Готовая кандидатская на тему: Разработка "внешней" компактной модели органического полевого транзистора с учетом дифференциальной проводимости

ВВЕДЕНИЕ ………………………………………………………………………………………………………. 4

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР. КОМПАКТНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
«ВНУТРЕННЕГО» ОРГАНИЧЕСКОГО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА И ОБЩИЙ
ПОДХОД К ПРЕОБРАЗОВАНИЮ «ВНУТРЕННЕЙ» КОМПАКТНОЙ МОДЕЛИ
ВО «ВНЕШНЮЮ» …………………………………………………………………………………………. 16

1.1 Основы теории органического полевого транзистора ……………………………. 17

1.2 Линейное приближение для учета сопротивления стока и истока при
компактном моделировании линейного режима ………………………………………………. 23

1.3 Улучшенная «внутренняя» модель органического полевого транзистора…..
……………………………………………………………………………………………………………. 27

1.4 Общий подход к преобразованию «внутренней» модели органического
полевого транзистора во «внешнюю» ………………………………………………………………. 33

ГЛАВА 2. КОМПАКТНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЛИНЕЙНОГО РЕЖИМА
ОРГАНИЧЕСКОГО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С УЧЁТОМ
СОПРОТИВЛЕНИЙ ИСТОКА И СТОКА В НЕЛИНЕЙНОМ ПРИБЛИЖЕНИИ ….
……………………………………………………………………………………………………………………….. 42

2.1 Подходы к построению нелинейной аппроксимации при компактном
моделировании линейного режима органического полевого транзистора с учѐтом
сопротивлений стока и истока …………………………………………………………………………. 42

2.2 Применение итерационного метода для моделирования линейного режима
органического полевого транзистора с учѐтом сопротивлений стока и истока ………
……………………………………………………………………………………………………………. 52

2.3 Построение нелинейной аппроксимации при компактном моделировании
линейного режима органического полевого транзистора с учѐтом сопротивлений
стока и истока с использованием итерационного метода для получения
начального приближения ………………………………………………………………………………… 54

ГЛАВА 3. МОДЕЛИРОВАНИЕ ТОКА СТОКА И ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ
ПРОВОДИМОСТИ ОРГАНИЧЕСКОГО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА В
РЕЖИМЕ НАСЫЩЕНИЯ С УЧЁТОМ СОПРОТИВЛЕНИЙ ИСТОКА И СТОКА
……………………………………………………………………………………………………………………….. 62

3.1 Общие подходы к моделированию тока стока и дифференциальной
проводимости органического полевого транзистора в режиме насыщения с учѐтом
сопротивлений истока и стока …………………………………………………………………………. 62

3.2 Расчѐт тока стока и дифференциальной проводимости органического
полевого транзистора в режиме насыщения с учѐтом сопротивлений истока и
стока в «точке насыщения» ……………………………………………………………………………… 69

3.3 Моделирование тока стока органического полевого транзистора в режиме
насыщения с учѐтом сопротивлений истока и стока при напряжениях на стоке,
существенно превышающих напряжение насыщения ………………………………………. 80

ГЛАВА 4. КОМПАКТНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ТОКА СТОКА
ОРГАНИЧЕСКОГО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С УЧЁТОМ
СОПРОТИВЛЕНИЙ ИСТОКА И СТОКА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЛИНЕЙНЫХ
И АППРОКСИМАЦИЙ ДЛЯ ТОКА СТОКА В ЛИНЕЙНОМ РЕЖИМЕ И В
РЕЖИМЕ НАСЫЩЕНИЯ ……………………………………………………………………………….. 87

4.1 Компактная кусочная «внешняя» модель органического полевого
транзистора с линейным приближением, как для линейного, так и для режима
насыщения ………………………………………………………………………………………………………. 88

4.2 Компактная «внешняя» модель органического полевого транзистора с
линейным приближением, как для линейного, так и для режима насыщения с
использованием «улучшенной» функции сглаживания …………………………………….. 92

4.3 Компактное моделирование тока стока «внешнего» ОПТ, обеспечивающее
монотонное убывание дифференциальной проводимости при использовании
новой функции сглаживания ………………………………………………………………………….. 109

ЗАКЛЮЧЕНИЕ …………………………………………………………………………………………….. 115

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ………………………………………………………………………………. 117

Во введении приводится обоснование актуальности темы диссертаци- онной работы и описана степень научной разработанности темы исследования, описаны объект и предмет исследования, сформулированы цели и задачи, описаны методология и методы исследования, теоретическая и практическая значимость работы, научная новизна и основные результаты исследования. Приведены, сведения о степени достоверности исследования и апробации результатов в научных изданиях и материалах конференций.
В первой главе анализируется литература по органической электронике [1], компактному моделированию ОПТ, основанному, на современном этапе, на традиционных моделях MOSFET Level 1 и BSIM3/4, а также основы теории МОП-транзистора [2-5] и ОПТ [6-9] и теории истоковой деградации [10-12].
Органический полевой транзистор (Organic Field-Effect Transistor, OFET)-это полевой транзистор, использующий органический полупроводник в своем канале. Наиболее часто используемая геометрия ОПТ- это нижний затвор с верхними электродами стока и истока (рис. 1(а)). Эта геометрия аналогична тонкопленочному транзистору (TFT).
Рис. 1. Органический полевой транзистор p–типа: (а) – наиболее часто используемая геометрия ОПТ с нижним затвором и верхними электродами стока и истока; (б) – схема включения «внешнего» ОПТ с каналом p-типа для измерения выходных характеристик.
В табл. 1 приведены типовые параметры пентаценового ОПТ с каналом p-типа и его компактной модели [8], которые использовались при расчѐтах. В круглых скобках приведены гипотетические завышенные параметры, которые мы использовали при расчѐтах, чтобы более наглядно увидеть их влияние на результаты (это В-1 и кОм).
10
m
0,91 -12 0,13 0,46 24 1,8 1,210-3 40 1000 3,3 (2400) (0,01)
При малых напряжениях сток-исток реализуется линейный режим, и ток стока ОПТ линейно зависит от этого напряжения:
Таблица 1

,В
(
В)
см2 / Вс
RT,
кОм (RS=RD=RT/2)
, В-1
L, мкм
W, мкм
Ci , 2 нФ/см
. Проводимость канала определяется уравнением
(1)
(2)
В уравнениях, для краткости, используется модуль центрированного напряжения на затворе
||. (3) Обозначения и используются для напряжения затвор-исток и
порогового напряжения, соответственно. С увеличением напряжения сток- исток ток стока переходит в насыщение. Напряжение и ток насыщения определяются уравнениями:
При компактном моделировании тока стока ОПТ в режиме насыщения с учѐтом ненулевой дифференциальной проводимости используются уравнения компактной модели MOSFET Level 1:
() , (6)
или BSIM3/4:
Также используется сглаживающая функция:
,
(4) (5)
(()) ()(7)
[]⁄
.
(8) Анализ показывает, что уравнения (6), (7) и (8) определяют выходную проводимость недостаточно корректно, что является дефектом моделей
MOSFET Level 1 и BSIM3/4.
В этом разделе предлагается новая «улучшенная» компактная модель
для компактного моделирования надпорогового тока стока ОПТ (9, 10), которая основана на «улучшенной» функции сглаживания, и обеспечивает монотонное убывание выходной проводимости от максимального значения в
.
.

