Осаждение металлических покрытий с помощью магнетрона с жидкофазной мишенью
Введение ……………………………………………………………………………………………………. 4
Глава 1. Скоростное осаждение металлических покрытий при фазовых
превращениях мишени …………………………………………………………………………….. 12
1.1. Термическое испарение в вакууме …………………………………………………… 13
1.2. Магнетронная распылительная система…………………………………………… 20
1.3. Магнетронная распылительная система с жидкофазной мишенью …… 25
Глава 2. Экспериментальное оборудование и методики исследований ………. 32
2.1. Установка для осаждения модифицирующих плазменных покрытий на
поверхность твёрдых тел ………………………………………………………………………. 32
2.2. Оптическая спектрометрия плазмы …………………………………………………. 36
2.3. Масс-спектрометрия плазмы …………………………………………………………… 37
2.4. Измерение толщины плёнок ……………………………………………………………. 38
2.5. Адгезия покрытий …………………………………………………………………………… 39
2.6. Измерение электрического сопротивления покрытий ………………………. 40
2.7. Шероховатость поверхности …………………………………………………………… 42
2.8. Высокочастотная газоразрядная оптическая спектрометрия …………….. 43
2.9. Сканирующая электронная микроскопия ………………………………………… 44
2.10. Рентгенографические исследования ………………………………………………. 46
Глава 3. Исследование функциональных характеристик магнетрона с
жидкофазной мишенью ……………………………………………………………………………. 47
3.1. Конструкция магнетронной распылительной системы с жидкофазной
мишенью ………………………………………………………………………………………………. 47
3.2. Расчёт характеристик эмиссии атомов с поверхности жидкофазной
мишени …………………………………………………………………………………………………. 56
3.3. Расчёт интенсивности эмиссии атомов в зависимости от мощности
разряда и свойств материала мишени и тигля ………………………………………… 64
3.4. Расчёт скорости осаждения покрытий, полученных с помощью МРС с
жидкофазной мишенью …………………………………………………………………………. 70
3.5. Эволюция параметров магнетронной распылительной системы с
жидкофазной мишенью …………………………………………………………………………. 73
3.6. Исследование плазмы жидкофазного магнетрона ……………………………. 81
3.7. Скорость осаждения покрытий ……………………………………………………….. 87
Глава 4. Исследование свойств медных покрытий …………………………………. 90
4.1. Результаты измерения адгезии ………………………………………………………… 91
4.2. Шероховатость поверхности …………………………………………………………… 92
4.3. Элементный состав покрытий …………………………………………………………. 94
4.4. Микроструктура и морфология поверхности покрытий …………………… 96
4.5. Результаты рентгенографического исследования плёнок меди ………… 99
4.6. Электропроводность медных покрытий…………………………………………. 101
Основные выводы ………………………………………………………………………………….. 105
Список литературы ………………………………………………………………………………… 108
Актуальность работы. Получение высококачественных
металлических тонких плёнок – одна из наиболее важных задач
современного материаловедения.
Постоянно возрастающие потребности в покрытиях различного
назначения – металлизации рулонных материалов, нанесении защитных,
износостойких, декоративных плёнок, изготовление различных плёночных
элементов изделий электронной техники – приводят к появлению новых и
модификации уже известных способов получения тонких плёнок. При этом
большой интерес вызывает осаждение качественных металлических
покрытий значительной толщины (до 300 мкм) и высокоскоростное
напыление тонких плёнок на подложки большой площади или рулонные
листовые материалы [1-3].
Среди множеств методов нанесения покрытий особое место занимают
вакуумные ионно-плазменные технологии. По способу формирования
потоков осаждаемых частиц их делят на CVD – Chemical Vapor Deposition
(химическое газофазное осаждение) и PVD – Physical Vapor Deposition
(физическое осаждение из паровой фазы) методы [4]. Данная работа
относится к технологиям второй группы. Поэтому CVD-методы мы здесь
рассматривать не будем.
