Высокотемпературная термолюминесценция кристаллов анионодефицитного корунда и ее связь с собственными и примесными дефектами : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07

Актуальность и степень разработанности темы исследования. Моно- и поликристаллический анионодефицитный корунд (-Al2O3-) широко используется как основа детекторов ТЛД-500 или Al2O3:С в твердотельной дозиметрии с использованием эффектов термически и оптически стимулированной люминесценции (ТЛ и ОСЛ) [1, 2, 3]. Область применения детекторов ТЛД-500 до последнего времени ограничивалась диапазоном доз 10-6 – 10Гр, характерным для индивидуальной дозиметрии. Однако с начала двухтысячных годов наблюдается существенный рост интереса к исследованиям дозиметрических и люминесцентных свойств накопительных детекторов, включая ТЛД-500, направленным на изучение возможности регистрации больших и сверхбольших доз [4, 5, 6, 7]. Такой интерес, с одной стороны, обусловлен, расширяющимся применением импульсных рентгеновских и электронных источников микро-, нано- и субнаносекундной длительности в радиационных технологиях, контроле, медицине, а также при изучении быстропротекающих физических и химических процессов [8, 9, 10]. С другой, возникающими при измерении поглощенных доз трудностями, обусловленными повышенными температурами окружающей среды, сильными электромагнитными помехами и значительными импульсными мощностями доз, то есть там, где не работают электронные, фотохромные, ЭПР- и другие дозиметры [8, 11].
Недавние исследования ТЛ-, ОСЛ- и спектрально-оптических свойств кристаллов α-Al2O3-δ показали возможность дальнейшего расширения диапазона регистрируемых доз вплоть до 100Гр [4, 5, 12]. В них отмечено, что определяющую роль в таком расширении играют более глубокие ловушки носителей заряда, чем обуславливающие основной дозиметрический ТЛ-пик при 450 К и ОСЛ-сигнал. В [5, 12] указанный вывод подтвержден наблюдением конверсии F- в F+ -центры (анионные вакансии с двумя и одним электроном соответственно), регистрируемой при пошаговом отжиге в области 800-1000 К и фиксируемой по изменению обуславливающих их полос оптического поглощения
5
(ОП). Такая FF+-конверсия сопровождалась экстремальными изменениями ТЛ- и ОСЛ-выходов, связанных с опустошением основной ловушки, причем эти изменения не имели одинаковой характер у трех типов исследуемых образцов Al2O3:С. Природа глубоких ловушек в [5, 12] также определялась по виду F+F- конверсии. Так, согласно [5, 12, 13] фиксируемая при пошаговом отжиге в области 800-1000 К FF+-конверсия однозначно свидетельствует о дырочной природе глубокой ловушки, хотя никаких других доказательств не приводится. Более того, ни в одной из известных нам работ нет совместно полученных данных об изменениях концентраций F+- и F-центров, определенных при пошаговом отжиге, и о высокотемпературной ТЛ, измеренной до 1000 К. Отсутствие таких данных обусловлено существенными трудностями измерения высокотемпературной ТЛ при T>600K. Кроме того, в [4, 5, 12] не рассматривается возможность участия в обсуждаемых процессах примесных центров типа Cr3+ и Ti3+, а также сложных комплексных центров, основными элементами которых являются интерстициалы алюминия, анионные и катионные вакансии в разных зарядовых состояниях. Тем не менее, в [14, 15, 16] показано их вовлечение в релаксационные процессы в области не только основного, «титанового» и «хромого» ТЛ-пиков при 450, 470 и 580 К соответственно, но и высокотемпературных при 720 и 900 К, создаваемых в α-Al2O3-δ специальной термооптической обработкой. Образование сложных центров, в том числе и ранее не обнаруживаемых, подтверждено данными радио- и фотолюминесценции (РдЛ и ФЛ) и их кинетиками.
Таким образом, дальнейшее изучение физики релаксационных процессов в
сильно облученном α-Al O 1, происходящих в ходе ТЛ- и ОСЛ-считываний, в том 2 3-δ
числе при повышенных температурах, привлекая наряду с оптико-абсорбционным спектральные радио- и фотолюминесцентные и люминесцентно-кинетические методы исследования является актуальной задачей. Важным также является сравнительное изучение с использованием указанных методов особенностей
1Здесь и далее по тексту диссертации и автореферата под понятием образец (кристалл или α-Al2O3-δ), подвергнутый «высокодозному облучению», а также «сильно облученный образец» подразумевается такой, доза облучения которого составляет не менее 50 Гр.