линейном режиме до минимального значения в режиме насыщения [2, 3]:
[ ]⁄ (9)
[]⁄
(10) На рис. 2 представлены результаты компактного моделирования с использованием традиционной (8) и улучшенной (9)-(10) сглаживающей функций. На всех рисунках нижняя кривая для напряжения на затворе = -30 В, далее с шагом – 5В до напряжения – 50В; (а): уравнение (8) с асимптотикой (6); (б): уравнение (8) с асимптотикой (7); (в): уравнения (9)- (10) с асимптотикой (7); (а), (б) и (в): ; (г): . Новая сглаживающая функция (9)-(10) даѐт монотонное убывание выходной
проводимости ОПТ. На рис. 2(г) приведены результаты для значения
, где сглаживающие функции (8) и (9)-(10) дают одинаковый результат.
Рис. 2. Зависимости дифференциальной проводимости от напряжения стока для «внутреннего» ОПТ.
В современных компактных моделях ОПТ актуален учѐт сопротивления контактов [13]. На рис. 1(б) представлен «внешний» ОПТ, представляющий из себя «внутренний» ОПТ с паразитным сопротивлением истока , включенными последовательно с истоковым терминалом, и паразитным сопротивлением стока , включенными последовательно со
стоковым терминалом. Между «внутренним» и «внешним» напряжениями на затворе и на стоке [14-15] выполняются соотношения:
, .
Здесь суммарное сопротивление контактов в ОПТ текущий через транзистор.
, а
(11)
(12) – ток,
Используя взаимосвязь между внутренними
напряжениями на стоке, истоке и затворе, в работе был разработан общий подход для преобразования внутренней модели во «внешнюю». Получены итерационные уравнения, которые используются в качестве исходных данных для компактного моделирования.
Во второй главе рассматривается преобразование линейного режима работы «внутреннего» ОПТ во «внешний» случай. Получено уравнение для тока стока «внешнего» ОПТ в линейном режиме в неявной форме, которое может быть решено численно:
( )( ).
(13)
В современной литературе линейный режим во «внешнем» случае аппроксимируется линейной зависимостью тока стока от напряжения на стоке. При этом сопротивление контактов учитывается в уравнении для проводимости:
() ()
.
(14)
и
внешними
Рис. 3. Эквивалентная схема для «внешнего» ОПТ с p-каналом в линейном (омическом) режиме (а) и в режиме насыщения (б).
Отметим, что это уравнение верно только при малых значениях напряжения сток-исток и, соответственно, при малых значениях тока стока. В этом случае итоговое выходное сопротивление ОПТ тривиально складывается из последовательно соединенных сопротивлений контактов и канала ОПТ:
Здесь
Имеем:
| ()| ()()()
()
.
(15)
Эквивалентная схема для «внешнего» ОПТ с p-каналом в линейном (омическом) режиме представлена на рис. 3(а).
В работе также разработано простейшее нелинейное приближение для зависимости тока стока в линейном режиме от напряжения сток-исток с учетом сопротивления стока и истока, которое может быть использовано при компактном моделировании. Используя соотношение между внутренним и «внешним» напряжениями стока, истока, затвора и применяя разложение Тейлора, было получено уравнение:
().
() | (16)
().
( )( ) (17)
(18)
(19)
Рис. 4. Зависимости ток стока в линейном режиме от напряжения стока для ОПТ: (а) – сравнение метода итераций с результатом метода бисекции; (б) – сравнение всех компактных моделей линейного режима и моделирования методом бисекции.
().
Получены уравнения для нелинейной зависимости «внешнего»
напряжения стока и тока стока с использованием итерационного метода: ().
()
14

Уравнения получены для различных чисел итераций (для нулевой итерации ):
(20)
(21) На рис. 4(а) представлены зависимости ток стока в линейном режиме от напряжения стока для напряжения затвор-исток – 50В, для пентаценового ОПТ с общим сопротивлением 2,4 МОм. Сплошная линия для расчетов методом бисекции. Другие линии для метода итераций с разными числами
итераций = 1… 5.
Нами получено квадратное уравнение, которое определяет для
компактного моделирования ОПТ в линейном режиме:
*||+() *()|+()()
. (22) Отсюда, мы можем найти выражения для коэффициентов квадратного
, ()().
() ()
()()
уравнения:
||
[()|] ()
Решение квадратного уравнения дает «внешнее» нелинейное уравнение для тока стока в линейном режиме, полезное для компактного моделирования:
На рисунке 4(б) представлено сравнение всех компактных моделей линейного режима и моделирования методом бисекции. Зависимость тока стока в линейном режиме от напряжения стока на большом масштабе для напряжения затвор-исток – 50В, для пентаценового ОПТ с общим сопротивлением 2,4 МОм. Ультратонкая пунктирная линия – внутренняя модель (1)-(2); точки для компактной модели с учетом полного
сопротивления в линейном режиме для линейного приближения (14)-(15);
√() .
(23)
кружки – простейшая нелинейная «внешняя» компактная модель для линейного режима (16)-(18); 2 точки 3 пунктирная линия для итераций с ( ) 2 точки 1 пунктирная линия для итераций с ( ) точки предложенной нелинейной «внешней» компактной модели в линейном
режиме (23) с результатом итерации с в качестве исходных данных; точки предложенной нелинейной «внешней» компактной модели в линейном режиме (23) с результатом итерации с в качестве исходных данных. Сплошная линия для расчетов методом бисекции.
В третьей главе получено семейство аппроксимационных формул для тока насыщения «внешнего» ОПТ и для зависимости тока стока «внешнего» ОПТ от «внешнего» напряжения сток-исток в режиме насыщения [7].
Используя соотношение между внутренним и внешним напряжениями стока, истока и затвора, из уравнения (5) получаем уравнение
(24) (25)
(26)
(27)
После преобразования уравнение (5), получаем семейство уравнений для компактного моделирования тока насыщения «внешнего» ОПТ с использованием в качестве начального значения ток насыщения, вычисленный за фиксированное число итераций:
()(). Это уравнение приводит к итерационной схеме:
()(). Для нулевой итерации полагаем . Далее имеем:
() (), (())(()).
()() ()
Если мы используем в качестве начального значения
мы получим формулу для тока насыщения в «точке насыщения». Это
простейшая формула для компактного моделирования:
для
.
( ( ) ), получаем более сложные формулы:
Принимая за начальное значение
( ) и
()() ()
()() ()
, .
(30) (31)
.
(28)
() ()
, то (29)

