Стабильность характеристик модифицированных микрополосковых линий

Бесплатно
Работа доступна по лицензии Creative Commons:«Attribution» 4.0
Сагиева Индира Ериковна
Бесплатно
Работа доступна по лицензии Creative Commons:«Attribution» 4.0

ВВЕДЕНИЕ ……………………………………………………………………………………………… 5
1. ОБЗОР МОДИФИКАЦИЙ ПОЛОСКОВЫХ ЛИНИЙ
И ПОДХОДОВ К ИХ МОДЕЛИРОВАНИЮ ……………………………………………………. 12
1.1 Модифицированные полосковые линии ……………………………………… 12
1.2 Подходы к моделированию характеристик полосковых линий ……. 20
1.2.1 Многовариантный квазистатический анализ …………………………… 20
1.2.2 Метод моментов …………………………………………………………………….. 21
1.2.3 Модальный анализ …………………………………………………………………. 23
1.2.4 Вычисление временного отклика полосковой линии ………………. 24
1.2.5 Температурная модель …………………………………………………………… 25
1.3 Цель и задачи работы…………………………………………………………………. 26
2. АНАЛИЗ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ХАРАКТЕРИСТИК
МОДИФИЦИРОВАННЫХ МИКРОПОЛОСКОВЫХ ЛИНИЙ …………………………. 27
2.1 Исследуемые модифицированные микрополосковые линии ……….. 27
2.2 Анализ чувствительности характеристик покрытой
заземленным проводником и экранированной микрополосковых линий ……….. 28
2.3 Анализ чувствительности характеристик микрополосковых
линий с двумя боковыми заземленными проводниками ……………………………….. 31
2.4 Основные результаты раздела и выводы …………………………………….. 37
3. АНАЛИЗ СОБСТВЕННЫХ ЗНАЧЕНИЙ И ВЕКТОРОВ
ПРОИЗВЕДЕНИЯ МАТРИЦ L И С И ВРЕМЕННОГО ОТКЛИКА
МИКРОПОЛОСКОВЫХ ЛИНИЙ С ЗАЗЕМЛЕННЫМИ ПРОВОДНИКАМИ ….. 38
3.1 Моделируемые схемы ………………………………………………………………… 38
3.2 Микрополосковая линия, покрытая заземленным проводником ….. 39
3.3 Микрополосковая линия с двумя боковыми заземленными
проводниками ……………………………………………………………………………………………… 50
3.4 Микрополосковые линии со свойствами защиты
от сверхкоротких импульсов………………………………………………………………………. 119
3.5 Основные результаты раздела и выводы …………………………………… 124
4. ОЦЕНКА ВЛИЯНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ
МОДИФИЦИРОВАННЫХ МИКРОПОЛОСКОВЫХ ЛИНИЙ ……………………….. 127
4.1 Оценка влияния температуры на характеристики и параметры
модифицированных микрополосковых линий …………………………………………….. 127
4.1.1 Микрополосковая линия ………………………………………………………. 127
4.1.2 Микрополосковая линия, покрытая заземленным
проводником ………………………………………………………………………………………….. 131
4.1.3 Микрополосковая линия c двумя боковыми заземленными
проводниками ………………………………………………………………………………………… 134
4.2 Оценка влияния температуры на собственные значения
и векторы произведения матриц L и C и временные отклики
модифицированных микрополосковых линий …………………………………………….. 147
4.2.1 Микрополосковая линия, покрытая заземленным
проводником ………………………………………………………………………………………….. 147
4.2.2 Микрополосковая линия с двумя боковыми заземленными
проводниками ………………………………………………………………………………………… 150
4.3 Основные результаты раздела и выводы …………………………………… 159
5. ПОДТВЕРЖДЕНИЕ ДОСТОВЕРНОСТИ РЕЗУЛЬТАТОВ …………….. 161
5.1 Сравнение характеристик экранированной микрополосковой
линии, полученных разными методами и программами……………………………… 161
5.2 Сравнение временных откликов микрополосковой линии,
покрытой заземленнным проводником, полученных алгоритмической и
аналитической моделями ……………………………………………………………………………. 164
5.3 Экспериментальные исследования микрополосковой линии
с двумя боковыми заземленными проводниками ………………………………………… 167
5.3.1 Разработка макетов ………………………………………………………………. 167
5.3.2 Экспериментальные исследования во временной области …….. 173
5.3.3 Экспериментальные исследования в частотной области ……….. 175
5.4 Экспериментальные исследования микрополосковой линии
с двумя боковыми заземленными проводниками при изменении
температуры ………………………………………………………………………………………………. 179
5.4.1 Экспериментальные исследования во временной области
при изменении температуры …………………………………………………………………… 183
5.4.2 Экспериментальные исследования в частотной области
при изменении температуры …………………………………………………………………… 186
5.5 Основные результаты раздела и выводы …………………………………… 194
ЗАКЛЮЧЕНИЕ ……………………………………………………………………………………. 197
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ …………………………………………………………………….. 199
ПРИЛОЖЕНИЕ А ………………………………………………………………………………… 205