Физическое осаждение покрытий представляет собой группу
технологий получения тонких плёнок, в которых поток осаждаемых атомов
создаётся с помощью физических процессов испарения вещества в вакууме
или распыления поверхности исходного материала в результате
бомбардировки ускоренными ионами. Все PVD-процессы реализуются в
вакууме или атмосфере рабочего газа при весьма низком давлении обычно в
интервале (1-10-5 Па и ниже). Благодаря этому обеспечивается перенос
атомов к подложке и практически исключается их взаимодействие с газами.
Поток испарённых или распылённых атомов, сталкиваясь с поверхностью
твёрдого тела, адсорбируется и конденсируется на ней, образуя различные
плёночные структуры.
Испарение в вакууме может быть реализовано прямым (резистивное и
индукционное нагревание, электронно-лучевое испарение, импульсное
лазерное воздействие) или косвенным (передача тепла испаряемому
материалу от испарителя) нагревом вещества [5]. Данный метод всегда
осуществляется при высоком вакууме (10-4 Па и ниже) и позволяет получать
качественные покрытия. Для него характерны высокие скорости осаждения.
Однако имеют место сложности из-за неравномерности плёнок по толщине
на изделиях большой площади и недостаточной адгезией напыляемого
материала к подложке.
Одним из наиболее распространённых методов получения покрытий с
помощью распыления является вакуумное осаждение из плазмы
магнетронного разряда. Суть его заключается в создании у поверхности
мишени магнетрона ловушки для электронов за счёт наличия скрещенных
электрических и магнитных полей. Электроны в этом случае имеют сложную
и длинную траекторию движения и, таким образом, достигается высокая
вероятность ионизации атомов рабочего газа. Ионы, ускоренные в
электрическом поле, распыляют мишень, а наличие магнитного поля
позволяет удерживать плазму вблизи неё [6,7]. Преимуществом
магнетронного распыления является возможность нанесения покрытий с
хорошей однородностью по толщине на подложки больших размеров. Для
этого метода характерна более высокая энергия распылённых атомов (по
сравнению с испарёнными), что может значительно улучшить свойства
получаемых покрытий.
К недостаткам магнетронных распылительных систем (МРС) можно
отнести относительно невысокую скорость осаждения – несколько
нанометров в секунду [8,9]. Лимитирующим фактором здесь являются
распылительные процессы на поверхности мишени, сечение которых
относительно невелико.
Производительность МРС можно существенно повысить, если
обеспечить атомам возможность как распыляться, так и испаряться с
поверхности мишени. Процесс испарения или сублимации энергетически
более выгоден, чем распыление. Поэтому фазовые превращения мишени
приводят к значительному росту скорости осаждения покрытий, но их
инициация создаёт большие технические трудности при практическом
воплощении этой технологии.
Одним из возможных путей повышения производительности является
использование МРС с жидкофазными мишенями. В таких системах
металлическая мишень помещена в тугоплавкий тигель, теплоизолированный
от охлаждаемой магнитной системы. При достаточно высокой мощности
разряда происходит разогрев мишени вплоть до температуры плавления и
даже более. Тогда поток осаждаемого вещества будет состоять не только из
распылённых частиц, но и испарённых [10,11].
Соотношение вкладов распылительной и испарительной компонент в
осаждаемый поток зависит от температуры мишени, которая определяется
мощностью потока энергии из плазмы, свойствами вещества мишени и тигля.
Такая схема МРС позволяет повысить скорость осаждения покрытий в 10-100
раз [12-14]. При достаточно высоких плотностях энергии разряд переходит в
так называемый режим самораспыления, при котором в качестве рабочего
газа выступают атомы материала мишени.
Следует отметить, что в этом случае плазма способна «гореть» на
парах металла и подачу рабочего газа можно прекратить. Естественно, что
при этом условия существования разряда изменятся.
Степень разработанности темы. МРС с жидкофазной мишенью
известны давно [10,11,15,16]. Но, несмотря на большие технологические
возможности, они до сих пор не нашли применения в промышленности в
связи с тем, что изучены весьма слабо. Например, необходимо знать, какое
влияние оказывают теплофизические свойства материалов катодного узла на
характеристики МРС, скорость осаждения и свойства получаемых покрытий,
установить параметры МРС с жидкофазной мишенью, при которых
возможно осуществить режим самораспыления и т.д.