6
запасания и течения ТЛ- и ОСЛ- процессов в кристаллах α-Al2O3-δ, облученных непрерывным и импульсным рентгеновским и электронным излучением в существенно расширенном диапазоне доз, мощностей доз и температур. Полученные результаты позволят расширить возможности практического применения α-Al2O3-δ и будут полезны с фундаментальной точки зрения.
Поэтому целью работы является поиск в кристаллах α-Al2O3-δ возможной связи между особенностями термолюминесценции в области 300-1000К и преобразованием простых и сложных центров собственного и примесного типа, вызванными высокодозным непрерывным и импульсным облучением.
Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:
1. Подбор образцов α-Al2O3- с существенно неизменяемыми ТЛ-свойствами при многократном высокодозном облучении и установление для них общих закономерностей накопления и перераспределения запасенной энергии в расширенном диапазоне доз, мощностей доз и температур при непрерывном и
импульсном облучении рентгеновским и электронным излучениями.
2. Изучение ТЛ при Т>600 К и ее спектров, сравнение их с аналогичными для основного ТЛ-пика, выявление возможных связей ТЛ-выходов и наблюдаемых свечений в высокотемпературной области с девозбуждением известных центров собственной и примесной природы, либо их тушащего действия, что предполагает также специальный подбор образцов α-Al2O3-,
определение у них примесного состава и концентраций активных центров.
3. Выявление в сильно облученных кристаллах α-Al2O3- взаимосвязи между фототрансфером носителей и ОСЛ- и ТЛ-выходами, обусловленными
опустошением основной и глубоких ловушек.
4. Разработка методик и нагревательных устройств, позволяющих без
перемещений в одном цикле пошагового отжига в диапазоне Ta=300-1400 К исследовать в облученных образцах α-Al2O3- изменения по данным ОП концентраций активных центров, их ФЛ-откликов и ФЛ-кинетик,

спектрального состава ТЛ, а также сопоставить на финальном этапе весь
массив полученных данных с соответствующими ТЛ-кривыми.
5. Поиск взаимосвязей и установление закономерностей в изменениях ТЛ- свойств, ТЛ-спектров, концентраций и ФЛ-откликов не только F+-, F-, но и
других активных центров при пошаговом отжиге вплоть до Ta=1400 К.
6. Разработка модели рекомбинационных процессов с участием F+- и F-центров в облученном α-Al2O3-, теоретически подтверждающей некоторые из экспериментально полученных закономерностей, базирующейся на современных представлениях об электронной структуре F- и F+-центров и учитывающей соотношение между их концентрациями, а также энергетическую структуру, активность и степень заселенности электронных
ловушек.
Объекты исследований. Объектами исследования являлись
анионодефицитные образцы монокристаллов α-Al2O3- и детекторы ТЛД-500 на их основе с отличающимися концентрациями активных центров F-типа, ТЛ- выходами в основном и высокотемпературных пиках и известным примесным составом.
Методы и методология исследований. При исследовании кристаллов α- Al2O3- в работе использовались следующие методы: ТЛ, ОСЛ, ФЛ и кинетики ФЛ, ОП. Кроме того, для получения дополнительных данных о роли собственных дефектов и примесей в релаксационных процессах применялись также рентгено- и катодолюминесцентный методы. Для изучения примесного состава исследуемых кристаллов α-Al2O3-δ использовался рентгенофлуоресцентный метод.
Научная новизна:
1. Установлено, что ТЛ-выход образцов α-Al2O3-δ и детекторов ТЛД-500
коррелирует со средней концентрацией анионных вакансий, если она определяется усреднением суммарных концентраций F+-и F-центров, измеренных локально в нескольких точках.
2. В сильно облученных рентгеновским излучением образцах кристаллов α- Al2O3-δ и детекторах ТЛД-500 обнаружен высокотемпературный ТЛ-пик при
7