Получено уравнение «внешнего» напряжения насыщения (с учетом сопротивления стока и истока) вида
(( ) ). (32)
На рис. 5 представлены зависимости тока насыщения от «внешнего» центрированного напряжения затвора и «внешнего» напряжения насыщения для различным моделей и методов расчѐта. На рис. 5(а) и (б) представлены зависимости тока насыщения в зависимости от «внешнего» центрированного напряжения на затворе (а) и от напряжения насыщения (б), полученные ме-
Рис. 5. Зависимости тока насыщения от «внешнего» центрированного напряжения на затворе и «внешнего» напряжения насыщения для различных моделей и методов расчѐта.
тодом итераций при различном числе итераций (i = 1..6, 20, 21) в сравнении с методом бисекции (сплошная линия). На рисунке 5(в) и (г) представлены зависимости тока насыщения в зависимости от «внешнего» центрированного напряжения на затворе (в) и от напряжения насыщения (г), полученные
17

компактным моделированием с начальным значением тока насыщения, полученным методом итераций с различном числом итераций (i = 0, 1, 2, 20, 21) в сравнении с методом бисекции (сплошная линия). Наши расчеты показывают, что даже нулевая итерация i = 0, что соответствует нулевому начальному значению тока насыщения, взятая за начальную точку при компактном моделировании тока стока (уравнение (29)), дает приемлемую точность для достаточно большого диапазона напряжений на затворе и качественно верный вид зависимости тока насыщения от напряжения на затворе.
В работе разработаны уравнения для линейной аппроксимации зависимости тока стока «внешнего» ОПТ от «внешнего» напряжения сток- исток. Эта аппроксимация гарантировано проходит через «точку насыщения». При этом получено уравнение для дифференциальной проводимости с учетом сопротивлений стока и истока в «точке насыщения»:

( ( )) ( ).
(33)
(34)
(35)
Представим уравнение для или
sa в удобной для анализа форме: ()
( ( ))
Уравнение можно переписать в более привычной для теории истоковой деградации форме:
( ). (36) Здесь / A Y выходное дифференциальное сопротивление
«внутреннего» ОПТ, а eq это эквивалентное выходное сопротивление.
На рис. 3(б) приведена эквивалентная схема для «внешнего» ОПТ с p-
каналом в режиме насыщения.
Изучено приближение для тока стока в режиме насыщения при высоких
напряжениях на стоке. Получены формулы для асимптотического поведения тока стока и дифференциальной проводимости «внешнего» ОПТ в зависимости от «внешнего» напряжения на стоке.
Уравнение (37) определяет аппроксимацию для зависимости надпоро- гового тока стока «внешнего» ОПТ от «внешнего» напряжения сток-исток, пригодную для компактного моделирования в случае сильного превышения «внешним» напряжением сток-исток значения «внешнего» напряжения насы- щения с выходом на предельное асимптотическое значение тока стока .

(( ) ( )), () ()
(37)
(38)
Для участка трансформации от линейной аппроксимации в окрестности «точки насыщения» (заканчивается в точке и ) до нелинейной аппроксимации, обеспечивающей выход на предельное асимптотическое
( )(( )) () ()
значения тока стока (начинается в точке и линейная аппроксимация:
,
(( ) ( )),
()
( ),
(39) (40)
(41)
), предложена новая
() ()
(42) ( ), (43)
(),
Рис. 6. Выходная характеристика «внешнего» ОПТ в кусочном приближении.
На рис. 6 представлены выходные характеристики «внешнего» ОПТ в кусочно-линейном приближении до напряжения (помечено треугольниками) c дальнейшим медленным выходом на уровень предельного тока по нелинейной аппроксимации (37). Пунктир – расчет с использованием
,
(44) ⁄. (45)

численного метода. Верхняя зависимость для напряжения затвор-исток – 30В, далее: – 35В, – 40В, – 45В, – 50В.
В четвертой главе разработана кусочно-линейная «внешняя» компактная модель для тока стока. Проанализирована компактная модель для тока стока ОПТ на основе традиционной сглаживающей функции:
. (46)
()
Проанализирована компактная модель для тока стока ОПТ на основе новой улучшенной сглаживающей функции:
,
(47) . (48)

() ()
Рис. 7. Выходная проводимость «внешнего» ОПТ, рассчитанные с помощью традиционной (46), (а), и новой (б) сглаживающей функции (47, 48). Верхняя кривая для напряжения затвор-исток -30 В, далее: -35 В, -40 В, -45 В, -50 В.
Традиционная сглаживающая функция не обеспечивает монотонное убывание дифференциальной проводимости (рис. 7(а)). В то время как новая сглаживающая функция обеспечивает монотонное убывание дифференциальной проводимости (рис. 7(б)) «внешнего» ОПТ от максимального значения в линейном режиме до минимального значения в режиме насыщения.
ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ
1. Для компактного моделирования надпорогового тока стока «внутреннего» ОПТ была применена «улучшенная» сглаживающая функция, использующая степенное усреднение, ранее предложенная для «улучшенной» компактной модели «внутреннего» МОП-транзистора и обеспечивающая корректный учет выходной проводимости в режиме насыщения, т. е. еѐ монотонное убывание от максимального значения в линейном режиме до минимального значения в режиме насыщения.
2. Получены аппроксимационные формулы для зависимости надпорогового тока стока «внешнего» ОПТ от «внешнего» напряжения сток- исток в линейном режиме, полученные преобразованием «внутреннего» уравнения для линейного режима, которые могут быть использованы при компактном моделировании.
3. Получены аппроксимационные формулы для тока насыщения «внешнего» ОПТ в зависимости от «внешнего» напряжения затвор-исток, основанные на линеаризации и приближенном решении уравнения для тока насыщения «внешнего» ОПТ, полученного преобразованием «внутреннего» уравнения, которые могут быть использованы при компактном моделировании. Полученные аппроксимации верифицированы применением численного метода.
4. Выведено уравнение для выходного дифференциальное сопротивления «внешнего» ОПТ в «точке насыщения». На основе полученного уравнения для выходного дифференциального сопротивление «внешнего» ОПТ в «точке насыщения» разработана линейная аппроксимация для зависимости надпорогового тока стока «внешнего» ОПТ от «внешнего» напряжения сток-исток в окрестности «точки насыщения».
5. Для компактного моделирования надпорогового тока стока «внешнего» ОПТ, включая линейный режим и режим насыщения с учѐтом ненулевой дифференциальной проводимости, применена улучшенная сглаживающая функция, обеспечивающая корректный учет выходной проводимости в режиме насыщения, т. е. еѐ монотонное убывание от максимального значения в линейном режиме до минимального значения в режиме насыщения.
6. Построена аппроксимация для зависимости надпорогового тока стока «внешнего» ОПТ от «внешнего» напряжения сток-исток, пригодная для компактного моделирования в случае сильного превышения «внешним» напряжением сток-исток значения «внешнего» напряжения насыщения. Перспективным является учѐт в компактной модели подпорогового тока [8,
16], эффекта подложки и реализация разработанной модели в виде Verilog-A модуля для практического применения в современных электронных САПР при моделировании схем на основе ОПТ.