Обзор модификаций полосковых линий и подходов к их
моделированию
В подразделе 1.1 рассмотрены модифицированные полосковые линии. В подразделе 1.2 рассмотрены подходы к моделированию характеристик полосковых линий (многовариантный квазистатический анализ, метод моментов, модальный анализ, вычисление временного отклика полосковой линии, температурная модель). В подразделе 1.3 сформулированы цель и задачи работы.
2. Анализ чувствительности характеристик модифицированных МПЛ
Различные модификации МПЛ представлены на рисунках 2.1. Для линии из рисунков2.1а и б неизменны толщина полоски t=18мкм, толщина подложки h=1 мм и относительная диэлектрическая проницаемость подложки εr=4,5. Для структур из рисунков 2.1 (в–ж) выбраны следующие (близкие к типовым) значения параметров поперечного сечения: ширина сигнального проводника w=0,3 мм, t=18 мкм, ширина боковых проводников w1=1 мм, h=1 мм, εr=4,5.
w1 wt
h1
w1 sws w1 h1 d wt dh1 t
wt
w1 s w1
r hr hr h
деж
Рисунок 2.1 – Поперечные сечения МПЛ,
покрытой заземленным проводником (а), экранированной (б),
c боковыми заземлѐнными проводниками: сверху (в) и углубленными
в подложку (г), над (д), посреди (е) и под (ж) границей воздух–подложка
В подразделе 2.2 представлен анализ чувствительности характеристик покрытой заземленным проводником и экранированной МПЛ, а в подразделе2.3– для МПЛ с двумя боковыми заземленными проводниками. Примеры результатов, показывающих возможности уменьшения чувствительности τ и Z, вплоть до нулевой, приведены на рисунке 2.2.
80
70
60
50
40
30
20
10
5,5 5,1 4,7 4,3 3,9
τ, нс/м
h1,мм 0,1 0,5 0,9
Z, Ом
h1,мм
0,1 0,7 1,3 1,9 б
6,0
5,0 4,9 4,8 4,7 4,6
τ, нс/м
s, мм 0,1 0,5 0,9
τ, нc/м 5,6
s, мм 5,2
0,1 0,5 0,9
а
Рисунок 2.2 – Семейства зависимостей (h1) для рисунка 2.1 а (а),
в г Z(h1) – 2.1 б (б), (s) – 2.1 г (в), (s) – 2.1 г (д–ж)
6,2 5,2 4,2 3,2
τ, нс/м
h1,мм 0,1 0,5 0,9
Значения τ и Z линий из рисунков 2.1 вычислялись как
τ=(C/C0)0,5/v0, Z=1/(v0(CC0)0,5), (2.1)
где v0 – скорость света в вакууме, C и С0 – погонные емкости линии реальной и в вакууме. При этом боковые проводники полагались под нулевым потенциалом.
Таким образом, представлены систематизированные результаты исследования значений τ и Z модифицированных МПЛ. Сравнение МПЛ, покрытой заземленным проводником, и экранированной МПЛ показало, что наличие боковых стенок, за счет увеличения краевых емкостей, позволяет получить нулевую чувствительность в широком диапазоне значений h1. На программу для моделирования последней структуры получено свидетельство. Для МПЛ с боковыми заземленными проводниками приближение боковых проводников к границе воздух-подложка оказывает особое влияние на характеристики. В частности, появляется возможность выбором параметров линии получить требуемое значение Z при минимальной чувствительности  изменению s. Кроме того, выявлена возможность нулевой чувствительности.
3. Анализ собственных значений и векторов произведения матриц L и С и временного отклика МПЛ с заземленными проводниками
В подразделе 3.1 представлены моделируемые схемы, в 3.2 – результаты для МПЛ, покрытой заземленным проводником, а в 3.3 – для МПЛ с двумя боковыми заземленными проводниками. В подразделе3.4 описаны три заявки на изобретения на МПЛ, защищающие от СКИ. Примеры результатов из подразделов 3.2 и 3.3 приведены на рисунках 3.1 и 3.2 и в таблицах 3.1 и 3.2.
абв Рисунок 3.1 – Зависимости τ0 (○), τ1 (∆) и τ2 (□) (а) и элементов собственных
векторов напряжения от h1 при w=1,5 мм для τ1 (б) и τ2 (в)
Таблица 3.1 – Отклонения τ при w=1,5 мм для МПЛ с проводником сверху
1,2 0,9 0,6 0,3 0,0
U1,В
h1,мм 0,1 0,5 0,9
0,9 0,8 0,7 0,6 0,5
U2,В
h1,мм 0,1 0,5 0,9
h1, мм (|τ0–τ1|/τ0)*100% (|τ0–τ2|/τ0)*100%
0,1 0,2 0,3 50 36 27 16 24 28
0,4 0,5 22 19 31 33
0,6 0,7 16 14 35 36
0,8 0,9 13 11 37 37
5,8 5,3 4,8 4,3 3,8 3,3
τ, нс/м
s, мм 0,1 0,5 0,9
0,8 U1,В
0,4
0,0U2, В s, мм -0,2 0,1 0,5 0,9
-0,4 -0,6 -0,8 -1,0
0,8 U3, В
-0,4 0,1 0,5 0,9 -0,8
0,4
s, мм 0,0
s, мм -0,4 0,1 0,5 0,9
0,0
абвг Рисунок 3.2 – Зависимости τ0 (○), τ1(□), τ2(∆) и τ3(×) (а) и элементов
собственных векторов напряжения от s при h1=0,1 мм для τ1 (б), τ2 (в) и τ3 (г)
Таблица 3.2 – Отклонения τ при h1=0,1 мм для МПЛ с двумя проводниками s, мм 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
(|τ0–τ1|/τ0)*100% 18,1 15,9 13 10,3 8,6 7,7 7,2 7,2 7 (|τ0–τ2|/τ0)*100% 9,5 10,1 11,1 12,1 12,6 12,8 12,9 12,8 12,7
Основные результаты раздела и выводы
1. МПЛ с одним проводником сверху, заземленным не полностью, а только на концах, характеризуется не одной, а двумя погонными задержками. Одна из них становится меньше прежней, а вторая – больше, что соответствует модам, распространяющимся более в воздухе и диэлектрике. С ростом высоты проводника и ширины МПЛ разность этих задержек растет. Отклонение от прежней задержки достигает 50%. Это может привести к ступенчатым искажениям фронта и спада распространяющегося в линии импульса, вплоть до его разложения на два импульса. Если произведение длины линии на разность погонных задержек меньше длительности воздействующего импульса, оно определяет сдвиг этой ступеньки, а если больше, то оно определяет разность задержек импульсов разложения. Выбором параметров выравниваются амплитуды импульсов разложения и максимизируется интервал между ними, чем достигается большее ослабление вредных импульсов с большей длительностью, если использовать такую МПЛ для защиты от них.
2. МПЛ с двумя симметричными проводниками сверху, заземленными не полностью, а только на концах, характеризуется не одной, а тремя погонными задержками. Первые две из них становятся меньше прежней, а третья – больше, что соответствует модам, распространяющимся более в воздухе и диэлектрике. Однако, из-за симметрии проводников, влияния самой быстрой моды на выходной сигнал нет, и он определяется двумя оставшимися. С ростом высоты проводников и расстояния между ними разность задержек этих мод растет, а их отклонения от прежней уменьшаются, в среднем от 30% до 10%. Это может привести к аналогичным искажениям импульса, как при одном проводнике, хотя и менее выраженным. Тем не менее, разложение воздействующего импульса на два импульса оказывается возможным.
3. МПЛ с двумя симметричными проводниками на или в диэлектрике, заземленными не полностью, а только на концах, также характеризуется не одной, а тремя погонными задержками. Также, первые две из них становятся меньше прежней, а третья – больше, что соответствует модам, распространяющимся более в воздухе и диэлектрике. Также, из-за симметрии проводников, влияния самой быстрой моды на выходной сигнал нет, и он определяется двумя оставшимися. Однако с углублением проводников увеличение расстояния между ними влияет иначе: разность задержек этих двух мод уменьшается, их отклонения от прежней уменьшаются, и они довольно малы, в среднем около 10%. Это может привести к аналогичным искажениям импульса, как при одном проводнике, но ещѐ менее выраженным. Из-за этого, разложение на два импульса затруднено, особенно при углублении проводников.
4. Три указанные выше МПЛ обладают защитными свойствами, представляя собой модальный фильтр (МФ): на них поданы три заявки на изобретение (на одну уже получено положительное решение). Особенности новых

