72.Hoskins, B.D., Strukov, D.B. Maximizing stoichiometry control in reactive
sputter deposition of TiO2 // Journal of Vacuum Science and Technology A. – 2017. –
Vol. 35. №2, 020606.
73.Бобылев, А.Н., Удовиченко, С.Ю., Бусыгин, А.Н., Ибрагим, А.Х.
Увеличение диапазона резистивного переключения мемристора для реализации
большего числа синаптических связей в нейропроцессоре // Вестник Тюменского
государственного университета. Физико-математическое моделирование. Нефть,
газ, энергетика. – 2019. – №2. c. 140-152.
74.Warren, A., Nylund, A., Olefjord, I. Oxidation of tungsten and tungsten
carbide in dry and humid atmospheres // International Journal of Refractory Metals and
Hard Materials. – 1996. – Vol. 14. №5–6, pp. 345-353.
75.Самсонов, Г.В. Нитриды: монография / Г.В. Самсонов. – Киев:
Наукова думка, 1969. – 380 с.
76.Фоменко, В.С. Эмиссионные свойства элементов и их химических
соединений: справочник / В.С. Фоменко – Киев: Наукова думка, 1981. – 340 с.
77.MicroChem. NANO PMMA and Copolymer Datasheet [Электронный
ресурс]/MicroChemCorp.–режимдоступа:https://kayakuam.com/wp-
content/uploads/2019/09/PMMA_Data_Sheet.pdf
78.Журавский, Д.В., Бобылев, А.Н., Удовиченко, С.Ю., Филиппов, В.А.
Установление подобия свойств синапса и мемристора, используемого в
электронном устройстве // Нейрокомпьютеры: разработка и применение. – 2015. –
№11, c. 95-101.
79.Бобылев,А.Н.,Удовиченко,С.Ю.Созданиеэлектронного
запоминающего устройства, подобного по свойствам синапсу мозга // Доклады
Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники.
– 2015. – Т. 38. №4, c. 68-71.
80.Журавский, Д.В., Бобылев, А.Н., Кузьменко, А.Ю., Удовиченко, С.Ю.
Исследованиеструктурыиэлектрическихсвойствсверхтонкойпленки
смешанного оксида металлов, предназначенной для электронного запоминающего
устройства // Труды 12 Международной конференции «Пленки и покрытия». С.-
Петербург. – 2015. – с.106-108.
81.Cronemeyer, D.C. Infrared Absorption of Reduced Rutile TiO2 Single
Crystals // Physical Review. – 1959. – Vol. 113. №5, pp. 1222–1226.
82.Mattioli, G., Filippone, F., Alippi, P., Bonapasta, A. Ab initio study of the
electronic states induced by oxygen vacancies in rutile and anatase TiO 2 // Physical
Review B. – 2008. – Vol. 78. 241201.
83.Бобылев, А.Н., Удовиченко, С.Ю., Бусыгин, А.Н., Ибрагим, А.Х.
Электрические свойства мемристорного устройства на основе смешанного оксида
металлов//Микро-инанотехнологиивэлектронике.МатериалыXI
Международной научно-технической конференции. – 2019. – с. 149-153.
84.Bobylev A.N., Udovichenko S.Y., Busygin A.N., Ebrahim A.H. The Effect
of Aluminum Dopant Amount in Titania Film on the Memristor Electrical Properties //
Nano Hybrids and Composites. 2020. V. 28. Pp. 59-64.
85.Миркес Е.Н. Нейрокомпьютер. Проект стандарта: монография / Е.Н.
Миркес – Новосибирск: Наука, Сибирская издательская фирма РАН. 1998. – 189 с.
86.Chang, T., Jo, S.-H., Lu, W. Short-term memory to long-term memory
transition in a nanoscale memristor // ACS Nano. – 2011. – Vol. 5. №9, pp. 7669–7676.
87.Jo, S.-H., Chang, T., Ebong, I., Bhadviya, B.B., Mazumder, P., Lu, W.
Nanoscale memristor device as synapse in neuromorphic systems // Nano Letters. –
2010. – Vol. 10. №4, pp. 1297–1301.