Актуальность темы исследования. Органическая электроника является
сравнительно молодым направлением в науке и технике и направлена на
разработку электронных устройств на основе органических материалов.
Органические материалы обладают рядом преимуществ по сравнению с
традиционными монокристаллическими, поликристаллическими и аморфными
материалами. Они могут быть гибкими, растяжимыми, дешевыми,
биоразлагаемыми, легко наносятся на большие площади, обеспечивают более
простые технологии изготовления и практически комнатные температуры
технологического процесса. Основные преимущества органической электроники в
сравнении с традиционной, заключаются в меньшей стоимости изготовления
устройств, в их гибкости, в применении более простых технологий изготовления,
в простоте утилизации, а также в возможности изготовления изделий большой
площади. Считается, что устройства органической электроники можно будет
создавать методами, развитыми в полиграфической промышленности, используя
оборудование для трафаретной печати, флексографии, ротогравюрной и офсетной
печати, а также струйные принтеры. Всѐ это делает органическую электронику
незаменимой для таких специфических применений, как гражданская и военная
«электроника больших площадей» (нанесѐнные на ткань или на поверхность
предметов, зданий и техники солнечные батареи, светоизлучающие устройства,
обогревающие элементы, элементы, меняющие окраску, информационные экраны
и даже электронные обои), «одноразовая электроника» (радиочастотные метки и
сенсоры системы «Интернет вещей» (Internet of Things, IoT), биоразлагаемые
электронные импланты) и т.д. Конечно, устройства органической электроники
обладают и определѐнными недостатками, например, сравнительно низкой
подвижностью носителей заряда (~0,1 см2/Вс по сравнению с 102-103см2/Вс в
монокристаллическом кремнии), относительно низким разрешением печати
компонентов (>1 мкм по сравнению с ~10 нм в современном кремниевом
техпроцессе изготовления МОП-транзисторов), относительно низким КПД
органических солнечных батарей (<10% по сравнению с 10% - 40% для неорганических), относительно низкой стабильностью по отношению к воздействию окружающей среды, недолговечностью в обычных условиях. Соответственно, органическая электроника вряд ли повсеместно заменит традиционную электронику на основе моно- и поликристаллических, а также аморфных полупроводников, но обязательно займѐт свою нишу, где будет более практична и рентабельна. Основные устройства органической электроники - солнечные батареи, светодиоды и органические полевые транзисторы (ОПТ). Разработка перспективных и эффективное использование традиционных электронных устройств требует глубокого понимания физики их работы. При этом относительно времязатратное приборно-технологическое моделирование методом конечных элементов в программах приборно-технологического моделирования, принято дополнять и верифицировать компактным моделированием в программах электронного САПР. Компактное моделирование основано на быстром решении относительно простой системы алгебраических уравнений, описывающей моделируемый полупроводниковый прибор. Основной областью применения компактных моделей является ускоренная разработка интегральных схем и печатных плат на основе результатов моделирования. Такой переход от прототипирования к моделированию позволяет существенно сократить потребность в производстве опытных партий изделий, оптимизировать выбор электронных компонентов, соответственно, существенно ускорить и удешевить разработки. Отдельным направлением является экстракция параметров компактных моделей на основе экспериментальных данных и конструкционно- технологических параметров приборов. Степень научной разработанности темы исследования. В своем развитии компактные модели органических полевых транзисторов сейчас проходят те же этапы, которые когда-то прошли и компактные модели традиционных МОП- транзисторов. Соответственно, на современном этапе, при разработке компактных моделей ОПТ, важно своевременно учитывать последние достижения в разработке компактных моделей МОП-транзисторов. Современные компактные модели должны корректно учитывать дифференциальную проводимость в режиме насыщения, возникающую из-за короткоканальных эффектов, что обеспечивается применением корректной функции сглаживания; быть «внешними», т.е. аналитически учитывать сопротивления истока и стока; иметь правильную асимптотику зависимости тока стока от напряжения сток-исток при напряжениях, существенно превышающих напряжение насыщения; учитывать эффект саморазогрева; учитывать подпороговый ток; эффект напряжения подложки и т.д. Объект исследования. Объектом исследования является органический полевой транзистор (ОПТ). Предмет исследования. Предметом исследования является компактная модель органического полевого транзистора. Целью диссертационной работы является разработка компактной модели органического полевого транзистора с корректным учѐтом дифференциальной проводимости в режиме насыщения и с аналитическим учѐтом контактных сопротивлений. Задачи исследования. Достижение цели обеспечено решением следующих задач: 1. Провести информационный поиск отечественной и зарубежной научной литературы по тематике исследования. 2. Применить для компактного моделирования надпорогового тока стока