МФ: равные амплитуды напряжения импульсов получаются при коротком замыкании пассивного проводника на обоих концах опорного; равенство амплитуд напряжения импульсов обеспечивается при резко асимметричном расположении проводников относительно опорного; в случае одного проводника сверху, обеспечивается весьма высокая разность погонных задержек, позволяющая защиту от СКИ большой длительности или уменьшение длины МФ, но два боковых проводника на диэлектрике упрощают изготовление МФ.
5. В результате поэтапного моделирования МПЛ с заземленными проводниками создана методика оценки влияния заземления дополнительных проводников на характеристики МПЛ: ввод параметров; создание геометрической модели поперечного сечения; вычисление матрицы L и C; вычисление τ и Z в предположении полного заземления дополнительных проводников; вычисление произведения матриц L и C и его собственных значений и векторов; построение временных откликов на воздействие СКИ в предположении заземления дополнительных проводников только на концах; вычисление отклонения задержек мод в %.
4. Оценка влияния температуры на характеристики модифицированных МПЛ
В подразделе4.1 оценены влияния температуры на характеристики и параметры модифицированных МПЛ. В подразделе4.2 оценены влияния температуры на собственные значения и векторы произведения матриц L и C и временные отклики модифицированных МПЛ.
Таким образом, впервые представлены систематизированные результаты исследования влияния температуры на параметры и значения τ и Z, на собственные значения и векторы, а также временные отклики, модифицированных МПЛ. По результатам видно, что основное влияние температура оказывает на εr. Так, при одновременном влиянии температуры на все параметры линии, показано, что поведение зависимостей τ и Z остается прежним, однако их значения могут существенно (до 3%) измениться. Касательно представленных результатов влияния температуры на собственные значения и векторы, а также временные отклики без учета потерь, показано, что из-за влияния температуры на εr погонные задержки с увеличением температуры могут уменьшаться, так что их разность уменьшается на 9–22%. В результате поэтапного моделирования создана методика оценки влияния температуры на характеристики МПЛ: ввод начальной и конечной температур и шага изменения температуры; ввод температурных коэффициентов параметров; задание температурной модели; оценка влияния заземления дополнительных проводников на характеристики МПЛ.
5. Подтверждение достоверности результатов
Для проверки достоверности результатов раздела 2 для экранированной МПЛ выполнены вычисления τ и Z в трех различных программах: FasterCap (основана на MoM), а также FEMM и FEM2D (основаны на МКЭ). Для примера приведено сравнение результатов при w=0,1 мм (рисунок 5.1). Видно, что при h1=0,2 мм отклонение значения τ для FEM2D от TALGAT наибольшее, но оно около 2%. Зависимости Z для FasterCap и FEM2D имеют более выраженные
отклонения, но они также в пределах 2%. Значения τ и Z при расчетах в программах TALGAT и FasterCap очень близки, что объяснимо тем, что обе они основаны на MoM. Сравнены временные отклики МПЛ с проводником сверху, полученных по разным моделям. Результаты идентичны (рисунок 5.1 в).
5,4 τ,нс/м 5,3
5,2 5,1 5,0
FasterCap (), FEMM (∆), FEM2D (×); формы напряжения на выходе МПЛ
с проводником сверху, по алгоритмической (-) и аналитической (- -) моделям (в)
Проверены результаты раздела 3 для МПЛ с двумя боковыми заземленными проводниками: разработаны и изготовлены макеты, измерены и вычислены их временные и частотные характеристики, а также выполнено их сравнение. Разработаны и изготовлены макеты с поперечным сечением из рисунка 5.2.
d w1 s w s w1t d r h
Рисунок 5.2 – Поперечное сечение МПЛ макетов
На рисунке 5.3 представлены фото макетов и воздействие. По нормативным документам на материал СТФ-2-105-0,5 взято εr=4,7 и tgδ=0,030. Измерены реальные геометрические параметры, средние значения которых составили: для обоих макетов h=0,5 мм, t=105 мкм, w=0,45 мм, w1=0,2 мм, s=0,5 мм, а также l=61 мм для макета 1 и l=32,9 см для макета 2.
1,0
0,5
67 Z,Ом 62
1,5
1,0
0,5
0,0 t, нс
0,1 0,7
3 3,5 4 4,5 5 5,5 6 6,5 в
h1, мм 57 1,3 1,9 а
h1, мм
1,3 1,9 б
Рисунок 5.1 – Зависимости  (а) и Z (б) от h1 при w=0,1 мм для TALGAT (),
0,1 0,7
U,В
t, пс Рисунок 5.3 – Фото макетов 1 (а) и 2 (б) и ЭДС воздействия
U,В
0,0
а б 0 30 60 90 120 150в
с временем нарастания, плоской вершины и спада по 40 (––) и 50 (- -) пс
Экспериментальные исследования во временной и частотной областях для двух макетов выполнены на основе измерения S-параметров с помощью векторного анализатора цепей (ВАЦ) серии Р4М-40 «МИКРАН» (рисунок 5.4 а), подключавшегося к макетам через SMA соединители. Затем по измеренным данным S-параметров в системе ADS для получения временных откликов