830 К, выход в котором антикоррелирован с ТЛ-выходами в пиках при 400 и 520 К и с концентрацией примесного Ti3+. В его спектре имеется одна широкая УФ-полоса с hνem=4.1 эВ и H=0.86 эВ, которая не связана с переходами ни в одном из известных центров. Обуславливающая его глубокая ловушка имеет в спектре опустошения полосу с hνm=5.2 эВ и H=1.6 эВ, и УФ-излучения из указанной полосы не инициируют фотоперенос носителей заряда на другие более мелкие ловушки, включая основную дозиметрическую. Показано, что природа ТЛ-пика при 830 К связана с радиационно- и термостимулированной перестройкой дефектного образования, в состав которого входят анионные вакансии и френкелевские дефекты в катионной подрешетке.
3. В температурном интервале 300 – 1000 K систематически изучена ТЛ и ее особенности у кристаллов α-Al2O3-δ и детекторов ТЛД-500, облученных непрерывным и импульсными рентгеновскими и электронными излучениями в диапазоне доз 10-3 – 3107 Гр и мощностей доз 0.510-3 – 1011 Гр/с. Установлено, что в отличие от непрерывного, когда насыщение дозовых зависимостей ТЛ-выходов в пиках при 450, 580 и 830 К происходит соответственно при 2, 40 и 2·103 Гр, при импульсном наносекундном облучении верхний предел регистрируемых доз может быть увеличен соответственно вплоть до ~2·102, ~2·103 и ~6·106 Гр вследствие появления на дозовых зависимостях вместо насыщения вторых линейных участков, вид которых связан с время-импульсными и мощностными параметрами излучений.
4. Высокодозное облучение двух типов кристаллов α-Al2O3-δ – с ТЛ-пиком при 830 К и без него – существенно различным способом проявляется в их ОСЛ- свойствах. Показано, что быстрый компонент в кинетике затухания ОСЛ у образцов обоих типов обусловлен опустошением ловушки, обуславливающей основной дозиметрический пик при 450К, а медленный компонент наблюдается только у образцов с ТЛ-пиком при 830 К.
5. Комплексные исследования облученных кристаллов α-Al2O3-δ с ТЛ-пиком при 830 К и без него, проведенные при пошаговом отжиге в диапазоне 300-1400 К и включающие изучение изменений концентраций простых (F-, F+-) и
8

6.
сложных центров (Al +-, F +- и др.), их ФЛ-выходов, спектров ТЛ в области i2
основного пика при 450 К и приобретенной ТЛ-чувствительности, а также их сопоставление с ТЛ-кривыми, показали, что указанные изменения жестко связаны с отсутствием или наличием ТЛ-пика при 830К, а ход термостимулированных процессов определяется не только опустошением электронных и дырочных ловушек с сопутствующими F+F- и FF+-видами конверсии, но и созданием и преобразованием сложных центров.
Предложены физическая и математическая модели, описывающие рекомбинационные процессы с участием F-центров и учитывающие наличие синглет-синглетных излучательных переходов в F-центрах, термостимулированные преобразования активных центров, включая взаимную конверсию F+- и F-центров, изменения их ФЛ-откликов. Модели позволили описать сложную кинетику люминесценции F-центров при их внутрицентровом и рекомбинационном возбуждении, изменяющуюся в зависимости от активности и заселенности электронных ловушек.
Защищаемые положения:
ТЛ-выход в основном пике при 450 К у образцов α-Al2O3-δ и детекторов ТЛД-500 пропорционален средней концентрации анионных вакансий, определяемой усреднением суммарных концентраций F+- и F-центров.
С ростом дозы облучения кристаллов α-Al2O3-δ идет последовательное заполнение ловушек, обуславливающих пики ТЛ при 450, 580 и 830 К, а вид дозовых зависимостей для ТЛ-выходов в указанных пиках и их насыщение связаны с время-импульсными и мощностными параметрами излучений. ТЛ-выход в пике при 830 К антибатен содержанию примеси титана в образцах α-Al2O3-δ, в его спектре свечения имеется одна широкая УФ-полоса с hνem=4.1 эВ и H=0.86 эВ, спектр опустошения обуславливающей его ловушки, содержит УФ-полосу с hνm=5.2эВ и H=1.6эВ, излучения из которой не инициируют трансфер носителей заряда на другие более мелкие ловушки, включая основную, однако ее наличие существенно усложняет кинетики ОСЛ.
1.
2.
3.
9

10
4. Характер изменений при пошаговом отжиге концентраций простых (F-, F+-) и
сложных центров (Al +-, F +- и др.), их ФЛ-выходов, спектров ТЛ в области i2
основного пика при 450 К и приобретенной ТЛ-чувствительности связан с особенностями кривых термовысвечивания у α-Al2O3-δ, а в диапазоне 800 – 1000 К – с отсутствием или наличием ТЛ-пика при 830 К, ход термостимулированных процессов определяется не только опустошением электронных и дырочных ловушек с сопутствующими F+F- и FF+-видами конверсии, но и созданием и преобразованием сложных центров.
Теоретическая значимость. Экспериментальные и теоретические результаты, полученные в работе при изучении высокотемпературной ТЛ анионодефицитного корунда, имеют существенное значение для физики конденсированного состояния, поскольку расширяют представления о релаксационных процессах с участием центров захвата и люминесценции в α-Al2O3-δ, облученных непрерывным и импульсными рентгеновскими и электронными излучениями, а также в расширенном температурном и дозовом диапазонах. Сравнительные исследования оптических и спектрально- кинетических свойств кристаллов α-Al2O3-δ, их примесного состава наряду с ТЛ, ОСЛ и фототрансферной ТЛ вносят определенный вклад в теорию люминесценции и позволяют лучше понять роль собственной анионной и примесной дефектности в формировании высокотемпературной ТЛ при T>600 К.
Практическая значимость. При высокодозном облучении кристаллов α-Al2O3- и детекторов ТЛД-500 на ТЛ-кривых обнаружен новый пик при 830 К, отклик в котором пропорционален дозе. Его использование в дозиметрической практике наряду с основным и хромовым пиками при 450 и 580 К позволяет существенно расширить диапазон регистрируемых доз, а при измерении больших доз увеличить температуру применения до 700 К. Так, при непрерывном облучении детекторы ТЛД-500 могут быть использованы в диапазоне от долей мкГр до единиц кГр. В случае импульсного наносекундного облучения верхний предел может быть увеличен до единиц МГр (Патент РФ на изобретение No2570107).