На основе проведѐнных исследований в работе разработана компактная
модель для зависимости тока стока «внешнего» ОПТ в надпороговом режиме
работы от «внешнего» напряжения сток-исток и «внешнего» напряжения затвор-
исток с корректным учѐтом дифференциальной проводимости в режиме
насыщения и с аналитическим учѐтом контактных сопротивлений. При
проведении исследования были решены все поставленные задачи, получены
следующие результаты и сделаны выводы:
1. Для компактного моделирования надпорогового тока стока
«внутреннего» ОПТ была применена улучшенная сглаживающая функция,
использующая степенное усреднение, ранее предложенная для «улучшенной»
компактной модели «внутреннего» МОП-транзистора и обеспечивающую
корректный учет выходной проводимости в режиме насыщения с монотонным ее
убыванием от максимального значения в линейном режиме до минимального
значения в режиме насыщения.
2. Получены аппроксимационные формулы для зависимости
надпорогового тока стока «внешнего» ОПТ от «внешнего» напряжения сток-
исток, основанные на приближенном решении уравнения для тока стока
«внешнего» ОПТ, полученного преобразованием «внутреннего» уравнения для
линейного режима, которые могут быть использованы при компактном
моделировании. Полученные аппроксимации верифицированы численным
методом.
3. Получены аппроксимационные формулы для тока насыщения
«внешнего» ОПТ в зависимости от «внешнего» напряжения затвор-исток,
основанные на линеаризации и приближенном решении уравнения для тока
насыщения «внешнего» ОПТ, полученного преобразованием «внутреннего»
уравнения, которые могут быть использованы при компактном моделировании.
Полученные аппроксимации верифицированы применением численного метода.
4. Выведено уравнение для выходного дифференциальное
сопротивления «внешнего» ОПТ в «точке насыщения» (оно отличается от
выходного сопротивления «внутреннего» ОПТ на величину последовательно
включенного сопротивления стока и на величину, пропорциональную
сопротивлению истока, что аналогично теории истоковой деградации МОПТ). На
основе полученного уравнения для выходного дифференциального сопротивление
«внешнего» ОПТ в «точке насыщения» разработана линейная аппроксимация для
зависимости надпорогового тока стока «внешнего» ОПТ от «внешнего»
напряжения сток-исток в окрестности «точки насыщения».
5. Для компактного моделирования надпорогового тока стока
«внешнего» ОПТ, включая линейный режим и режим насыщения с учѐтом
ненулевой дифференциальной проводимости, применена улучшенная
сглаживающая функция, основанная на степенном усреднении, ранее
предложенная для «улучшенной» компактной модели «внутреннего» МОП-
транзистора и обеспечивающая корректный учет выходной проводимости в
режиме насыщения с монотонным ее убыванием от максимального значения в
линейном режиме до минимального значения в режиме насыщения.
6. Построена аппроксимация для зависимости надпорогового тока стока
«внешнего» ОПТ от «внешнего» напряжения сток-исток, пригодная для
компактного моделирования в случае сильного превышения «внешним»
напряжением сток-исток значения «внешнего» напряжения насыщения.
Предложенная аппроксимация состоит из линейная аппроксимации для
зависимости тока стока ОПТ от «внешнего» напряжения сток-исток для участка
трансформации от линейной аппроксимации в окрестности «точки насыщения»
до участка нелинейной аппроксимации, обеспечивающей выход на предельное
асимптотическое значение тока стока.
Перспективным является учѐт в компактной модели подпорогового тока,
эффекта подложки и реализация разработанной модели в виде Verilog-A модуля
для практического применения в современных электронных САПР при
моделировании схем на основе ОПТ.