а
в
подавались входные импульсы с параметрами по 40 и 50 пс (рисунок 5.3 в) с ЭДС по 1 В. Также для двух макетов во временной и частотной областях выполнено квазистатическое моделирование в системе TALGAT.
б
На рисунке 5.5 показаны результаты эксперимента и моделирования во временной области. В макете 1 СКИ не разложился на импульсы при данных геометрических параметрах и поданных входных импульсах, однако, в отличие от результатов для импульса c параметрами по 50 пс (рисунок 5.5 а), амплитуды для импульса 40 пс хорошо согласуются и равны 0,4 В. Для 40 пс чѐтче видно начало разложения и вызванная им меньшая амплитуда. Задержки импульсов при моделировании и эксперименте отличаются примерно на 0,05 нс, что составляет ±0,025/0,3=±8%. Это отклонение может быть вызвано нестрогим учѐтом задержек в ответвлениях, соединителях и переходах. Кроме того, значение εr при моделировании могло оказаться больше реального. Наконец, измерения имеют свою погрешность. В макете2 СКИ разложился на два импульса, как и предполагалось при предварительном моделировании. При этом, амплитуда второго импульса несколько выше, чем первого, что может быть вызвано наложением фронта второго импульса на спад первого, из-за неполного разложения. Это менее выражено для 40пс, где амплитуды почти равны, особенно при эксперименте (0,15 В). Как и в макете 1, задержки импульсов при моделировании и эксперименте отличаются примерно на 0,05 нс, что составляет
Рисунок 5.4 – Фото векторного анализатора цепей Р4М-40 (а); общий вид установки для измерения S-параметров макета 2 в диапазоне температур от –50 до 150 °С (б); измерение емкости при T=30, 70, 150 °С (в)
±0,025/1,7=±1,5%. Кроме того, при моделировании разность задержек импульсов больше, чем при эксперименте (хотя еѐ и трудно оценить точно из-за неполного разложения), что подтверждает предположение о том, что значение εr при моделировании больше реального.
0,4 U,В
0,3
0,2
0,5 U,В 0,4
0,2 U,В 0,1
0,2 U,В 0,1
0,3
t,нс 0,2 t,нс
t, нс 2 2,5г
t,нс
0,2 0,4 0,6 а 0,2 0,4 0,6б 1,5 2 2,5в 1,5
0,1
00,1 0
Рисунок 5.5 – Формы напряжения на выходе макета 1, полученные при моделировании (- -) и эксперименте (–) при входных импульсах с параметрами по 40 (а) и 50 (б) пс; аналогичные формы (в, г) для макета 2
Таким образом, представлены результаты моделирования и эксперимента во временной области для двух макетов с различием задержек ±8% и ±1,5%. Для макета 1 СКИ не разложился на импульсы, так как длина линии 61 мм мала, а в макете 2 с длиной 329 мм СКИ разложился на два импульса. При этом для входного импульса с параметрами по 40пс при эксперименте выравнены амплитуды импульсов. Тем самым, экспериментально подтверждено, что такую линию при данных параметрах можно использовать как МФ.
Далее представлено подтверждение достоверности результатов раздела 4 на основе сравнения результатов измерения и моделирования для макета МПЛ с двумя боковыми заземленными проводниками при изменении температуры.
Экспериментальные исследования во временной и частотной областях выполнены при изменении температуры от –50 до +150 °С, на основе измерения
S-параметров с
климатической
(рисунок 5.4 б).
кабелями Rohde Schwarz ZV-Z195 и Semflex 60637. Преобразование измеренных S-параметров во временную область выполнено в системе ADS. В качестве воздействия подан входной импульс с параметрами по 40 пс. Также выполнено квазистатическое моделирование во временной и частотной областях в системе TALGAT с учетом температурной модели. При моделировании значения α для меди приняты такими же, как в разделе 4. Для материала СТФ-2-105-0,5 с εr=4,7 принято α=8,33⋅10–4 K–1. Это значение получено с помощью дополнительного измерения c11 (первого элемента матрицы С) анализатором импеданса KEYSIGHT E49990A, подключенным к макету с помощью кабелей, нагрева феном фольгированной стороны макета и измерения температуры с помощью пирометра InfraRed& K-Type Thermometer DT-8833 (рисунок 5.4 в).
На рисунке 5.6 представлены полученные результаты для моделирования и эксперимента при T= –50, 25 и 150 °С. Видно, что СКИ раскладывается на два импульса. С увеличением T задержки импульсов увеличиваются как при моделировании, так и при эксперименте, а амплитуды импульсов уменьшаются. Из результатов моделирования без учета изменения потерь при изменении T= –50,
помощью ВАЦ (испытательной)
R&S ZVA 40, при размещении макета 2 в камере тепла-холода ESPEC SU-262 ВАЦ соединялся c SMA соединителями измерительными
25 и 150 °С (рисунок 5.6 а) видно, что амплитуды импульсов значительно отличаются от результатов эксперимента. Поэтому проведено тестовое моделирование с учетом изменения потерь в диэлектрике в 2 раза при T= –50 и 150 °С (рисунок 5.6 б). Видно, что амплитуды импульсов уменьшились, как и в эксперименте, поскольку потери влияют на дисперсию.
0,20 0,15 0,10 0,05 0,00
U,В
0,20 U, В 0,15
0,10
0,05
0,20 0,15
0,00
U,В
t, нс 0,10 0,05
t, нс 1,5 2 2,5а 1,5 2 2,5б 1,5 2 2,5в
t, нс
0,00
Рисунок 5.6 – Формы напряжения на выходе макета 2, полученные
при моделировании без учета (а) и с учетом (б) изменения потерь в диэлектрике
и эксперименте (в) для T= –50 (– –), 25 (––), 150 (· ·) °С Количественная оценка отклонений задержки и амплитуды напряжения импульса 1 показала согласованность результатов моделирования и эксперимента,
изменение задержки около 1%, а амплитуды в диапазоне 21–36% (таблица 5.1). Таблица 5.1 – Отклонения задержки и амплитуды импульса 1
Результат
Моделирование с учетом изменения потерь
Эксперимент
T, °С – 50 150 – 50 150
Δt, % –0,57 1,15 –1,12 1,12
ΔU, % 21,42 –35,71 26,67 –33,33
Наконец, оценим различие измерений разными приборами. На рисунке 5.7 дополнительно приведено сравнение результатов экспериментов и моделирования для макета 2 во временной области и сравнение результатов экспериментов в частотной области при T=25°С. Видно, что импульсы, измеренные с помощью R&S ZVA 40, приходят позже на 0,1 нс, чем Р4М-40, тогда как при моделировании они приходят позже на 0,05 нс, так что результаты моделирования близки к результатам обоих измерений. Амплитуда импульса 1 оказалась между измеренными, а амплитуды импульса2 совпали. Измеренные частотные зависимости |S11| незначительно отличаются, а |S21| совпали.
0,2 0,1 0,0
1,5 2,0
0 2 4 6 8 10 0 f, ГГц
t, нс
2,5 а -50 |S11|, дБ
0 2 4 6 8 10 0 f, ГГц
б -50 |S21|, дБ
U, В
Рисунок 5.7 – Формы напряжения на выходе макета 2, полученные при моделировании (––) и на Р4М-40 (– –) и R&S ZVA 40 (· ·) (а); частотные зависимости |S11| (б) и |S21| макета 2 (в) на Р4М-40 (––) и R&S ZVA 40 (– –)
в
Таким образом, возможность корректных оценок влияния температуры на разложение импульсов в МПЛ с двумя боковыми заземленными проводниками подтверждена экспериментально.
Основные результаты раздела и выводы
1. Представлены результаты вычислительных экспериментов по оценке чувствительности характеристик (τ и Z) экранированной МПЛ в 3 различных программах (FasterCap, FEMM, FEM2D), основанных на двух методах (МоМ и МКЭ). Выполнено сравнение результатов, полученных в разделе 2 (TALGAT, MoM), с результатами этих программ. Оно показало отклонение менее 2%. Таким образом, подтверждена достоверность ряда результатов раздела 2.
2. Сравнены временные отклики, полученные по алгоритмической (в TALGAT) и аналитической моделям (в Mathcad), для МФ на основе МПЛ с одним заземленным проводником сверху. Результаты оказались идентичными. Таким образом, подтверждена достоверность результатов для МФ из раздела 3.
3. Впервые выполнены экспериментальные исследования макетов МПЛ с двумя боковыми заземленными проводниками. Сравнены результаты моделирования и эксперимента во временной и частотной областях для двух макетов МПЛ с двумя боковыми заземленными проводниками, отличающимися длиной. В макете 2 с увеличенной длиной СКИ с параметрами по 40 пс разложился на 2 импульса с равными амплитудами, что дает возможность использовать линию как МФ. Таким образом, экспериментально подтверждены результаты раздела 3. Проведено измерение и моделирование в диапазоне частот от 1 до 10 ГГц. Получена хорошая согласованность для полосы пропускания и приемлемая для частоты первого резонанса. Различия вызваны неточным учетом частотной зависимости εr при моделировании с учетом потерь в диэлектрике, а также неучетом влияния SMA соединителей.
4. Впервые выполнены экспериментальные исследования по разложению СКИ в макете МПЛ с двумя боковыми заземленными проводниками при изменении температуры. Сравнены результаты моделирования и эксперимента во временной и частотной областях (до 15 ГГц) для макета с увеличенной длиной и параметрами входного импульса по 40 пс при изменении температуры от –50 °С до +150°С. Сравнение результатов во временной области показало согласованность результатов моделирования и эксперимента, изменение задержки около 1%, а амплитуды в диапазоне 21–36%. Результаты моделирования и эксперимента при изменении температуры отличаются, что связано с неучтѐнными факторами при моделировании (значения потерь при охлаждении и нагревании), а также принятых при моделировании и реальных значений εr. Между тем результаты моделирования временного отклика оказались близки к результатам измерений разными приборами. Таким образом, подтверждена возможность получения корректных оценок с помощью моделирования, как это сделано в разделе 4.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ Итоги исследования
В ходе исследований выполнены: обзор модификаций полосковых линий и подходов к их моделированию, анализ чувствительности характеристик
модифицированных МПЛ, анализ собственных значений и векторов произведения матриц L и С и временного отклика МПЛ с заземленными проводниками, оценка влияния температуры на характеристики модифицированных МПЛ, подтверждение достоверности результатов. Основные результаты работы:
1. Многовариантный квазистатический анализ τ и Z модифицированных МПЛ позволил минимизировать, вплоть до нулевой, их чувствительность к изменению отдельных параметров.
2. Показано, что при определѐнных параметрах МПЛ с одним или двумя заземленными на концах проводниками воздействующий СКИ разлагается на два импульса, и поэтому линию можно использовать как МФ. На этой основе предложены три новых МФ, позволяющих защиту от СКИ. Поданы три заявки на изобретения, на одну из которых получено положительное решение.
3. На основе оценки влияния температуры на параметры и характеристики (τ, Z, собственные значения и векторы, временная и частотная характеристики) модифицированных МПЛ выявлено, что основное влияние температура оказывает на εr. При одновременном влиянии температуры на все параметры линии поведение зависимостей погонной задержи и волнового сопротивления остается прежним, однако их значения могут существенно (до 3%) измениться. По результатам влияния температуры на собственные значения и векторы, а также временные отклики без учета потерь, показано, что погонные задержки с увеличением температуры могут уменьшаться, так что их разность уменьшается на 9–22%.
4. Сформулированы методики по оценке влияния заземления дополнительных проводников и температуры на характеристики МПЛ.
5. Выполнено подтверждение достоверности результатов исследований разделов 2–4, с хорошей согласованностью, при сравнении: τ и Z экранированной МПЛ, вычисленных 4 программами на основе двух методов; временных откликов МФ, вычисленных по алгоритмической и аналитической моделям; временных и частотных характеристик, полученных моделированием и экспериментом, в т.ч. при влиянии температуры.
Рекомендации
Результаты работы могут быть использованы для проектирования линий передачи со стабильными характеристиками. При этом целесообразен точный учѐт зависимости εr от температуры. Предложенные МФ могут использоваться для защиты от СКИ. Подходы к моделированию могут быть применены в образовательном процессе.
Перспективы дальнейших исследований
Аналогичные исследования могут быть выполнены и для других наборов параметров, а также типов линий. Для неэкранированных линий полезно исследование на излучаемые эмиссии. Новые МФ перспективно исследовать более детально.

