Активаторная люминесценция сцинтилляторов на основе кристаллов LiF
Изучена активаторная люминесценция. Показано, что при электронной бомбардировке в кристаллах LiF-WО3, возбуждаются два типа центров, которым соответствуют две полосы люминесценции.
Установлено, что с ростом дозы электронного облучения интенсивность КЛ при D < 2500 Гр быстро возрастает и при D > 2500 Гр медленно убывает. Причины – преобразование дорадиационной дефектности и накопление центров окраски. Поэтому для увеличения эффективности сцинтилляторов можно использовать предварительную радиационную обработку малыми дозами.
Актуальность: LiF это сциинтиллятор у него хорошие характеристики
люменесценции.При энергеческие пучках в LiF сушествуют центры
окласки,процессы накопления центров окраски на основе LiF уже исвестны .Но
добавление примесных элементов влияет как активоторы для накопления
центров окраски в LiF с примесями.
В LiF-WO3 тоже сушествляет влияние от примесных элнментов. Эти
активоторные процессы не только сушестьвляют на сложных центрах.Поэтому
узначениеэтих процессов накопления центров окраски сушествует свои
необходимости.В этой диссепреной работе исследовались процессы
Последние выполненные заказы
Хочешь уникальную работу?
Больше 3 000 экспертов уже готовы начать работу над твоим проектом!