1. Horowitz, G. Organic thin film transistors: From theory to real devices / G.
Horowitz // J. Mater. Res., Vol. 19, No. 7, pp. 1946–1962, 2004.
2. Pacelli, A. Generation of equivalent circuits from physics-based device
simulation / A. Pacelli, M. Mastrapasqua, S Luryi // IEEE Trans, on CAD of ICAS.
2000. Vol. 19. P. 1241-1250.
3. Facchetti, A. Semiconductors for organic transistors / A. Facchetti // Mater.
Today, vol. 10, no. 3, pp. 28–37, Mar. 2007.
4. Schon, J.H. Ambipolar Pentacene Field-Effect Transistors and Inverters / J.H.
Schon, S. Berg, Ch. Kloc and B. Batlogg //. Science, Vol. 287, pp. 1022–1023, 2000.
5. Kim, C. H. Fundamental Benefits of the Staggered Geometry for Organic
Field-Effect Transistors / C. H. Kim, Y. Bonnassieux, and G. Horowitz // IEEE Electron
device letters, Vol. 32, no. 9, September 2011.
6. Кухто, А.В. Органическая электроника: вчера, сегодня, завтра / А.В Кухто
// Химия и жизнь. 2013. Т. 49. №6. C. 3–6.
7. Мымрин, В. Н. Органическая и печатная электроника: на волне успеха /
В. Н. Мымрин // Инновационные технологии. №3. 2014.
8. Пономаренко, С.А. Достижения и проблемы современной органической
электроники / С.А Пономаренко // Междисциплинарный семинар МГУ «На стыке
наук и идей».
9. Estrada, M. Accurate modeling and parameter extraction method for organic
TFTs / M. Estrada, A. Cerdeira, J. Puigdollers, L. Reséndiz, J. Pallares, L.F. Marsal, C.
Voz, B. Iñiguez // Solid-State Electronics. 2005. Vol. 49, N 6. P. 1009 – 1016.
10. Kim, C.H. A compact model for organic field-effect transistors with improved
output asymptotic behaviors / C.H. Kim, A. Castro-Carranza, M. Estrada, A. Cerdeira,
Y. Bonnassieux, G. Horowitz, B. Iniguez // IEEE Trans. Electron Devices. 2013. Vol.
60. N3. P. 1136–1141.
11. Kim, C.H. Compact DC Modeling of Organic Field-Effect Transistors:
Review and Perspectives / Kim C.H., Bonnassieux Y., Horowitz G // IEEE Trans.
Electron Devices. 2014, 61(2): pp. 278-287.
12. Knipp, D. Organic Field Effect Transistors / D. Knipp // Introduction to
Organic Electronics, (Nanomolecular Science Seminar I), (Course Number 420411) Fall
2005.
13. Jingjing, Ch. Organic Field-Effect Transistor: Device Physics, Materials, and
Process / Ch. Jingjing, L. Zhenhua, Z. Chunfu and H. Yue // World’s largest Science,
Technology & Medicine Open Access book publisher.
14. Bao, Z. Organic Field-Effect Transistors / Z. Bao and J. Locklin, eds. // CRC
Press, Boca Raton, 2007.
15. Horowitz, G. Organic Field-Effect Transistors / G. Horowitz // Advanced
Materials, Vol. 10, No.5, pp. 365-377, 1998.
16. Hiam, S. Polyelectrolyte-Gated Organic Field Effect Transistors – Printing
and Electrical Stability / S. Hiam // Printed by LiU-Tryck, Linköping, Sweden, 2013.
17. Jiro, K. Masaru Wada. «Research and Development on Organic Transistors
has Progressed Even Further».
18. Кузьмина, Е.К. Полимерные транзисторы / Е.К. Кузьмина, В.А.
Монахова, А.П. Цуркин // Технические науки: традиции и инновации: материалы
Междунар. науч. конф. (г. Челябинск, январь 2012 г.). — Челябинск – 2012. — С.
83-88.
19. Органические транзисторы – базовые принципы и устройство. URL:
https://ko.com.ua/organicheskie_tranzistory_bazovye_principy_i_ustrojstvo_35581.
(Дата обращения – 22.03.2019).
20.Светоизлучающийорганическийполевойтранзистор.URL:
http://www.findpatent.ru/patent/246/2468476.html. (Дата обращения – 13.03.2019).
21. Алешин, А.Н. Фоточувствительный полевой транзистор на основе
композитной пленки поливинилкарбазола с наночастицами никеля / А.Н. Алешин,
И.П. Щербаков, Ф.С. Федичкин // Физика твердого тела, 2012, том 54, вып. 8.
22.Светоизлучающийорганическийполевойтранзистор.URL:
http://www.informaticspoint.ru/forpois-1000-1.html. (Дата обращения – 07.02.2019).
23. Штерензон, В.А. Моделирование технологических процессов: конспект
лекций / В.А. Штерензон // Екатеринбург: Изд-во Рос. гос. проф.-пед. ун-та, 2010.
66 стр.
24. Денисенко, В. Моделирование МОП транзисторов / В. Денисенко //
Журнал «Компоненты и технологии», №7, 2004 г., с.26-29.
25. Mijalkovic, S. Modelling of Organic Field-Effect Transistors for Technology
and Circuit Design / S. Mijalkovic, D. Green, A. Nejim, G. Whiting, A. Rankov, E.
Smith, J. Halls and C. Murphy // Proc. 26th International conference on
Microelectronics, Serbia, 11-14 May, 2008.
26. Brijesh, K. Characteristics and Applications of Polymeric Thin Film
Transistor: Prospects and Challenges / K. Brijesh, B. K. Kaushik, Y. S. Negi, P. Mittal
// In Proceedings of IEEE International Conference on Electrical and Computer
Technology (ICETECT), pp. 702-707, 2011.
27. Денисенко, В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в
микро – и наноэлектронике / В.В Денисенко //М.: ФИЗМАТЛИТ, 2010. Стр. 112-
128.
28. Денисенко, В.В. Компактные модели МОП транзисторов для СБИС /
В.В. Денисенко // Электроника НТБ. 2004. № 5. стр. 76-78.
29. Денисенко, В.В. Электронные цепи для моделирования физических
процессов в полупроводниковых структурах методом прямых аналогий / В.В.
Денисенко, В.П. Попов // Электронное моделирование. 1983. № 6. С. 39-43.
30. Foty, D. MOSFET Modeling with Spice. Principle and Practice / D. Foty //
Prentice Hall PTR. NJ. 1997.-653 p.
31. Foty, D. MOSFET modeling for circuit simulation / D. Foty // IEEE Circuits.
1998. Vol. 14, Issue 4. P. 26-31.
32. Cheng, Y. MOSFET modeling &BSIM3 user’s guide / Y. Cheng, С. Нu //
Kluwer Academic Publishers. 1999.-461 p.
33. Omar, M. Compact Modeling of Circuits and Devices in Verilog-A / M.
Omar // Massachusetts Institute of Technology. 2012.
34. Slobodan, M. MOS Compact Modelling for Flexible Electronics / M.
Slobodan // Ultra-thin Chip Technology and Applications, DOI 10.1007/978-1-4419-
7276-7_21, LLC 2011.
35. Hao, D. Compact Modeling of Four-Terminal Junction Field-Effect
Transistors / D. Hao, Fu. Yue, J. Liou Juin, Green Keith, and R. Cirba Claude // NSTI-
Nanotech 2005.
36. Линейное и нелинейное моделирование компактных транзисторов. URL:
https://www.ntnk.ru/maury-lnltm.htm. (Дата обращения – 17.01.2019).
37. Natali, D. Modelling of organic thin film transistors: effect of contact
resistance / D Natali, L Fumagalli and M Sampietro// J. Appl. Phys., Vol. 101, 014501,
2007.
38. Pesavento, P.V. Gated four-probe measurements on pentacene thin-film
transistors: Contact resistance as a function of gate voltage and temperature / P.V.
Pesavento, R. J. Chesterfield, C. R. Newman, and C. D. Frisbie// J. Appl. Phys., vol. 96,
no. 12, pp. 7312–7324, Dec. 2004.
39. Richards, T.J. Analysis of the contact resistance in staggered, top-gate organic
field-effect transistors / T.J. Richards and H. Sirringhaus// J. Appl. Phys., vol. 102, no.
9, pp. 094510-1–094510-6, Nov. 2007.
40. Necliudov, P.V. Contact resistance extraction in pentacene thin film
transistors / Necliudov P.V, Shur M // Solid-State Electron 2003; 47:259.
41. Lara, B.Р. Model for the injection of charge through the contacts of organic
transistors / P.В. Lara, J. A. Jiménez Tejada, S. Rodríguez-Bolívar, M. J. Deen, and O.
Marinov// J. Appl. Phys., vol. 105, no. 8, pp. 084516-1–084516-8, Apr. 2009.
42. Shockley, W. A Unipolar «Field-Effect» Transistor / W. Shockley //
Proceedings of the IRE. 1952. Т. 40. №11. C. 1365–1376.
43. Турин, В.О. Компактное моделирование тока стока органического
полевого транзистора с корректным учетом ненулевой выходной проводимости в
режиме насыщения / В.О. Турин, Б.А. Рахматов, Ч.Х. Ким, Б. Инигез // Энерго- и
ресурсосбережение – XXI век.: материалы XIV международной научно –
практической интернет – конференции, 15 марта – 30 июня 2016 г., г. Орел / под
ред. О. В. Пилипенко [и др.]. – Орел: Орловский государственный университет
имени И. С. Тургенева, 2016. – С. 239 – 242.