Актуальность темы
Одним из важных компонентов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА)
являются микрополосковые линии (МПЛ). Их непрерывно модифицируют,
поскольку они определяют многие важные характеристики устройств и систем,
такие как быстродействие, стабильность и надежность. В настоящее время с
ростом требований к характеристикам РЭА возникает необходимость
воспроизведения линий со стабильными значениями погонной задержки и
волнового сопротивления, и в целом актуально уменьшение чувствительности
электрических характеристик линий к изменению их физических параметров (т.е.
геометрических параметров, а также параметров диэлектрических материалов).
При этом важен учет влияний температуры, поскольку она является важным
внешним эксплуатационным фактором, меняющим одновременно все физические
параметры линий.
Степень разработанности темы
Различные аспекты, связанные со стабильностью характеристик полосковых
линий исследовали P. Bhartia, E. Bogatin, D.C. Dhubkarya, S.K. Devendra, H.-M. Li,
L.G. Maloratsky, C.-H. Ra, М. Riaziat, Y. Singh, R.S. Tomar, M.K. Hamood,
S. Vikram, С.И. Бахарев, В.И. Вольман, Т.Р. Газизов, Л.Н. Кечиев,
В.М. Красноперкин, Е.Ю. Максимов, Н.Д. Малютин, Г.С. Самохин, Р.А. Силин,
А.Н. Сычев. Однако выявлены не все ресурсы для уменьшения чувствительности
характеристик линий к изменению их параметров, в частности проявляющиеся
при многовариантном квазистатическом анализе и добавлении к обычной МПЛ
одного или двух проводников. (Такие линии в работе далее, для краткости,
условно называются модифицированными МПЛ.)
Цель работы – использовать многовариантный квазистатический анализ
для выявления возможностей уменьшения чувствительности характеристик

Итоги исследования
В ходе проведенных исследований выполнены: обзор модификаций
полосковых линий и подходов к их моделированию, анализ чувствительности
характеристик модифицированных МПЛ, анализ собственных значений и
векторов произведения матриц L и С и временного отклика МПЛ с заземленными
проводниками, оценка влияния температуры на характеристики
модифицированных МПЛ, подтверждение достоверности результатов. Основные
результаты работы:
1. Многовариантный квазистатический анализ погонной задержки и
волнового сопротивления модифицированных МПЛ позволил минимизировать,
вплоть до нулевой, их чувствительность к изменению отдельных параметров.
2. Показано, что при определѐнных параметрах МПЛ с одним или двумя
заземленными на концах проводниками воздействующий СКИ разлагается на два
импульса, и поэтому линию можно использовать как МФ. На этой основе
предложены три новых МФ, позволяющих защиту от СКИ. Поданы три заявки на
изобретения, на одну из которых получено положительное решение.
3. На основе оценки влияния температуры на параметры и характеристики
(погонная задержка, волновое сопротивление, собственные значения и векторы,
временная и частотная характеристики) модифицированных МПЛ выявлено, что
основное влияние температура оказывает на относительную диэлектрическую
проницаемость. При одновременном влиянии температуры на все параметры
линии поведение зависимостей погонной задержи и волнового сопротивления
остается прежним, однако их значения могут существенно (до 3%) измениться.
По результатам влияния температуры на собственные значения и векторы, а
также временные отклики без учета потерь, показано, что погонные задержки с
увеличением температуры могут уменьшаться, так что их разность уменьшается
на 9–22%.
4. Сформулированы методики по оценке влияния заземления
дополнительных проводников и температуры на характеристики МПЛ.
5. Выполнено подтверждение достоверности результатов исследований
разделов 2–4, с хорошей согласованностью, при сравнении: τ и Z экранированной
МПЛ, вычисленных 4 программами на основе двух методов; временных откликов
МФ, вычисленных по алгоритмической и аналитической моделям; временных и
частотных характеристик, полученных моделированием и экспериментом, в т.ч.
при влиянии температуры.
Рекомендации
Результаты работы могут быть использованы для проектирования линий
передачи со стабильными характеристиками. При этом целесообразен точный
учѐт зависимости диэлектрической проницаемости от температуры.
Предложенные МФ могут использоваться для защиты от сверхкоротких
импульсов. Подходы к моделированию могут быть применены в образовательном
процессе.
Перспективы дальнейших исследований
Аналогичные исследования могут быть выполнены и для других наборов
параметров, а также типов линий. Для неэкранированных линий полезно
исследование на излучаемые эмиссии. Новые МФ перспективно исследовать
более детально.