Поэтому наши усилия были направлены на то, чтобы в основном на
примере меди как модельного материала покрытия, а также молибдена и
графита в качестве материалов тигля исследовать функциональные свойства
1.Шульц-Хардер Ю. Медно-керамические подложки DBC: новые
возможности, перспективы и проблемы создания нового поколения
изделий силовой электроники // Компоненты и технологии. – 2005. –
№3. – С.72-75;
2.Гюнтер М., Риттнер М., Нюхтер В., Вольтер К., Новиков А.А.
ПоведениекерамическихDBC-субстратовприповреждении:
иллюстрациядефектов, характеристики и факторы влияния //
Технологии в электронной промышленности. – 2008. – №7. – С. 56-59;
3.Непочатов Ю.К., Дейс Г., Богаев А.А., Каширин А.И., Шкодкин А.В.
Разработка технологии изготовления металлизированных подложек для
изделий силовой электроники // Современные технлогии. – 2010. – №9.
– С.12-15;
4.Smith D. Thin-Film Deposition: Principles and Practice. – Boston: McGraw
Hill, 1995. – 616 p.;
5.Справочник по вакуумной технике и технологиям / под ред. Д.
Хоффман, Б. Снгха, Дж. Томаса III. – М.: Техносфера, 2011. – 736 с.
6.Chapin J.S. Sputtering process and apparatus: United State Patent №
4.166.018; заявл. 3.01.1974; опубл. 28.08.1979;
7.Данилин Б.С., Сырчин В.К. Магнетронные распылительные системы. –
М.: Радио и связь, 1982. – 72 с.;
8.Rossnagel S.M. Deposition and redeposition in magnetrons // J. Vac. Sci.
Technol. A. – 1988. – V.6. – P. 3049-3054;
9.Class W.H. Performance characteristics of a new high rate magnetron
sputtering cathode // Thin Solid Films. – 1983. – V. 107. – № 4. – P. 379-
385;
10.Krutenat R.C. Vapor deposition by liquid-phase sputtering/ Krutenat R.C.,
Jesick W.R. // Journal of Vacuum Science and Technology. – 1970. – V.7. –
№1. – P.40-44;
11.Данилин Б.С. Осаждение металлических плёнок путем распыления из
жидкой фазы/ Какурин М.В., Минайчев В.Е., Одиноков В.В., Сырчин
В.К. / / Электронная техника. Сер. Микроэлектроника.- 1978.- В. 2(24).
– С. 84-87;
12.Блейхер Г.А. Модель эрозии поверхности жидкофазных мишеней
магнетронных распылительных систем/ Блейхер Г.А., Кривобоков
В.П., Третьяков Р.С. // Известия ВУЗов. Физика. – 2011. – № 11/2. – С.
148-153;
13.Юрьева А.В. Магнетронное осаждение покрытий с испарением
мишени / Юрьева А.В., Блейхер Г.А., Кривобоков В.П. // Журнал
технической физики. –2015. – Т.85 – вып. 12. – С. 56-61;
14.Юрьева А.В. Анализ возможностей магнетронных распылительных
систем для высокоскоростного осаждения функциональных покрытий /
Блейхер Г.А., Кривобоков В.П., Юрьева А.В. // Известия ВУЗов.
Физика. – 2014. – №57. – С. 104-108;
15.Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для травления
и очистки материалов. – Москва: Энергоатомиздат, 1987. – 263 с.;
16.Туренко Е.А., Яценко О.Б. Особенности магнетронного разряда в парах
материала катода // Письма в ЖТФ. – 1989. – Т.15, вып. 13. – С. 55-58
17.Технология тонких плёнок: Справочник. Т.1. / Под ред. Л. Майссела, Р.
Глэнга. М.: Сов. радио, 1977. – 664 с.;
18.Минайчев В.Е. Нанесение тонких плёнок в вакууме. – М: Высшая
школа, 1989. – 110 с.;
19.Справочник оператора установок по нанесению покрытий в вакууме /
А.И. Костржицкий, В.Ф. Карпов и др. – М.: Машиностроение, 1991.–
176 с.;
20.Smith H. M., Turner A.F. Vacuum deposited thin films using a ruby laser //
Applied Optics. – 1965. – V. 4. – P. 147-148;
21.Singh, K.S., Sharma, A.K. Melt ejection from copper target in air in the
presence of magnetic field using nanosecond pulsed laser ablation // Journal
of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films. –
2017. – V.35. – №3, DOI: 10.1116/1.4979663;
22.GontadF., Lorusso A., Klini A., Broitman E., Perrone A., Fotakis C.
Fabrication of Nb/Pb structures through ultrashort pulsed laser deposition //
Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and
Films. – 2016. – V. 34. – № 4, DOI: 10.1116/1.4948529;
23.Lorusso A., Gontad F., Caricato A.P., Chiadroni E., Broitman E., Perrone A.
Structural and morphological properties of metallic thin films grown by
pulsed laser deposition for photocathode application // Applied Physics A:
Materials Science and Processing. – 2016. – V. 122. – № 3, DOI:
10.1007/s00339-016-9717-3;
24.Закутаев А.И. Осаждение тонких плёнок из абляционной плазмы,
генерируемой на мишени при воздействии мощного ионного пучка:
дис. … канд. физ.- мат. наук. – Томск, 1998.–162 с.;
25.Ремнев Г.Е. Осаждение тонких металлических плёнок при воздействии
мощных ионных пучков на металлы / Ремнев Г.Е., Закутаев А.Н.,
Иванов Ю.Ф., Матвиенко М.В., Потёмкин А.В. // Письма в ЖТФ. –
1996. –Т.22.–№8. – С. 68-72;
26.Yatsui K. Preparation of thin films of dielectric materials using high-density
ablation plasma produced by intense pulsed ion beams / Yatsui K.,
Sonegawa T., Ohtomo K., Jiang W. // Meter.Chem. Phys. –1998. – V.54. –
P. 219-223;
27.Yatsui K. Applications of intense pulsed ion beam to materials science /
Yatsui K., Kang X. D., Sonegawa T., Matsuoka T., Masugata K., Shimotori
Y., Satoh T., Furuuchi S., Ohuchi Y., Takeshita T., Yamamoto H. // Phys.
Plasmas. – 1994. – V.1. – №5. – P. 1730-1737;
28.Блейхер Г.А., Кривобоков В.П., Пащенко О.В. Тепломассоперенос в
твёрдом теле под действием мощных пучков заряженных частиц. –
Новосибирск: Наука, 1999. – 176 с.;
29.Ремнев Г.Е. Модификация материалов с использованием мощных
ионных пучков // Известия ТПУ. – 2000. – Т. 303.–№2. – С. 59-70;
30.Бойко В.И. Модификация металлических материалов импульсными
мощными ионными пучками частиц / Бойко В.И., Валяев А.Н.,
Погребняк А.Д. // УФН. – 1999. –Т.169.– №11. – С. 1243-1271;
31.БлейхерГ.А.Сравнительныйанализпроизводительностии
энергоэффективностиполученияметаллическихпокрытийс
использованием мощных импульсных ионных пучков и плазмы
магнетронного разряда / Блейхер Г.А., Кривобоков В.П. // Изв. ВУЗов.
Физика. – 2012. – Т. 55. – №11/2. – С. 183-188;
32.Диденко А.Н., Лигачёв А.Е., Куракин И.Б. Воздействие пучков
заряженных частиц на поверхность металлов и сплавов – М.:
Энергоатомиздат, 1987. – 184 с.;
33.Осаждение из газовой фазы / Под ред. К. Пауэлла. М.: Атомиздат, 1970
– 450 с.;
34.Физика тонких плёнок: сборник статей. Т.3 / Под ред. Г. Хасса, Р.Э.
Туна. М.: Мир, 1968 – 330 с.;
35.Brauer G. Magnetron sputtering – Milestones of 30 years / Brauer G.,
Szyszka B., Vergohl M., Bandorf R.// Vacuum. – 2010. – №84. – P. 1354-
1359;
36.Kelly P.J. Magnetron sputtering: a review of recent developments and
applications/ Kelly P.J., Arnell R.D. // Vacuum. – 2000. – №56. – P.159-
172;
37.Musil J. Recent advances in magnetron sputtering technology // Surface and
Coatings Technology. – 1998. – №100-101. – P. 280-286
38.Wu Z. et al. Al-Mg-B thin films prepared by magnetron sputtering //
Vacuum. – 2010. – V. 85. – P.541-545;
39.Wu B.H. et al. Plasma characteristics and properties of Cu films prepared by
high power pulsed magnetron sputtering // Vacuum. – 2017. – V. 135. – P.
93-100;
40.Boo J.-H., et al. High-rate deposition of copper thin films using newly
designed high-power magnetron sputtering source // Surf. Coat. Technol. –
2004. – V. 188-189. – P. 721-727;
41.ДухопельниковД.В.Магнетронныераспылительныесистемы:
устройство, принцип работы, применение. – М.: изд. МГТУ им. Н.Э.
Баумана, 2009. – 54 с.;
42.Кузьмичев А.И. Магнетронные распылительные системы. Кн.1.
Введение в физику и технику магнетронного распыления.– К.: Аверс,
2008.–277 с.;
43.Соловьев А.А. Устройства со скрещенными электрическими и
магнитными полями для нанесения тонкоплёночных покрытий на
подложки большой площади: дис. … канд. техн. наук. – Томск, 2007.–
218 с.;
44.СвадковскийИ.В.Направленияразвитиямагнетронных
распылительных систем // Доклады БГУИР.–2007.–№2.–С. 112-121.
45.Юрьева А.В. Дуальная магнетронная распылительная система / Юрьева
А.В., Кривобоков В.П., Юрьев Ю.Н., Янин С.Н. Патент РФ № 2371514.
Опубл. 27.10.2009. Бюлл. № 30;
46.Musil J. Discharge in Dual Magnetron Sputtering System / Musil J., Baroch
P. // IEEE Transactions on Plasma Science.–2005. – V.33.–N.2.–P. 338-
339;
47.Сиделёв Д.В., Юрьев Ю.Н. Влияние конфигурации магнитного поля
дуальной МРС на свойства тонких плёнок диоксида титана // Известия
вузов. Физика. – 2014. – Т. 57.– №. 3/3. – C. 248-252;
48.Sidelyov D. V., Yurjev Y. N. The reactive deposition of TiOx thin films //
Advanced Materials Research. – 2014. – V. 1040. – P. 748-7524
49.Гвоздев В.В. Ионный токоперенос с магнетронных распылительных
системах / Гвоздев В.В., Курзанов М.А., Марахтанов А.М. // Физика
плазмы.–1999.–Т. 25.– №5.–С.488-492;
50.Марахтанов М.К. Магнетронные системы ионного распыления. – Изд.
МГТУ, 1990. – 76 с.;
51.Solovjev A.A, Oskirko V. O., Semenov V. A., Oskomov K. V., Rabotkin S.
V. Comparative study of Cu films prepared by DC, high power pulsed and
burst magnetron sputtering // Journal of Electronic Materials. – 2016. – V.
45. – №8. – P. 4052-4060;
52.Depla D. Magnetrons, reactive gases and sputtering. – Diederik Depla, 2015.
– 302 p.;
53.БерлинЕ.В.,СейдманЛ.А.Ионно-плазменныепроцессыв
тонкоплёночной технологии. – М.: Техносфера, 2010. – 528 с.;
54.Блейхер Г.А., Кривобоков В.П. Эрозия поверхности твёрдого тела под
действием мощных пучков заряженных частиц – Новосибирск: Наука,
2014. – 248 с.;
55.Тумаркин А.В. Магнетронный разряд с расплавленным катодом /
Тумаркин А.В., Ходаченко Г.В., Казиев А.В., Щелканов И.А.,
Степанова Т.В. // Успехи прикладной физики. – 2013. – Т.1. – №3. –
С.276-281;
56.Tumarkin A.V. Deposition of copper coatings in a magnetron with liquid
target / Tumarkin A.V., Kaziev A.V., Kolodko D.V., Pisarev A.A., Kharkov
M.M., Khodachenko G.V. // Physics of Atomic Nuclei. – 2015. – V. 78. – №
14. – Р. 1674-1676;
57.Третьяков Р.С. Эрозия жидкофазной мишени в плазме магнетронного
разряда / Третьяков Р.С., Кривобоков В.П., Янин С.Н. // Известия
ВУЗов. Физика. – 2007.- Т.50 – № 9. – С. 487-490;
58.Гвоздев В.В. Исследование магнетронных распылительных систем с
жидкометаллическим катодом с целью увеличения производительности
и снижения энергозатрат процесса катодного распыления: дис. …канд.
техн. наук. – Москва, 1999. –131 с.;
59.Жуков В.В. Исследование процесса перехода магнетронного диода в
режим распыления из жидкой фазы/ Жуков В.В., Кривобоков В.П.,
Янин С.Н. // Proc. 6th Int. Conf. on Modification of Materials with Particle
Beams and Plasma Flows, Tomsk. – 2002. – P.129-131;
60.Установка для нанесения плазменных модифицирующих покрытий на
поверхность твёрдых тел // Инструкция по эксплуатации. – Томск. –
2008. – 13 с.;
61.Оптоволоконный спектрометр AvaSpec [Электронный ресурс]. – Режим
доступа: http://www.avantes.ru/spectrometer/tec/avaspec2048.php (Дата
обращения 15.10.2016);
62.Масс-спектрометры HPQ2 [Электронный ресурс]. – Режим доступа:
http://blms.ru/hpq_2 (Дата обращения 10.06.2016);
63.Calotest // Technical Features 2011. – Kent. – 2011. – 13 p.;
64.Vickers indentation using CSM’s Micro Scratch Tester // Company «Anton
Paar»: [Электронный ресурс]. – Режим доступа: http://www.csm-
instruments.com/Vickers-indentation-using-CSMs-Micro-Scratch-Tester;
65.Keithley Instruments official site [Электронный ресурс] – Режим доступа:
http://www.keithley.com/;
66.Трехмерный бесконтактный профилометр (Micro Measure 3D Station)
[Электронныйресурс].–Режимдоступа:
http://portal.main.tpu.ru/departments/centre/cism/prib/measure-3d;
67.GD-Profiler2[Электронныйресурс].–Режимдоступа:
http://www.horiba.com/semiconductor/products/processes/photovoltaic-
process/material-analysis/details/gd-profiler-2-tm-562/;
68.Нехин М. Спектрометр тлеющего разряда Profiler-2 – мощный
аналитический инструмент послойного анализа материалов / Нехин М.,
Кузнецов А., Шапон П. // Аналитика. – 2012. – №4. – С. 34-42;
69.АналитическийэлектронныймикроскопZeissSupra55/55VP
[Электронныйресурс].–Режимдоступа:
http://www.rusnanonet.ru/equipment/zeiss_supra55/;
70.Системы энергодисперсионного анализа [Электронный ресурс]. –
Режим доступа: http://emicroscope.ru/microscopes/microanaliz/eds/;
71.The International Centre for Diffraction Data [Электронный ресурс]. –
Режим доступа: http://www.icdd.com/translation/rus/pdf4.htm;
72.Junaid M. Liquid-target reactive magnetron sputter epitaxy of high quality
GaN (0001) nanorods on Si (111) / Junaid M., Chen Y-T., Palisaitis J.,
Garbrecht M., Hsiao C-L., Persson P.O.A., Hultman L., Birch J. // Materials
science in semiconductor processing. – 2015. – V. 39. – P. 702-710;
73.Junaid M. Electronic-grade GaN (0001) / Al2O3 (0001) grow by reactive
DC-magnetron sputter epitaxy using a liquid Ga target / Junaid M., Hsiao C-
L., Palisaitis J., Persson P.O.A., Hultman L., Birch J., Jensen J. // Applied
Physics Letter. – 2011. – V. 98. – № 14; DOI: 10.1063/1.3576912;
74.Физические величины: справочник / под ред. Григорьева И.С.,
Мейлихова Е.З. – М.: Энергоатомиздат, 1991. – 1232 с.;
75.ТУ 1915-109-081-2004. Графит мелкий зернистый плотный. Заготовки
и изделия, 2004. – 64 с.;
76.Ишуткин С.В. Разработка технологии и создание монолитного GaAs
СВЧ малошумящего усилителя с металлизацией на основе плёнок Al и
Cu: дис. … канд. техн. наук. – Томск, 2016.– 207 с.;
77.Yuryeva A.V. High Voltage MIS-gated GaN Transistors / Erofeev E.V.,
Fedin I.V., Fedina V.V, Stepanenko M.V, Yuryeva A.V. // Semiconductors,
2017. – V. 51. – №9. – P. 1229-1232;
78.ЮрьеваА.В.Тепловыеиэрозионныепроцессыприработе
магнетронных распылительных систем с неохлаждаемыми мишенями/
Юрьева А.В., Блейхер Г.А., Третьяков Р.С., Кривобоков В.П. //
Известия ВУЗов. Физика. – 2009. – Т.52. – № 11/2. – С. 180-185;
79.Юрьева А.В. Баланс энергии на катодном узле магнетронной
распылительной системы с жидкофазной мишенью/ Юрьева А.В.,
Блейхер Г.А., Степанова О.М., Юрьев Ю.Н. // Известия ВУЗов. Физика.
– 2014. – Т.57. – № 3/3. – С. 283-287;
80.Янин С.Н. Свойства магнетронного разряда на постоянном токе. Ч.1.
Механизм распыления мишени / Янин С.Н., Жуков В.В., Кривобоков
В.П., Пацевич В.В. // Изв. ТПУ. – 2005. – Т.308. – №6. – С. 69-74;
81.ИвановскийГ.Ф,ПетровВ.И.Ионно-плазменнаяобработка
материалов. М.: Радио и связь, 1986.–231 с.;
82.Zhukov V. K. Sputtering of the magnetron diode target in the presence of an
external ion / Zhukov V. K., Krivobokov V. P., Yanin S. N. // Technical
Physics. – 2006. – V. 51, №4. – P. 453-458;
83.Плешивцев Н.В., Бажин А.И. Физика воздействия ионных пучков на
материалы. – М.: Вузовская книга. – 1998. – 392;
84.Юрьева А.В. Тепловые процессы и эмиссия атомов с поверхности
жидкофазной мишени магнетронной распылительной системы /
Блейхер Г.А., Кривобоков В.П., Юрьева А.В. // Известия ВУЗов.
Физика. – 2015. – Т.58. – № 4. – С. 3-8;
85.Распыление твёрдых тел ионной бомбардировкой. Вып. 1: Физическое
распыление одноэлементных твёрдых тел / Под ред. Р. Бериша. – М.:
Мир, 1984. – 336 с.;
86.Анисимов С.И., Имас Я.А., Романов Г.С., Ходыко Ю.В. Действие
излучения большой мощности на металлы. – М.: Наука, 1970. – 272 с.;
87.Михеев М.А., Михеева И.М. Основы теплопередачи. – М.: ООО «ИД
«Бастет», 2010. – 344 с.;
88.Yuryeva A. V. Thermal processes and emission of atoms from the liquid
phase target surface of a magnetron sputtering system/ Yuryeva A. V.,
Bleykher G. A., Krivobokov V. P. // Russian Physics Journal: Scientific
Journal. – 2015. –V. 58, iss. 4. – P. 431-437;
89.Парфенов О.Д. Технология микросхем. – М.: Высшая школа, 1986. –
320 с.;
90.Yuryeva A.V. Magnetron deposition of coatings with evaporation of the
target / Bleykher G. A., Krivobokov V. P., Yuryeva A.V. // Technical
Physics. – 2015. – V. 60. – № 12. – P. 1790-1795;
91.Инфракрасные термометры (пирометры) [Электронный ресурс]. –
Режим доступа: http://timol.ru/km2termix.html;
92.Теплофизические свойства металлов при высоких температурах:
справочник / Зиновьев В.Е. – М.: Металлургия, 1989. – 384 с.;
93.Yuryeva A. V. Effect of material of the crucible on operation of magnetron
sputtering system with liquid-phase target / Yuryeva A. V., Shabunin A. S.,
Korzhenko D. V., Korneva O. S., Nikolaev M. V. // Vacuum. – 2017. –V.
141. – P. 135-138;
94.Таблицы спектральных линий: справочник / А.Н. Зайдель, В.К.
Прокофьев, С.М. Райский, В.А. Славный. – М.: Наука, 1977. – 800 с.;
95.NIST Atomic Spectra Database (ver. 5.3):, [Электронный ресурс]. Режим
доступа: http://physics.nist.gov/asd (Дата обращения 16.09.2016);
96.Yuryeva A.V. Features of copper coatings growth at high-rate deposition
using magnetron sputtering systems with a liquid metal target / Bleykher
G.A., Borduleva A.O., Yuryeva A.V., Krivobokov V.P., Lančok J., Bulíř J.,
Drahokoupil J., Klimša L., Kopeček J., Fekete L., Čtvrtlìk R., Tomaštik J. //
Surface & Coatings Technology – 2017. – V. 324. – P. 111-120;
97.Кукушкин С.А. Процессы конденсации тонких плёнок / Кукушкин
С.А., Осипов А.В. // Успехи физических наук – 1998. – Т.168. – №10. –
С.1083-1116;
98.Movchan B. A. Study of the Structure and Properties of Dioxide thin /
Movchan B. A., Demchishin A. V. // Fiz. Met. Metalloved. -1969. – Vol. 28.
– P. 83-90.;
99.Messier, R. Revised structure zone model for thin film physical structure /
Messier, R., Giri, A.P., Roy, R.A. // J. Vac. Sci. Technol. A. – 1984. – Vol.
2, No. 2. – P. 500-503.;
100.Thornton, J. Influence of apparatus geometry and deposition conditions on
the structure and topography of thick sputtered coating // J. Vac. Sci.
Technol. – 1974. – Vol. 11. – P. 666-670;
101. Ягодкин Ю.Д., Добаткин С.В. Применение электронной микроскопии и
рентгеноструктурного анализа для определения размеров структурных
элементоввнанокристаллическихматериалах//Заводская
лаборатория. Диагностика материалов. – 2007. – Т.73. – №1. – С. 38-49;
102. Grovenor C. R. M., Hentzell H. T. G., Smith D. A. The development of
grain structure during growth of metallic films // Acta metallurgica. – 1984.
– Vol. 32. – № 5. – P. 773-781.;
103. Barna P.B., Adamik M. Fundamental structure forming phenomena of
polycrystalline films and the structure zone models // Thin Solid Films. –
1998. – V. 317. – № 1-2. – P.27-33;
104. Metallic films for electronic, optical and magnetic applications: Structure,
processing and properties / Edited by: K. Barmak and K. Coffey. –
Woodhead Publishing Limited, 2014. – 634 p.;
105. Берлин Е.В., Двинин С.А., Сейдман Л.А. Вакуумная технология и
оборудование для нанесения и травления тонких плёнок. – М.:
Техносфера, 2007. – 176 с.;
106. Yurjeva A.V. Energy and substance transfer in magnetron sputtering
systems with liquid-phase target / Yurjeva A.V., Bleykher G.A., Krivobokov
V.P., Sadykova I. // Vacuum. – 2016. – №124. – P.11-17;
107. Антонец И.В. Особенности наноструктуры и удельной проводимости
тонких плёнок различных металлов / Антонец И.В., Котов Л.Н.,
Некипелов С.В., Голубев Е.А. // Журнал технической физики. – 2004. –
Т.74. – вып. 3. – С. 24-27;
108. Chopra K.L. Thin Film Phenomena. – Huntington: Krieger,1979. – 844 p.
Помогаем с подготовкой сопроводительных документов
Хочешь уникальную работу?
Больше 3 000 экспертов уже готовы начать работу над твоим проектом!
4.7 (46 отзывов)
5 (44 отзыва)
5 (14 отзывов)
4.8 (37 отзывов)
4.8 (9 отзывов)
4.9 (343 отзыва)
4.5 (80 отзывов)
4.6 (30 отзывов)
5 (158 отзывов)
