Магнитные свойства и гигантский магнитный импеданс многослойных пленочных элементов на основе пермаллоя : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.11
ВВЕДЕНИЕ ……………………………………………………………………………………………………… 5
ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ………………………………………………………………… 22
1.1 Феноменология ГМИ эффекта …………………………………………………………… 22
1.2 Особенности технологии получения пленочных структур с высокой
магнитной проницаемостью и роль условий получения в формировании
их структуры и магнитных свойств ………………………………………………………… 26
1.3 Особенности влияния температуры на магнитоимпедансные свойства
многослойных тонких пленок …………………………………………………………………. 32
1.4 Некоторые аспекты СВЧ-исследований ……………………………………………. 33
1.5 ГМИ пленочные структуры с модифицированной поверхностью или
покрытиями …………………………………………………………………………………………….. 34
1.6 Возможности применения ГМИ пленочных наноструктур в качестве
чувствительного элемента специализированных детекторов слабых
магнитных полей……………………………………………………………………………………… 36
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 1 …………………………………………………………………………………… 38
ГЛАВА 2. МАТЕРИАЛЫ, ОБРАЗЦЫ, ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ
МЕТОДИКИ ………………………………………………………………………………………………….. 42
2.1. Пленки на основе пермаллоя и железа ……………………………………………… 42
2.1.1 Магнетронное распыление ……………………………………………………………… 42
2.1.2 Методы исследования структуры тонких пленок ………………………….. 48
2.1.3 Методы исследования статических магнитных свойств ………………… 51
2.1.4 Магнитодинамические характеристики: измерение в
высокочастотном и сверхвысокочастотном диапазоне ………………………….. 54
2.1.5. Техническое обеспечение исследования ГМИ тонкопленочных
элементов в фиксированном интервале температур………………………………. 59
2.1.6 Описание основных параметров математического моделирования
ГМИ элементов………………………………………………………………………………………… 60
2.2 Технология получения пленочных структур на основе FeNi для
исследования низкотемпературной конденсации углерода ……………………. 61
2.3 Наночастицы оксида железа, феррожидкости и феррогели на их основе
для ГМИ приложений ……………………………………………………………………………… 65
ГЛАВА 3. МНОГОСЛОЙНЫЕ ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ С
ОСОБЕННОСТЯМИ ГЕОМЕТРИИ…………………………………………………………….. 68
3.1 Некоторые аспекты перемагничивания многослойных пленочных
элементов на основе FeNi…………………………………………………………………………. 68
3.2 Исследование магнитостатических и магнитодинамических свойств
многослойных пленочных элементов на основе FeNi с различной
толщиной магнитных слоев …………………………………………………………………….. 76
3.3 Многослойные элементы с различным количеством магнитных слоев82
3.4 Свойства однослойных и многослойных пленочных элементов на
основе FeNi на твердых и гибких подложках в сверхвысокочастотном
диапазоне………………………………………………………………………………………………….. 94
3.5 Исследование магнитных свойств и магнитного импеданса FeNi
тонкопленочных элементов на подложках из стекла и полимера в
температурном интервале 25 – 50 оС ……………………………………………………… 106
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3 …………………………………………………………………………………. 112
ГЛАВА 4. ПЛЕНОЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ НА ОСНОВЕ Fe И FeNi С
УГЛЕРОДНЫМ ПОКРЫТИЕМ …………………………………………………………………. 114
4.1 Основные структурные и магнитные характеристики, кинетика
процесса низкотемпературной конденсации углерода на тонких пленках
железа и пермаллоя ……………………………………………………………………………….. 114
4.2 Роль кислорода в процессе формирования углеродного покрытия при
модификации поверхности в метилбензоле ………………………………………….. 123
4.3 ГМИ характеристики пленочных элементов после модификации их
поверхности в метилбензоле ………………………………………………………………….. 132
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4 …………………………………………………………………………………. 137
ГЛАВА 5. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПРАКТИЧЕСКИХ ПРИЛОЖЕНИЙ
ГИГАНТСКОГО МАГНИТОИМПЕДАНСНОГО ЭФФЕКТА ………………….. 138
5.1 Пленочные элементы на основе сплава Fe20Ni80 на стеклянных и
полимерных подложках: перспективы использования в интегрируемых
детекторах малых магнитных полей …………………………………………………….. 138
5.2 ГМИ характеристики пленочных элементов в присутствии гидрогеля
или феррогеля ………………………………………………………………………………………… 144
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 5 …………………………………………………………………………………. 156
ЗАКЛЮЧЕНИЕ …………………………………………………………………………………………… 157
ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ………………………………………………………….. 161
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ ЛИТЕРАТУРЫ …………. 162
Тонкие магнитные пленки и многослойные пленочные структуры широко
используются в электронных устройствах и сенсорных системах, включая
робототехнику, приборы магнитного неразрушающего контроля и автоматики, а
также в сфере биомедицинских приложений. Разработка магнитных сенсорных
элементов нового поколения требует развития новых физических подходов к
созданию планарных наноструктур, совершенствования технологии их получения
и методов всестороннего исследования [1-2]. Данное научное направление
относится к группе приоритетных направлений развития науки, технологий и
техники в Российской Федерации, разряду критических технологий, таких как
индустрия наносистем, технологии наноустройств и микросистемной техники.