1 Maloratsky, L.G. Using modified microstrip lines to improve circuit
performance / L.G. Maloratsky // High Frequency Electronics. – 2011. – Vol. 10,
No. 5. – P. 38–52.
2. Газизов, Т.Р. Характеристики подвешенной и обращенной полосковых
линий/ Т.Р. Газизов // Известия вузов. Физика. – 1995. – Т. 39, №2. –
С. 126–128.
3. Газизов, Т.Р. Уменьшение искажений электрических сигналов в
межсоединениях и влияний преднамеренных силовых электромагнитных
воздействий: дисс. док.тех.наук: 05.12.07 / Газизов Тальгат Рашитович.– Т.,
2010. –309 с.
4. Hamood, M.K. Line thickness for various characteristic impedance of microstrip
line / Tikrit journal of pure science. – 2013. – Vol. 18, No. 3. – P. 140–144.
5. Riaziat, M. Propagation modes and dispersion characteristics of coplanar
waveguides // M. Riazat, R. Majidi-Ahy, I.J. Feng // IEEE Trans. on microwave
theory and techniques – March 1990. – Vol. 38, No 3. – P. 241–251.
6. Gazizov, T.R. Stable delay of microstrip line with side grounded conductors /
T.R. Gazizov, V.K. Salov, S.P. Kuksenko // Wireless communications and
mobile computing. – 2017. – P. 1–5.
7. Пат. 2584502 РФ. Микрополосковая линия со стабильной задержкой / Cалов
В.К., Газизов Т.Р., Заболоцкий А.М. – № 2013159316/08; Заяв. 30.12.2013.
Опубл: 20.05.2016, Бюл. №14.
8. Газизов, Т.Р. Уменьшение искажений электрических сигналов в
межсоединениях / Под ред. Н.Д. Малютина. –Томск: Изд-во НТЛ, 2003. –
167 с.
9. Nakhla, M. Modeling and Simulation of High Speed VLSI Interconnects / M.
Nakhla, Q.J. Zhang // Special Issue on High-speed Interconnects. International
Journal on Analog Integrated Circuits and Signal Processing.– Jan. 1994. –
Vol. 5.
10. Bogatin, E. Achieving impedance control targets / E. Bogatin, S. Zimmer //
Printed circuit design & manufacture. –April 2004. –P. 28–31.
11. Tomar, R.S. New quasi-static models for the computer-aided design of suspended
and inverted microstrip lines / R.S. Tomar, OP. Bhartia // IEEE Trans.
Microwave Theory Tech. – Apr. 1987. – MTT–35. – P. 453–457.
12. Красноперкин, В.М. Анализ характеристик подвешенной и обращѐнной
полосковых линий / В.М. Красноперкин, Г.С. Самохин, Р.А. Силин //
Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. – 1981. – Вып. 12(336). –
С. 32–38.
13. Бирюлин, Г.В. Расчет теплового режима электронных компонентов /
Г.В. Бирюлин, В.И. Егоров, С.Ю. Муров // Научно-технический вестник
Санкт-Петербургского государственного университета информационных
технологий, механики и оптики. – 2010. – №4 (68). – С. 51–55.
14.Максимов, Е.Ю. Моделирование влияния тепловых воздействий на
характеристики микрополосковых антенн: автореф. дисс. канд.тех.наук:
05.13.18/ Максимов Евгений Юрьевич.–П., 2011.– 23 с.
15.Куксенко, С.П. Электромагнитная совместимость: моделирование / под ред.
Т.Р. Газизова . – Томск: В-Спектр, 2018. – 188 с.
16.Многовариантный анализ [Электронный ресурс]. – Режим доступа:
https://www.ngpedia.ru/id32070p1.html (дата обращения: 10.09.2020)
17.Харрингтон, Р.Ф. Применение матричных методов к задачам теории поля //
Труды института инженеров по электронике и радиотехнике. – 1967. –
№ 2. – С. 5–19.
18.Тарасик, В.П. Математическое моделирование технических систем: учеб.
для вузов. – М.: Изд-во «Дизайн ПРО», 2004. – 640 с.
19.Liu, Y. A novel fast iteration technique for scattering by 2–D perfect conducting
cylinders / Y. Liu, J. Hu, K.K. Mei // IEEE Trans. Electromagn. Compat. –
2002. – Vol. 44, № 1. – P. 263–265.
20.Riaziat, M. Single mode operation of coplanar wavequides // M. Riazat,
R. Majidi-Ahy, I.J. Feng //Electron. Lett. – 1987. – Vol. 23, No 24. – P. 241–251.
21.Marx, K.D. Propagation modes, equivalent circuits, and characterisitic
terminations for muticonductor transmission lines with inhomogeneous
dielectrics / K.D. Marx // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. – July 1973.–
Vol. MTT-21. – P. 450–457.
22.Riaziat, M. Сoplanar wavequides used in 2-18 Ghz distributed amplifier //
M. Riazat, I. Zubeck, S. Bandy, G. Zdasiuk //IEEE MTT-S Int. Microwave Symp.
Dig. – June 1986.
23.Griffith, J.R. Time–domain analysis of lossy coupled transmission lines /
J.R. Griffith, M.S. Nakhla // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. – 1990. –
Vol. 38. № 11. – P. 1480–1487.
24.Achar, R. Simulation of high-speed interconnects / R. Achar, M.S. Nakhla //
Proceedings of the IEEE. –2001. –Vol. 89. № 5. – P. 693–728.
25.Заболоцкий, А.М., Газизов, Т.Р. Временной отклик многопроводных линий
передачи. – Томск: Томский государственный университет, 2007. – 152 с.
26H.-M., Li. Frequency and temperature dependence of the dielectric properties of a
PCB substrate for advanced packaging applications / Li H.-M., Ra C.-H. //Journal
of the Korean Physical Society. – March 2009. –No. 3. – P. 1096–1099.
27.Сагиева, И. Исследование характеристик экранированной микрополосковой
линии / И. Сагиева // Известия вузов. Физика. – 2017. – Т. 60, № 12/2. –
С. 103–107.
28.Сагиева, И.Е. Моделирование характеристик микрополосковой линии,
покрытой заземленным проводником / И.Е. Сагиева // Научная сессия
ТУСУР – 2017: Материалы Международной научно–технической
конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, посвященной 55-
летию ТУСУРа. – Томск, Россия, 10–12 мая, 2017. – Ч. 3. – С. 77–79.
29.Сагиева, И.Е. Экранирование микрополосковой линии как ресурс для
уменьшения чувствительности ее характеристик / И.Е. Сагиева // 23-я
Межд. науч.-практ. конф. «Природные и интеллектуальные ресурсы Сибири
(СИБРЕСУРС-23-2017)». –Томск, Россия, 24 ноября, 2017. – С. 145–149.
30.Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ
№ 2018661873.Вычислениехарактеристикэкранированной
микрополосковой линии. Авторы: Сагиева И.Е., Газизов Т.Р. Заявка
№ 2018616265. Дата поступления 18 июня 2018 г. Зарегистрировано в
Реестре программ для ЭВМ 20.09.2018 г
31.Сагиева, И.Е. Моделирование характеристик микрополосковой линии с
боковыми заземленными проводниками сверху / И.Е. Сагиева // Материалы
XIII международной научно-практической конференции «Электронные
средства и системы управления», посвященная 55-летию ТУСУРа. – Томск,
Россия, 29 ноября – 1 декабря, 2017. – Ч. 2. – С. 19–20.
32.Сагиева, И.Е. Моделирование характеристик микрополосковой линии с
боковыми заземленными проводниками, углубленными в подложку /
И.Е. Сагиева // Сборник тезисов научно-технической конференции молодых
специалистов АО «ИСС». – Железногорск, Россия, 23–25 августа, 2017. –
С. 89–91.
33.Sagiyeva, I.Ye. Decrease of microstrip line characteristics sensitivity at the
expense of a shielding / I.Ye. Sagiyeva, T.R. Gazizov // Actual problems of
radiophysics. Proceedings of the VII International Conference “APR–2017”. –
Tomsk, Russia, September 18 – 22, 2018. – P. 67–70.
34.Sagiyeva, I.Ye. Side grounded conductors dipped in a substrate of a microstrip
line, as a tool of line characteristics control / I.Ye. Sagiyeva, T.R. Gazizov //
Siberian journal of science and technology. – 2018. – Vol. 19, no. 2. – P. 303–
307.
35.Сагиева, И.Е. Моделирование характеристик микрополосковой линии с
боковыми заземленными проводниками у границы воздух-подложка /
И.Е. Сагиева // Сборник избранных статей научной сессии ТУСУР по
материалам международной научно-технической конференции студентов,
аспирантов и молодых ученых «Научная сессия ТУСУР–2018». – Томск,
Россия, 16–18 мая, 2018. – Ч. 2. – С. 278–280.
36.Сагиева, И.Е. Моделирование характеристик микрополосковой линии с
боковыми заземленными проводниками у границы воздух-подложка при
изменении толщин проводников /И.Е. Сагиева // Актуальные проблемы
авиации и космонавтики. Сборник материалов XIV международной научно-
практическойконференции,посвященнойДнюкосмонавтики. –
Красноярск, Россия, 09–13 апреля, 2018. [Электронное издание] – Т.1. –
C. 386–388.
37.Sagiyeva, I.Ye. Modeling of microstrip line characteristics with side grounded
conductors near air–substrate boundary / I.Ye. Sagiyeva, T.R. Gazizov // Journal
of physics: conference series [Electronic resources]. –2018. – Vol. 1118, No. 2. –
P. 1–6.
38.Сагиева, И.Е. Результаты научных исследований как ресурс для
совершенствования обучения по магистерской программе // 24-я Межд.
науч.-практ. конф. «Природные и интеллектуальные ресурсы Сибири
(СИБРЕСУРС-24-2018)». – Томск, Россия, 28 ноября, 2018. – С. 162–166.
39.Gazizov, T.R. Solving the complexity problem in the electronics production
process by reducing the sensitivity of transmission line characteristics to their
parametervariations/ T.R. Gazizov,I.Ye. Sagiyeva,S.P. Kuksenko //
Complexity. – 2019. – Vol. 2019. – P.1 – 11.
40.Malygin, K.P. Multicriteria optimization of a meander line with broad-side
coupling by genetic algorithms / K.P. Malygin, A.V. Nosov, R.S. Surovtsev,
T.T. Gazizov, I.Y. Sagiyeva // Journal of Physics: Conference Series. – 2020. –
Vol. 1679. – P. 1–5.
41.Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ
№2018611481.TALGAT 2017. Авторы: Газизов Т.Р., Мелкозеров А.О.,
Куксенко С.П., Cагиева И и др. Заявка №2017663209. Дата поступления 13
декабря 2017 г. Зарегистрировано в Реестре программ для ЭВМ
02.02.2018 г.
42.Сагиева, И.Е. Микрополосковая линия с заземленным проводником сверху,
защищающая от сверхкоротких импульсов / И.Е. Сагиева // 26-я. Межд.
науч.-практ. конф. «Природные и интеллектуальные ресурсы Сибири.
СИБРЕСУРС-26-2020». –Томск, Россия, 24 ноября, 2020. – С. 123–126.
43.Сагиева, И.Е. Микрополосковая линия с двумя симметричными
проводниками сверху, защищающая от сверхкоротких импульсов / И.Е.
Сагиева //МатериалыXVмеждународнойнаучно-практической
конференции «Электронные средства и системы управления». – Томск,
Россия, 18 – 20 ноября, 2020. – Ч. 1. – С. 316–317.
44.Sagiyeva, I.Y. Modal analysis of a microstrip line with polygons in the air /
I.Y. Sagiyeva, T.R. Gazizov // 21st International conference of young specialists
on micro/nanotechnologies and electron devices EDM. – Erlagol, Altai, June 29 –
July 3, 2020. – P. 183–186.
45Сагиева, И.Е. Модальный анализ микрополосковой линии с полигонами в
воздухе / И.Е. Сагиева, Т.Р. Газизов // Материалы конференции «XXI
международнаяконференциямолодыхспециалистовпо
микро/нанотехнологиям и электронным приборам (EDM-2020)». –
Новосибирск, Россия, 29 июня -04 июля,2020. – С. 39.
46.Бахарев, С.И., Вольман, В.И. Справочник по расчету и конструированию
СВЧ полосковых устройств. М.: Радио и связь, 1982. 328 с.
47.Электромагнитная совместимость: модальные технологии: учеб. пособие /
А.М. Заболоцкий, Т.Р. Газизов. – Томск: Изд-во Томск. гос. ун-та систем
упр. и радиоэлектроники, 2018. – 132 с.
48.Sagiyeva, I.Y. The influence of temperature on microstrip transmission line
characteristics / I.Y. Sagiyeva, A.V. Nosov, R.S. Surovtsev // 21st International
conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices
EDM. – Erlagol, Altai, June 29 – July 3, 2020. – P. 191–194.
49.Куксенко, С.П. Переформирование предобусловливателя при решении
последовательности систем линейных алгебраических уравнений /
С.П. Куксенко,А.А. Квасников,И.Е. Сагиева //Тезисыдокладов
международной науч. конференции «Методы и математическая физика». –
Сочи, Россия, 10 –15 августа, 2020. – С. 93–96.
50.Сагиева, И.Е. Влияние температуры на характеристики микрополосковой
линии передачи / И.Е. Сагиева, А.В. Носов, Р.С. Суровцев // Материалы
конференции «XXI международная конференция молодых специалистов по
микро/нанотехнологиям и электронным приборам (EDM-2020)». –
Новосибирск, Россия, 29 июня–04 июля, 2020. – С. 40.
51.Ландберг, Г.С. Элементарный учебник физики. Механика. Теплота.
Молекулярная физика. М.: Наука, 1985, 606 с.
52.Новотник, М. Высокомолекулярные электронные модули на основе
органических плат / М. Новотник // Технологии в электронной
промышленности. – 2009. – № 8. – С. 51–55.
53.Нурхан, Б.Е. Влияние температуры на характеристики микрополосковй
линии с боковыми заземленными проводниками сверху / Б.Е. Нурхан,
И.Е. Сагиева // Материалы XV международной научно-практической
конференции «Электронные средства и системы управления». – Томск,
Россия, 18 – 20 ноября, 2020. – Ч. 1. – С. 310–312.
54.Сагиева, И.Е. Влияние температуры на характеристики микрополосковой
линии с боковыми заземленными проводниками / И.Е. Сагиева, Б.Е. Нурхан
// Материалы науч.-техн. конф. «Научная сессия ТУСУР–2021» – Томск,
Россия, 19–21мая, 2021. – Ч. 1. – С. 226–229.
55.Сагиева, И.Е. Многовариантный анализ экранированной микрополосковой
линии методами моментов и конечных элементов / И.Е. Сагиева,
Д.В. Клюкин // Материалы XV международной научно-практической
конференции «Электронные средства и системы управления». – Томск,
Россия, 18 – 20 ноября, 2020. – Ч. 1. – С. 318–320.
56.Sagiyeva I.Y.Modalfiltersbasedonamicrostripline
with overhead conductors grounded at both ends / I.Y. Sagiyeva, T.R. Gazizov,
Z.M. Kenzhegulova, R.S. Surovtsev // 22st International conference of young
specialists on micro/nanotechnologies and electron devices EDM. – Erlagol,
Altai, June 30 – July 4, 2021. – P. 183–186.
57.Park, S.W. Analytical approach for crosstalk characterization of multiconductor
transmission lines using mode decomposition technique in the time domain /
S.W. Park, F. Xiao, Y. Kami // IEEE Trans. on Electromagnetic Compatibility. –
2010. – Vol. 52. – P. 436–446.
58.You, H. Crosstalk analysis of high-speed interconnects and packages / H. You,
M. Soma // IEEE Proceedings of the Custom Integrated Circuits Conference. –
1990. – P. 11.2.1–11.2.5.
59.Vijai, K. On the analysis of symmetrical three-line microstrip circuits / K. Vijai,
K. Tripathi // IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques. – September
1977. – Vol. MTT-25, no. 9. – P. 726–729.
60.Стеклотекстолитытеплостойкийитеплостойкийнегорючий
фольгированный. Технические условия ТУ 2296-00 З11436290-02. Срок
введения с 01.04.2002 г.
61. Vikram, S. The effect of frequency and temperature on dielectric properties of
pure poly vinylidene fluoride (PVDF) thin films / S. Vikram, S.K. Devendra,
Y. Singh, D.C. Dhubkarya // Proceedings of the international multiconference of
engineers and computer scientists. – Hong Kong, March 17-19, 2010. – P. 1–4.