Заказать новую

Лучшие эксперты сервиса ждут твоего задания

от 5 000 ₽

Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям

    Нажимая на кнопку, я соглашаюсь на обработку персональных данных и с правилами пользования Платформой

    Читать

    Читать «Магнетронная технология изготовления и электрические свойства мемристора на основе смешанных оксидов металлов»

    Публикации автора в научных журналах

    А. Н. Бобылев, С. Ю.Удовиченко // Доклады Томского государственного университета системуправления и радиоэлектроники. – 2– № 4 (38). – С. 68
    Установление подобия свойств синапса и мемристора, используемого в электронном устройстве
    Д. В. Журавский, А. Н.Бобылев, С. Ю. Удовиченко, В. А. Филиппов // Нейрокомпьютеры:разработка и применение. – 2– №– С. 95
    Увеличение диапазона резистивного переключения мемристора для реализации большего числа синаптических связей в нейропроцессоре
    А. Н. Бобылев, С. Ю. Удовиченко, А. Н. Бусыгин,А. Х. Ибрагим // Вестник ТюмГУ. Физико-математическое моделирование.Нефть, газ, энергетика. – 2– №– С. 140
    Neuromorphic coprocessor prototype based on mixed metal oxidememristors
    A. N. Bobylev, A. N. Busygin, A. D. Pisarev, S. Yu.Udovichenko, V. A. Filippov // International journal of nanotechnology. – 2– V. № 7/– P. 698–: ил.
    The Effect of Aluminum Dopant Amount in Titania Film on the Memristor Electrical Properties
    A. N. Bobylev, S. Yu. Udovichenko, A.N. Busygin, A. H. Ebrahim // Nano Hybrids and Composites. – 2– V. –P. 59–: ил.
    Fabrication technology and electrophysical properties of acomposite memristor-diode crossbar used as a basis for hardware implementation of a biomorphic neuroprocessor
    A. D. Pisarev, A. N. Busygin, A. N.Bobylev, A. A. Gubin, S. Yu. Udovichenko // Microelectronic Engineering. –2– V. – A. 111: ил.
    Исследование структуры и электрических свойств сверхтонкой пленки смешанного оксида металлов, предназначенной для электронного запоминающего устройства
    Д. В. Журавский, А. Н.Бобылев, А. Ю. Кузьменко, С. Ю. Удовиченко // Труды 12 Международнойконференции «Пленки и покрытия». / С.-Петербург. – 2– С. 106
    Прототип нейроморфного сопроцессора на основе мемристоров из смешанного оксида металлов
    С. Ю. Удовиченко,А. Н. Бобылев, А. Н. Бусыгин, А. Д. Писарев, В. А. Филиппов // Сборниктезисов VII конференции Нанотехнологического общества России. / М. –2– C. 29
    Высокая интеграция элементов в логической и запоминающей матрицах нейропроцессора с помощью комбинированного мемристорно – диодного кроссбара
    С. Ю. Удовиченко, А. Д.Писарев, А. Н. Бусыгин, А. Н. Бобылев // Сборник тезисов IX конференцииНанотехнологического общества России. / М. – 2– C. 6
    Получение пленки нестехиометрического оксида титана методом реактивного магнетронного распыления
    С. Ю.Удовиченко, А. Н. Бобылев, Д. А. Белоцерковцева, Д. Д. Шпиндюк // Труды25-й Всероссийской научно-технической конференции с международнымучастием «Вакуумная техника и технологии». / С.-Петербург. – 2– С.53

    Помогаем с подготовкой сопроводительных документов

    Совместно разработаем индивидуальный план и выберем тему работы Подробнее
    Помощь в подготовке к кандидатскому экзамену и допуске к нему Подробнее
    Поможем в написании научных статей для публикации в журналах ВАК Подробнее
    Структурируем работу и напишем автореферат Подробнее

    Хочешь уникальную работу?

    Больше 3 000 экспертов уже готовы начать работу над твоим проектом!

    Анна С. СФ ПГУ им. М.В. Ломоносова 2004, филологический, преподав...
    4.8 (9 отзывов)
    Преподаю англ язык более 10 лет, есть опыт работы в университете, школе и студии англ языка. Защитила кандидатскую диссертацию в 2009 году. Имею большой опыт написания... Читать все
    Преподаю англ язык более 10 лет, есть опыт работы в университете, школе и студии англ языка. Защитила кандидатскую диссертацию в 2009 году. Имею большой опыт написания и проверки (в качестве преподавателя) контрольных и курсовых работ.
    #Кандидатские #Магистерские
    16 Выполненных работ
    Екатерина Д.
    4.8 (37 отзывов)
    Более 5 лет помогаю в написании работ от простых учебных заданий и магистерских диссертаций до реальных бизнес-планов и проектов для открытия своего дела. Имею два об... Читать все
    Более 5 лет помогаю в написании работ от простых учебных заданий и магистерских диссертаций до реальных бизнес-планов и проектов для открытия своего дела. Имею два образования: экономист-менеджер и маркетолог. Буду рада помочь и Вам.
    #Кандидатские #Магистерские
    55 Выполненных работ
    AleksandrAvdiev Южный федеральный университет, 2010, преподаватель, канд...
    4.1 (20 отзывов)
    Пишу качественные выпускные квалификационные работы и магистерские диссертации. Опыт написания работ - более восьми лет. Всегда на связи.
    Пишу качественные выпускные квалификационные работы и магистерские диссертации. Опыт написания работ - более восьми лет. Всегда на связи.
    #Кандидатские #Магистерские
    28 Выполненных работ
    Оксана М. Восточноукраинский национальный университет, студент 4 - ...
    4.9 (37 отзывов)
    Возможно выполнение работ по правоведению и политологии. Имею высшее образование менеджера ВЭД и правоведа, защитила кандидатскую и докторскую диссертации по политоло... Читать все
    Возможно выполнение работ по правоведению и политологии. Имею высшее образование менеджера ВЭД и правоведа, защитила кандидатскую и докторскую диссертации по политологии.
    #Кандидатские #Магистерские
    68 Выполненных работ
    Петр П. кандидат наук
    4.2 (25 отзывов)
    Выполняю различные работы на заказ с 2014 года. В основном, курсовые проекты, дипломные и выпускные квалификационные работы бакалавриата, специалитета. Имею опыт напис... Читать все
    Выполняю различные работы на заказ с 2014 года. В основном, курсовые проекты, дипломные и выпускные квалификационные работы бакалавриата, специалитета. Имею опыт написания магистерских диссертаций. Направление - связь, телекоммуникации, информационная безопасность, информационные технологии, экономика. Пишу научные статьи уровня ВАК и РИНЦ. Работаю техническим директором интернет-провайдера, имею опыт работы ведущим сотрудником отдела информационной безопасности филиала одного из крупнейших банков. Образование - высшее профессиональное (в 2006 году окончил военную Академию связи в г. Санкт-Петербурге), послевузовское профессиональное (в 2018 году окончил аспирантуру Уральского федерального университета). Защитил диссертацию на соискание степени "кандидат технических наук" в 2020 году. В качестве хобби преподаю. Дисциплины - сети ЭВМ и телекоммуникации, информационная безопасность объектов критической информационной инфраструктуры.
    #Кандидатские #Магистерские
    33 Выполненных работы
    Алёна В. ВГПУ 2013, исторический, преподаватель
    4.2 (5 отзывов)
    Пишу дипломы, курсовые, диссертации по праву, а также истории и педагогике. Закончила исторический факультет ВГПУ. Имею высшее историческое и дополнительное юридическо... Читать все
    Пишу дипломы, курсовые, диссертации по праву, а также истории и педагогике. Закончила исторический факультет ВГПУ. Имею высшее историческое и дополнительное юридическое образование. В данный момент работаю преподавателем.
    #Кандидатские #Магистерские
    25 Выполненных работ
    Кормчий В.
    4.3 (248 отзывов)
    Специализация: диссертации; дипломные и курсовые работы; научные статьи.
    Специализация: диссертации; дипломные и курсовые работы; научные статьи.
    #Кандидатские #Магистерские
    335 Выполненных работ
    Анна Н. Государственный университет управления 2021, Экономика и ...
    0 (13 отзывов)
    Закончила ГУУ с отличием "Бухгалтерский учет, анализ и аудит". Выполнить разные работы: от рефератов до диссертаций. Также пишу доклады, делаю презентации, повышаю уни... Читать все
    Закончила ГУУ с отличием "Бухгалтерский учет, анализ и аудит". Выполнить разные работы: от рефератов до диссертаций. Также пишу доклады, делаю презентации, повышаю уникальности с нуля. Все работы оформляю в соответствии с ГОСТ.
    #Кандидатские #Магистерские
    0 Выполненных работ
    Ольга Р. доктор, профессор
    4.2 (13 отзывов)
    Преподаватель ВУЗа, опыт выполнения студенческих работ на заказ (от рефератов до диссертаций): 20 лет. Образование высшее . Все заказы выполняются в заранее согласован... Читать все
    Преподаватель ВУЗа, опыт выполнения студенческих работ на заказ (от рефератов до диссертаций): 20 лет. Образование высшее . Все заказы выполняются в заранее согласованные сроки и при необходимости дорабатываются по рекомендациям научного руководителя (преподавателя). Буду рада плодотворному и взаимовыгодному сотрудничеству!!! К каждой работе подхожу индивидуально! Всегда готова по любому вопросу договориться с заказчиком! Все работы проверяю на антиплагиат.ру по умолчанию, если в заказе не стоит иное и если это заранее не обговорено!!!
    #Кандидатские #Магистерские
    21 Выполненная работа

    Последние выполненные заказы