44. Turin, V. O. An approach to organic field-effect transistor above-threshold
drains current compact modeling that provides monotonic decrease of the output
conductance with drain bias increasing / Turin V. O., Rakhmatov B. A., Kim C. H.,
Iñiguez B // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. 2016. T.151.
№1. P.1-5.
45. Braga, D. Sub threshold regime in rubrene single-crystal organic transistors /
D. Braga and G. Horowitz // Appl. Phys. A, Mater. Sci. Process., vol. 95, no. 1, pp.
193–201, Apr. 2009.
46. Turin, V.O. Intrinsic compact MOSFET model with correct account of
positive differential conductance after saturation / Turin V. O., Sedov A. V., Zebrev G. I
[and etc.] // SPIE Proceedings. 2010. T.75211H: International Conference on Micro-
and Nano- Electronics 2009. C. 1-9.
47.Турин,В.О.Корректныйучетненулевойдифференциальной
проводимостиврежименасыщениявкомпактноймоделиполевого
нанотранзистора / В.О. Турин, Г.И. Зебров, Б. Инигез, М.С. Шур //
Наноинженерия. 2011. №8. С. 41-48.
48. Turin, V.O. The correct account of nonzero differential conductance in the
saturation regime in the MOSFET compact model / V.O. Turin, G. I Zebrev, Makarov
S. V. [and etc.] // International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks,
Devices and Fields. 2014. №27. P. 863-874.
49. Deen, M. J. Organic thin film transistors: Part II—Parameter extraction / M. J.
Deen, O. Marinov, U. Zschieschang, and H. Klauk // IEEE Trans. Electron. Devices,
vol. 56, no. 12, pp. 2962–2968, Dec. 2009.
50. Jiménez Tejada, J. A. Contact effects in compact models of organic thin film
transistors: Application to zinc phthalocyanine-based transistors / J. A. Jiménez Tejada,
K. M. Awawdeh, J. A. López Villanueva, J. E. Carceller, M. J. Deen, N. B. Chaure, T.
Basova, and A. K. Ray // Org. Electron., vol. 12, no. 5, pp. 832–842, May 2011.
51. Турин, В.О. Обобщение компактной модели MOSFET Level 1 при
ненулевой дифференциальной проводимости в режиме насыщения на случай
ненулевых сопротивлений истока и стока / В.О. Турин, Г.И. Зебрев, С.В. Макаров
[и др.] // Энерго- и ресурсосбережение – XXI век.: материалы XIIIмеждународной
научно – практической интернет – конференции, 15 марта – 30 июня 2015 г., г.
Орел / под ред. О. В. Пилипенко [и др.]. – Орел: Госуниверситет – УНПК, 2015. –
С. 137 – 140.
52. Fjeldly, T. A. Introduction to Device Modeling and Circuit Simulation / T. A.
Fjeldly, T. Ytterdal, and M. Shur// New York: Wiley, 1998.
53. Shichman, H. Modeling and simulation of insulated-gate field-effect transistor
switching circuits / H. Shichman, D.A. Hodges // IEEE Journ. of Solid-State Circuits.
1968. Vol. 3. P. 285-289.
54. Турин, В.О. Учѐт сопротивлений истока и стока в режиме насыщения
при моделировании надпорогового тока в «улучшенной» компактной модели
органического полевого транзистора / В.О. Турин, Б.А. Рахматов, Г.И Зебрев., Б.
Инигез, М.С. Шур // Современные проблемы физико-математических наук.
Материалы II международной научно-практической конференции. 24–27 ноября
2016 г., Орѐл – 2016. – С. 135–51.
55. Iñiguez, B. Universal compact model for long- and short-channel thin-film
transistors / B. Iñiguez, R. Picos, D. Veksler, A. Koudymov, M. S. Shur, T. Ytterdal,
and W. Jackson // Solid State Electron., vol. 52, no. 3, pp. 400–405, Mar. 2008.
56. Lee, K. Semiconductor Device Modeling for VLSI / K. Lee, M. Shur, T. A.
Fjeldly, and T. Ytterdal // Englewood Cliffs, NJ: Prentice-Hall, 1993.
57. Xiaohong, Z. Device engineering of organic field-effect transistors toward
complementary circuits / Xiaohong Zhang // Georgia Institute of Technology. May
2009. Р. 78-98.
58. Puntambekar, K.P. Surface potential profiling and contact resistance
measurements on operating pentacene thin-film transistors by Kelvin probe force
microscopy / K. P. Puntambekar, P. V. Pesavento, and C. D. Frisbie// Appl. Phys. Lett.,
vol. 83, no. 26, pp. 5539–5541, Dec. 2003.
59. Sheu, B.J. BSIM: Berkeley short-channel IGFET model for MOS transistors /
Sheu B.J., Sharfetter D.L., Ко P.K., Jeng M.C // IEEE J. Solid-State Circuits. 1987. Vol.
22. P. 558-565.
60. Huang, J.Η. BSIM3 Manual (Version 2.0) / J. Η. Huang et al // University of
California, Berkeley. March 1994. – 143 p.
61. Liu, W. MOSFET models for SPICE simulation: including BSIM3V3 and
BSIM4 / W Liu // Wiley-IEEE Press. 2001. – 600 p.
62. Chan, M. The engineering of BSIM for the nano-technology era and beyond /
M. Chan, Нu С// Modeling and Simulation Microsystems, WCM, 2002, P. 662-665.
63. Ognian, M. Organic Thin-Film Transistors: Part I—Compact DC Modeling /
Ognian M, M. Jamal Deen, [and etc.]// IEEE Transactions on electron devices, VOL.
56, NO. 12, December 2009.
64. Newman, C.R. Introduction to organic thin film transistors and design of n-
channel organic semiconductors / C.R. Newman, C.D. Frisbie, D.A. da Silva Filho, J.-L.
Brédas, P.C. Ewbank, and K.R. Mann // Chem. Mater., vol. 16, no. 23, pp. 4436–4451,
Nov. 2004.
65. Турин, В.О. Компактное моделирование МОП-транзисторов на
VERILOG-A в САПР SYMICA / В.О. Турин, А. С. Студенников, Е. В. Гостенков,
А. М. Цырлов, Г. И. Зебрев, С. В. Макаров, Б. Инигез, М. С. Шур //
Госуниверситет – УНПК, 29 марта 2013г.
66. Турин, В.О. Сравнение улучшенной компактной модели МОП
транзистора с BSIM3 моделью / В.О. Турин, Г.И. Зебрев, Б. Инигез, и М.С. Шур //
III Региональный семинар МПЭ, Орел, 9 апреля 2011.
67. Galup-Montoro, C. MOSFET моделирование для схемотехнического
анализа и проектирования / Galup-Montoro C, M.C Шнайдер // Лондон / Сингапур:
World Scientific. п. 83.978-981-256-810-6.
68. Норберт, Р.М. Электронные схемы: анализ, моделирование и
проектирование / Р.М. Норберт // Энглвудские скалы, Нью-Джерси: Прентис
Холл. С. 315–316. ISBN978-0-02-374910-0.1995.
69. Jonathan Dodge, P.E. How to Make Linear Mode Work / Jonathan Dodge,
P.E // Applications Engineering Manager Microsemi Power Products Group 405 S.W.
Columbia Street Bend, OR 97702.
70. Schoiswohl, J. Linear Mode Operation and Safe Operating Diagram of
Power-MOSFETs / J. Schoiswohl // Published by Infineon Technologies AG 81726
Munich, Germany. © 2017 Infineon Technologies AG.
71. Ахмадиев, Ф.Г. Численные методы. Примеры и задачи / Ф.Г. Ахмадиев,
Ф.Г. Габбасов, Л.Б. Ермолаева, И.В. Маланичев // Учебно-методическое пособие
по курсам «Информатика» и «Вычислительная математика». Казань: КГАСУ,
2017. Стр – 15-26.
72. Численные методы. Метод половинного деления в VBA. URL:
https://codetown.ru/vba/metod-polovinnogo-deleniya/.(Датаобращения–
12.03.2019).
73. Численные методы и программирование. Материалы к лекционному
курсу.URL: http://www.physchem.chimfak.rsu.ru/Source/NumMethods/Roots_eq.html.
(Дата обращения – 01.03.2019).
74. Троицкая, О.Н. Численные методы: учеб. пособие / О. Н. Троицкая, Н.
Н. Конечная // Архангельск: Северный (Арктический) федеральный университет
имени М. В. Ломоносова, 2011. Стр. 9-21.
75. Гурьев, Е.К. Итерационные методы решения нелинейных уравнений.
Часть 1 / Гурьев Е.К., Никулин А.М //Учебное пособие. – М.: МАТИ, 2005, 176 с.
ISBN 5-93271-245-7.
76. Полянин, А.Д. Методы решения нелинейных уравнений математической
физики и механики / Полянин А.Д., Зайцев В.Ф., Журов А.И //М.: Физматлит,
2005. – стр. 20 – 40.
77. Ряд Тейлора. Ряды Маклорена. URL: https://www.calc.ru/Ryad-Teylora-
Ryady-Maklorena.html. (Дата обращения – 18.02.20019).
78. Разложение функций в степенные ряды. Ряд Тейлора. Ряд Маклорена.
Примерырешений.URL:
http://mathprofi.ru/razlozhenie_funkcij_v_stepennye_ryady.html. (Дата обращения –
27.02.20019).
79. Гареева, Р.Г. Линеаризация нелинейных зависимостей: методические
рекомендацииповыполнениюрасчетногозаданияпокурсу«Основы
автоматического управления» / Р.Г. Гареева // Алт. гос. техн. ун-т, БТИ. – Бийск:
Изд-во Алт. гос. техн. ун-та, 2009. – 18 с.

Заказать новую

Лучшие эксперты сервиса ждут твоего задания

от 5 000 ₽

Не подошла эта работа?

Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям

Читать

Помогаем с подготовкой сопроводительных документов

Совместно разработаем индивидуальный план и выберем тему работы Подробнее

Помощь в подготовке к кандидатскому экзамену и допуске к нему Подробнее

Поможем в написании научных статей для публикации в журналах ВАК Подробнее

Структурируем работу и напишем автореферат Подробнее

Хочешь уникальную работу?

Больше 3 000 экспертов уже готовы начать работу над твоим проектом!

Работы пишу, начиная с 2000 года. Огромный опыт и знания в области экономики. Закончил школу с золотой медалью. Два высших образования (техническое и экономическое). С... Читать все

Работы пишу, начиная с 2000 года. Огромный опыт и знания в области экономики. Закончил школу с золотой медалью. Два высших образования (техническое и экономическое). Сейчас пишу диссертацию на соискание степени кандидата экономических наук.

#Кандидатские #Магистерские

692 Выполненных работы

Высшее экономическое образование. Мои клиенты успешно защищают дипломы и диссертации в МГУ, ВШЭ, РАНХиГС, а также других топовых университетах России.

#Кандидатские #Магистерские

108 Выполненных работ

Более 40 лет занимаюсь преподавательской деятельностью. Специалист в области философии, логики и социальной работы. Кандидатская диссертация - по логике, докторская - ... Читать все

Более 40 лет занимаюсь преподавательской деятельностью. Специалист в области философии, логики и социальной работы. Кандидатская диссертация - по логике, докторская - по социальной работе.

#Кандидатские #Магистерские

260 Выполненных работ

Здравствуйте) Имею сертификат специалиста (врач-лечебник). На данный момент являюсь ординатором(терапия, кардио), одновременно работаю диагностом. Занимаюсь диссертац... Читать все

#Кандидатские #Магистерские

13 Выполненных работ

Опыт в написании студенческих работ (дипломные работы, магистерские диссертации, повышение уникальности текста, курсовые работы, научные статьи и т.д.) по экономическо... Читать все

Опыт в написании студенческих работ (дипломные работы, магистерские диссертации, повышение уникальности текста, курсовые работы, научные статьи и т.д.) по экономическому и гуманитарному направлениях свыше 8 лет на различных площадках.

#Кандидатские #Магистерские

224 Выполненных работы

Помогаю студентам с решением задач по ТОЭ и физике на протяжении 9 лет. Пишу диссертацию на соискание степени кандидата технических наук, имею опыт годовой стажировки ... Читать все

Помогаю студентам с решением задач по ТОЭ и физике на протяжении 9 лет. Пишу диссертацию на соискание степени кандидата технических наук, имею опыт годовой стажировки в одном из крупнейших университетов Германии.

#Кандидатские #Магистерские

9 Выполненных работ

Журналист. Младший научный сотрудник в институте РАН. Репетитор по английскому языку (стаж 6 лет). Также знаю французский. Сейчас занимаюсь написанием диссертации по и... Читать все

Журналист. Младший научный сотрудник в институте РАН. Репетитор по английскому языку (стаж 6 лет). Также знаю французский. Сейчас занимаюсь написанием диссертации по истории. Увлекаюсь литературой и темой космоса.

#Кандидатские #Магистерские

11 Выполненных работ

Работа пишется на основе учебников и научных статей, диссертаций, данных официальной статистики. Все источники актуальные за последние 3-5 лет.Активно и уместно исполь... Читать все

Работа пишется на основе учебников и научных статей, диссертаций, данных официальной статистики. Все источники актуальные за последние 3-5 лет.Активно и уместно использую в работе графический материал (графики рисунки, диаграммы) и таблицы.

#Кандидатские #Магистерские

362 Выполненных работы

Наличие красного диплома УрГЮУ по специальности юрист. Опыт работы в профессии - сфера банкротства. Уровень выполняемых работ - до магистерских диссертаций. Написан... Читать все

Наличие красного диплома УрГЮУ по специальности юрист. Опыт работы в профессии - сфера банкротства. Уровень выполняемых работ - до магистерских диссертаций. Написание письменных работ для меня в удовольствие.Всегда качественно.

#Кандидатские #Магистерские

60 Выполненных работ