Заказать новую

Лучшие эксперты сервиса ждут твоего задания

от 5 000 ₽

Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям

    Нажимая на кнопку, я соглашаюсь на обработку персональных данных и с правилами пользования Платформой

    Читать

    Читать «Стабильность характеристик модифицированных микрополосковых линий»

    Публикации автора в научных журналах

    Solving the complexity problem in the electronics production process by reducing the sensitivity of transmission line characteristics to their parameter variations
    T.R. Gazizov, I.Ye. Sagiyeva, and S.P. Kuksenko //Complexity.–2019 .– Vol. 2– P. https://doi.org/1155/2019/6301
    The influence of temperature on microstrip transmission line characteristics
    I.Y. Sagiyeva, A.V. Nosov, R.S. Surovtsev // 21st International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices EDM. – Erlagol, Altai, June 29 – July 3, 2– P. 191–Sagiyeva I.Y. Modal analysis of a microstrip line with polygons in the air / I.Y. Sagiyeva, T.R. Gazizov // 21st International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices EDM.– Erlagol, Altai, June29– July 3, 2– P. 183
    Modal filters based on a microstrip line with overhead conductors grounded at both ends
    I.Y. Sagiyeva, T.R. Gazizov, Z.M. Kenzhegulova, R.S. Surovtsev // 22st International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices EDM. – Altai, June 30 – July 4, 2– P. 176
    Моделирование характеристик микрополосковой линии, покрытой заземленным проводником
    И.Е. Сагиева // Научная сессия ТУСУР – 2017: Материалы Международной научно–технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, посвященной 55-летию ТУСУРа. – Томск, Россия, 10–12 мая, 2– Ч. – С. 77
    Переформирование предобусловливателя при решении последовательности систем линейных алгебраических уравнений
    С.П. Куксенко, А.А. Квасников, И.Е. Сагиева // Тезисы докладов международной научной конференции «Методы вычислений и математическая физика». – Сочи, Россия, 10–15 августа, 2– С. 93–СагиеваИ.Е. Микрополосковая линия с заземленным проводником сверху, защищающая от сверхкоротких импульсов / И.Е.Сагиева // 26-я международная научно–практическая конференция «Природные и интеллектуальные ресурсы Сибири (СИБРЕСУРС-26-2020)». –Томск, Россия, 24 ноября, 2– С. 123
    Микрополосковая линия с двумя симметричными проводниками сверху, защищающая от сверхкоротких импульсов
    И.Е. Сагиева // Материалы XV международной научно–практической конференции «Электронные средства и системы управления». – Томск, Россия, 18–20 ноября, 2– Ч. – С. 316–Сагиева И.Е. Многовариантный анализ экранированной микрополосковой линии методами моментов и конечных элементов / И.Е. Сагиева, Д.В. Клюкин // Материалы XV международной научно–практической конференции «Электронные средства и системы управления».– Томск, Россия, 18– 20 ноября, 2– Ч. – С. 318
    Влияние температуры на характеристики микрополосковой линии с боковыми заземленными проводниками
    И.Е. Сагиева, Б.Е. Нурхан // Материалы научно–техническая конференция «Научная сессия ТУСУР–2021» – Томск, Россия, 19–21 мая, 2– Ч. – С. 226–Сагиева И.Е. Влияние температуры на характеристики микрополосковой линии передачи / И.Е. Сагиева, А.В. Носов, Р.С. Суровцев // Материалы конференции «XXI международная конференция молодых специалистов по микро/нанотехнологиям и электронным приборам (EDM-2020)». – Новосибирск, Россия, 29 июня – 04 июля, 2– С.