11
Результаты изучения ОСЛ в сильно облученном -Al2O3- и связанных с ней фототрансферных эффектов имеют важное практическое значение для ОСЛ- дозиметрии, поскольку в образцах без ТЛ-пика при 830К существенно сокращается и упрощается процедура обнуления накопленной дозиметрической информации. Более того, в таких детекторах при ОСЛ-считывании минимальны проявления фототрансфера, что позволяет повысить точность измерения поглощенных доз. Вышеприведенное стало основой при разработке устройства для измерения аварийных доз облучения (Патент РФ на полезную модель No146319).
На основании изучения в протонно-облучаемых образцах α-Al2O3- протонолюминесценции, наведенной радиоактивности и инициируемых последней мгновенных и отложенных эффектов, таких как радио-, термолюминесценция и ОСЛ, предложена и запатентована конструкция фотоэлектрического модуля космического базирования с покрытием из α-Al2O3-, существенно повышающего эффективность генерации электрической энергии, особенно в области солнечной тени. (Патент РФ на изобретение No2584184).
Личный вклад автора
Определение цели и задач диссертационной работы, интерпретация полученных результатов, формулирование выводов и защищаемых положений выполнены совместно с научным руководителем.
Автором лично проведены экспериментальные исследования ОСЛ, высокотемпературной ТЛ и ее спектральных особенностей, а также изменений концентраций, ФЛ-откликов и их кинетик для центров F-типа и других активных центров, в том числе примесной природы, при пошаговом отжиге облученных образцов -Al2O3-. Кроме того, изготовлен нагревательный модуль, позволяющий реализовывать линейный нагрев образцов в диапазоне Ta=300-1400 K при =2 К/с и изотермическую выдержку при T=300-1170 К внутри кюветных отделений Cary- 60 и Cary Eclipse, а также выполнена проверка его градуировки по температуре.

12
Элементный анализ исследуемых образцов -Al2O3- проведен с.н.с Н.П. Горбуновой и м.н.с. Л.А. Татариновой, сотрудниками лаборатории физических и химических методов исследования Института геологии и геохимии УрО РАН.
Достоверность и апробация работы. Достоверность изложенных в работе основных результатов и выводов подтверждена отсутствием противоречий с известными общепринятыми представлениями, соответствующими публикациями в рецензируемых журналах из первой и второй квартилей, а также их обсуждением на международных и отечественных конференциях. Точность экспериментальных результатов обеспечена многократностью измерений с использованием апробированных методик и аттестованных образцов, проведением калибровок измерительного оборудования, в том числе используя прописанные в технической документации процедуры. При обработке экспериментальных данных применены методы математической статистики.
Основные результаты диссертации представлялись на 7 всероссийских и международных конференциях: Всероссийских школах-семинарах по проблемам физики конденсированного состояния СПФКС-14 и СПФКС-15 (г. Екатеринбург, Россия, 2013 г.; 2014 г.); 4th and 5th International congress on energy fluxes and radiation effects (г. Томск, Россия, 2014 г.; 2016 г.); 9th International conference on luminescent detectors and transformers of ionizing radiation (г.Тарту, Эстония, 2015 г.); 18th International conference on solid state dosimetry (г. Мюнхен, Германия, 2016 г.); 19th International conference on defects in insulating materials (г. Лион, Франция, 2016 г.).
Публикации. Основные результаты исследований опубликованы в 22 научных работах, включая 10 статей в ведущих российских и зарубежных рецензируемых научных журналах из списка ВАК, Scopus, Web of Science; 2 патента РФ на изобретение и патент РФ на полезную модель.
Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Ее объем составляет 185 страниц, включая 57 рисунков, 7 таблиц и библиографический список из 181 наименования.