Функциональные пленочные структуры активно используются в качестве
сред для сенсорных устройств [3-4]. Тонкопленочные сенсорные элементы
хорошо совместимы с существующей полупроводниковой технологией
электронных схем и методами интеграции. Кроме того, они наиболее полно
соответствуют существующим требованиям миниатюризации в микро- и
наноэлектронике.
Структура и свойства тонких магнитных пленок могут существенно
отличаться от массивных аналогов соответствующего состава. Это обусловлено
спецификой процесса формирования пленочных структур путем конденсации
вещества на поверхности твердой или гибкой подложки. В научной литературе
нет единого мнения о том, что такое «тонкая магнитная пленка». Тонкой
магнитной пленкой называют слой магнитного материала толщиной от
нескольких ангстрем (Å) до 1000 нм, т.е. понятие «пленка» при данном подходе
связано с представлением о геометрических параметрах образца, один из
размеров которого много меньше двух других, а также с наличием подложки.
Также можно опираться на термин «размагничивающий фактор»: магнитные
плёнки характеризуются большим размагничивающим фактором в направлении
нормали к поверхности во всех точках, удалённых от края плёнки на расстояние,
равное её толщине или большее. Кроме того, существует подход, в рамках
которого магнитную плёнку считают тонкой, начиная с толщины, ниже которой в
ней реализуется сквозная доменная структура.
Магнитные плёнки можно классифицировать исходя из их наиболее общих
свойств: по агрегатному состоянию; по типу магнитного упорядочения; по
составу; по преобладающему типу анизотропии; по величине коэрцитивной силы
(магнитомягкие и магнитотвердые). Особый интерес с точки зрения нанофизики и
создания современных электронных устройств и сенсорных систем представляют
многослойные пленочные структуры с чередованием магнитных и немагнитных
слоев [5-6]. Подобные наноструктуры представляют основу для создания
функциональных сред различного назначения, таких как специализированные
детекторы малых полей, к которым относятся магнитные датчики давления и
биодатчики [7-8].
«Функциональные материалы» — это среды, обладающие «настраиваемыми»
физико-химическими и механическими свойствами, которые в совокупности
обеспечивают использование этих материалов в качестве рабочего элемента в
конкретном устройстве или конструкции [9]. Создание оптимального материала
предполагает усиление каких-либо свойств (например, индуцирование магнитной
анизотропии) в уже имеющемся материале, что требует привлечения
современных и создания новых экспериментальных и теоретических подходов.
К наиболее востребованным функциональным материалам следует отнести
среды для специализированных детекторов малых магнитных полей, в основе
действия которых могут лежать различные эффекты: эффект Холла, эффект
анизотропного магнитосопротивления, гигантский или туннельный
магниторезистивныe эффекты, гигантский магнитный импеданс и другие [1].
Ввиду очень высокой чувствительности по отношению к внешнему магнитному
полю гигантский магнитоимпедансный эффект (ГМИ) является особенно
перспективным для решения научной проблемы, связанной с увеличением
чувствительности магнитных сенсоров путем разработки новых технологий
создания пленочных детекторов, адаптированных к особенностям современной
полупроводниковой электроники.
Явление ГМИ заключается в изменении полного электрического
сопротивления ферромагнитного проводника при протекании по нему тока
высокой частоты и приложении внешнего магнитного поля. Явление ГМИ
описывается на основе изменения динамической магнитной проницаемости
магнитомягкого материала (μ) и величины скин-слоя в рамках классической
электродинамики [10]. В разделе 1.1 приведены физическое обоснование эффекта
и его исследование с исторической точки зрения. Этот эффект наблюдается в
аморфных и нанокристаллических ферромагнетиках в форме лент, проволок,
микропроводов в стеклянной оболочке и пленочных структур [11]. Высокий
В данной работе исследованы многослойные пленочные элементы на основе
пермаллоя как с одинаковым, так и с различным количеством магнитных слоев до
и после центрального слоя меди при наборе толщин магнитных слоев (25, 50, 100
и 170 нм). Сравнительно проанализирована связь между структурой,
статическими и динамическими магнитными свойствами многослойных пленок в
геометрии ГМИ-элементов [Cu/Fe20Ni80]n/Cu(500 нм)/[Fe20Ni80/Cu]m и
[Ti/Fe20Ni80]n/Cu(500 нм)/[Fe20Ni80/Ti]m от толщины и количествах магнитных
слоев, осажденных на стеклянные и гибкие полимерные основы. Проведены
модельные эксперименты и показана возможность создания на основе данных
элементов детекторов давления и биодетекторов.
Основные выводы диссертационной работы
1. Установлены основные закономерности формирования гистерезисных
свойств и магнитного импеданса (МИ) в наноструктурированных магнитных
элементах типа [Cu/Fe20Ni80]n/Cu/[Fe20Ni80/Cu]m и [Ti/Fe20Ni80]n/Cu/[Fe20Ni80/Ti]m в
форме полосок, осажденных на стеклянные и гибкие полимерные подложки, с
варьируемыми толщиной и количеством магнитных субслоёв. Показано, что:
1) в элементах с n=m (симметричная структура) наибольшие значения МИ
(ΔZ/Zmax около 200 %) реализуются в интервале толщин субслоёв 50100 нм;
2) при m
Помогаем с подготовкой сопроводительных документов
Хочешь уникальную работу?
Больше 3 000 экспертов уже готовы начать работу над твоим проектом!