    Помогаем с подготовкой сопроводительных документов

    Совместно разработаем индивидуальный план и выберем тему работы Подробнее
    Помощь в подготовке к кандидатскому экзамену и допуске к нему Подробнее
    Поможем в написании научных статей для публикации в журналах ВАК Подробнее
    Структурируем работу и напишем автореферат Подробнее

    Хочешь уникальную работу?

    Больше 3 000 экспертов уже готовы начать работу над твоим проектом!

    Андрей С. Тверской государственный университет 2011, математический...
    4.7 (82 отзыва)
    Учился на мат.факе ТвГУ. Любовь к математике там привили на столько, что я, похоже, никогда не перестану этим заниматься! Сейчас работаю в IT и пытаюсь найти время на... Читать все
    Учился на мат.факе ТвГУ. Любовь к математике там привили на столько, что я, похоже, никогда не перестану этим заниматься! Сейчас работаю в IT и пытаюсь найти время на продолжение диссертационной работы... Всегда готов помочь! ;)
    #Кандидатские #Магистерские
    164 Выполненных работы
    Яна К. ТюмГУ 2004, ГМУ, выпускник
    5 (8 отзывов)
    Помощь в написании магистерских диссертаций, курсовых, контрольных работ, рефератов, статей, повышение уникальности текста(ручной рерайт), качественно и в срок, в соот... Читать все
    Помощь в написании магистерских диссертаций, курсовых, контрольных работ, рефератов, статей, повышение уникальности текста(ручной рерайт), качественно и в срок, в соответствии с Вашими требованиями.
    #Кандидатские #Магистерские
    12 Выполненных работ
    Оксана М. Восточноукраинский национальный университет, студент 4 - ...
    4.9 (37 отзывов)
    Возможно выполнение работ по правоведению и политологии. Имею высшее образование менеджера ВЭД и правоведа, защитила кандидатскую и докторскую диссертации по политоло... Читать все
    Возможно выполнение работ по правоведению и политологии. Имею высшее образование менеджера ВЭД и правоведа, защитила кандидатскую и докторскую диссертации по политологии.
    #Кандидатские #Магистерские
    68 Выполненных работ
    Анна С. СФ ПГУ им. М.В. Ломоносова 2004, филологический, преподав...
    4.8 (9 отзывов)
    Преподаю англ язык более 10 лет, есть опыт работы в университете, школе и студии англ языка. Защитила кандидатскую диссертацию в 2009 году. Имею большой опыт написания... Читать все
    Преподаю англ язык более 10 лет, есть опыт работы в университете, школе и студии англ языка. Защитила кандидатскую диссертацию в 2009 году. Имею большой опыт написания и проверки (в качестве преподавателя) контрольных и курсовых работ.
    #Кандидатские #Магистерские
    16 Выполненных работ
    Александра С.
    5 (91 отзыв)
    Красный диплом референта-аналитика информационных ресурсов, 8 лет преподавания. Опыт написания работ вплоть до докторских диссертаций. Отдельно специализируюсь на повы... Читать все
    Красный диплом референта-аналитика информационных ресурсов, 8 лет преподавания. Опыт написания работ вплоть до докторских диссертаций. Отдельно специализируюсь на повышении уникальности текста и оформлении библиографических ссылок по ГОСТу.
    #Кандидатские #Магистерские
    132 Выполненных работы
    Мария М. УГНТУ 2017, ТФ, преподаватель
    5 (14 отзывов)
    Имею 3 высших образования в сфере Экологии и техносферной безопасности (бакалавриат, магистратура, аспирантура), работаю на кафедре экологии одного из опорных ВУЗов РФ... Читать все
    Имею 3 высших образования в сфере Экологии и техносферной безопасности (бакалавриат, магистратура, аспирантура), работаю на кафедре экологии одного из опорных ВУЗов РФ. Большой опыт в написании курсовых, дипломов, диссертаций.
    #Кандидатские #Магистерские
    27 Выполненных работ
    Логик Ф. кандидат наук, доцент
    4.9 (826 отзывов)
    Я - кандидат философских наук, доцент кафедры философии СГЮА. Занимаюсь написанием различного рода работ (научные статьи, курсовые, дипломные работы, магистерские дисс... Читать все
    Я - кандидат философских наук, доцент кафедры философии СГЮА. Занимаюсь написанием различного рода работ (научные статьи, курсовые, дипломные работы, магистерские диссертации, рефераты, контрольные) уже много лет. Качество работ гарантирую.
    #Кандидатские #Магистерские
    1486 Выполненных работ
    Лидия К.
    4.5 (330 отзывов)
    Образование высшее (2009 год) педагог-психолог (УрГПУ). В 2013 году получено образование магистр психологии. Опыт преподавательской деятельности в области психологии ... Читать все
    Образование высшее (2009 год) педагог-психолог (УрГПУ). В 2013 году получено образование магистр психологии. Опыт преподавательской деятельности в области психологии и педагогики. Написание диссертаций, ВКР, курсовых и иных видов работ.
    #Кандидатские #Магистерские
    592 Выполненных работы
    Ольга Б. кандидат наук, доцент
    4.8 (373 отзыва)
    Работаю на сайте четвертый год. Действующий преподаватель вуза. Основные направления: микробиология, биология и медицина. Написано несколько кандидатских, магистерских... Читать все
    Работаю на сайте четвертый год. Действующий преподаватель вуза. Основные направления: микробиология, биология и медицина. Написано несколько кандидатских, магистерских диссертаций, дипломных и курсовых работ. Слежу за новинками в медицине.
    #Кандидатские #Магистерские
    566 Выполненных работ

    Последние выполненные заказы

    Другие учебные работы по предмету

    Излучение мощных сверхширокополосных импульсов решетками комбинированных антенн
    📅 2022 год
    🏢 ФГБОУ ВО «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники»
    Влияние диэлектрического покрытия и плазмы на направленные свойства и коэффициент усиления щелевых антенн
    📅 2022 год
    🏢 ФГБОУ ВО «Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева - КАИ»
    Широкополосные излучающие системы на основе круглого волновода
    📅 2021 год
    🏢 ФГБУН «Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова Российской академии наук»
    Низкопрофильные антенные решетки с механоэлектрическим типом сканирования
    📅 2022 год
    🏢 ФГБОУ ВО «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники»
    Разработка и оптимизация архитектуры антенных решеток пассивного пеленга для применения на подвижных носителях
    📅 2021 год
    🏢 ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»
    Методы цифрового диаграммоформирования для широкополосных антенных решеток
    📅 2021 год
    🏢 ФГБОУ ВО «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники»